Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности фотолюминесценции в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода

Тысченко И.Е.¹, Журавлев К.С.¹, Талочкин А.Б.¹, Попов В.П.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 11 июля 2005 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

PDF версия

Исследованы особенности спектров фотолюминесценции в имплантированных ионами водорода структурах кремний-на-изоляторе. Обнаружено увеличение интенсивности фотолюминесценции с ростом гидростатического давления P во время отжига и формирование системы узких периодических пиков фотолюминесценции в спектральном диапазоне ~500-700 нм для структур, отожженных при P>6 кбар. Показано, что появление тонкой структуры в спектре фотолюминесценции коррелирует с замедлением выхода водорода из имплантированных образцов и подавлением процесса образования микропузырей водорода в приповерхностном слое. Эти процессы способствуют формированию оптического резонатора с зеркалами, образованными границами раздела "кремний-на-изоляторе-воздух" и "кремний-на-изоляторе-SiO₂", и оптически активным слоем, созданным имплантацией ионов водорода и последующим отжигом. PACS: 78.55.Hx, 78.66.-w, 81.40.Tv, 81.60.Cp, 68.55.Ln

L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
X. Zhao, O. Schoenfeld, J. Komuro, Y. Aoyagi, T. Sugano. Phys. Rev. B, 50, 18 654 (1994)
T. Shimizu-Iwajama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett., 65, 1814 (1994)
R.E. Hummel, M.H. Ludvig, S.-S. Chang. Sol. St. Commun., 93, 237 (1995)
Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt. Appl. Phys. Lett., 66, 1977 (1995)
W. Skorupa, R.A. Yankov, I.E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 68, 2410 (1996)
A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ishikawa. Phys. Rev. B, 62, 1540 (2000)
Zh. Ma, K. Chen, X. Huang, J. Xu, W. Li, D. Zhu, J. Mei. Appl. Phys. Lett., 85, 516 (2004)
E.M. Purcell. Phys. Rev., 69, 681 (1946)
M. Zelsmann, E. Picard, T. Charvolin, E. Hadji, M. Heitzmann, B. Dal'zotto, M.E. Nier, C. Seassal, P. Rojo-Romeo, X. Letartre. Appl. Phys. Lett., 83, 2542 (2003)
C.B. Li, C.J. Huang, B.W. Cheng, Y.H. Zuo, R.W. Mao, L.P. Luo, J.Z. Yu, Q.M. Wang. J. Appl. Phys., 95, 5914 (2004)
В.П. Попов, И.Е. Тысченко. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе. Патент РФ (N 2217842, 14.01.2003)
И.Е. Тысченко, В.П. Попов, А.Б. Талочкин, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев. ФТП, 38 (1), 111 (2004). [Semiconductors, 38, 107 (2004)]
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987) гл. II, с. 178
V.P. Popov, A.K. Gutakovskii, L.N. Safronov, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, I.V. Antonova, O.V. Naumova, V.I. Obodnikov, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, J. Domagala, A. Romano-Rodrigues, A. Bachrouri. Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions ed. by F. Balestra et al. (Kulwer Academic Publishers, Netherlands, 2002) p. 269
W. Han, J. Yu. J. Appl. Phys., 89, 6551 (2001)
M.S. Unlu, S. Strite. J. Appl. Phys., 78, 607 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель