Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности фотолюминесценции в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 11 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.
Исследованы особенности спектров фотолюминесценции в имплантированных ионами водорода структурах кремний-на-изоляторе. Обнаружено увеличение интенсивности фотолюминесценции с ростом гидростатического давления P во время отжига и формирование системы узких периодических пиков фотолюминесценции в спектральном диапазоне ~500-700 нм для структур, отожженных при P>6 кбар. Показано, что появление тонкой структуры в спектре фотолюминесценции коррелирует с замедлением выхода водорода из имплантированных образцов и подавлением процесса образования микропузырей водорода в приповерхностном слое. Эти процессы способствуют формированию оптического резонатора с зеркалами, образованными границами раздела "кремний-на-изоляторе-воздух" и "кремний-на-изоляторе-SiO2", и оптически активным слоем, созданным имплантацией ионов водорода и последующим отжигом. PACS: 78.55.Hx, 78.66.-w, 81.40.Tv, 81.60.Cp, 68.55.Ln
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
- X. Zhao, O. Schoenfeld, J. Komuro, Y. Aoyagi, T. Sugano. Phys. Rev. B, 50, 18 654 (1994)
- T. Shimizu-Iwajama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett., 65, 1814 (1994)
- R.E. Hummel, M.H. Ludvig, S.-S. Chang. Sol. St. Commun., 93, 237 (1995)
- Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt. Appl. Phys. Lett., 66, 1977 (1995)
- W. Skorupa, R.A. Yankov, I.E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 68, 2410 (1996)
- A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ishikawa. Phys. Rev. B, 62, 1540 (2000)
- Zh. Ma, K. Chen, X. Huang, J. Xu, W. Li, D. Zhu, J. Mei. Appl. Phys. Lett., 85, 516 (2004)
- E.M. Purcell. Phys. Rev., 69, 681 (1946)
- M. Zelsmann, E. Picard, T. Charvolin, E. Hadji, M. Heitzmann, B. Dal'zotto, M.E. Nier, C. Seassal, P. Rojo-Romeo, X. Letartre. Appl. Phys. Lett., 83, 2542 (2003)
- C.B. Li, C.J. Huang, B.W. Cheng, Y.H. Zuo, R.W. Mao, L.P. Luo, J.Z. Yu, Q.M. Wang. J. Appl. Phys., 95, 5914 (2004)
- В.П. Попов, И.Е. Тысченко. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе. Патент РФ (N 2217842, 14.01.2003)
- И.Е. Тысченко, В.П. Попов, А.Б. Талочкин, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев. ФТП, 38 (1), 111 (2004). [Semiconductors, 38, 107 (2004)]
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987) гл. II, с. 178
- V.P. Popov, A.K. Gutakovskii, L.N. Safronov, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, I.V. Antonova, O.V. Naumova, V.I. Obodnikov, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, J. Domagala, A. Romano-Rodrigues, A. Bachrouri. Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions ed. by F. Balestra et al. (Kulwer Academic Publishers, Netherlands, 2002) p. 269
- W. Han, J. Yu. J. Appl. Phys., 89, 6551 (2001)
- M.S. Unlu, S. Strite. J. Appl. Phys., 78, 607 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
