"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение коэффициента ослабления света в тонких слоях светодиодных структур
Ефремов А.А.1, Тархин Д.В.2, Бочкарева Н.И.2, Горбунов Р.И.2, Ребане Ю.Т.2, Шретер Ю.Г.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Предложена методика определения коэффициента ослабления света в тонком GaN-слое на основе измерений интенсивности электролюминесценции вдоль и поперек слоя. Получена величина коэффициента ослабления света 90±15 см-1 в GaN-слое светодиодной InGaN-структуры. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi, 78.66.Fd
  1. S. Nakamura, S.F. Chichibu. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Doides (N.Y., Taylor \& Francis, 2000)
  2. H. Morkoc. Nitride Semiconductors and Devices [Springer Ser. Mater. Sci., 32] (Springer, Berlin, 1999).
  3. S. Schad, B. Neubert, C. Eichler, M. Scherer, F. Habel, M. Seyboth, F. Scholz, D. Hofstetter, P. Unger, W. Schmid, C. Kamutsch, K. Streubel. J. Lightwave Technol., 22, 2323 (2004)
  4. O. Ambacher, W. Rieger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D. Moustakas, M. Stutzman. Sol. St. Commun, 97 (5), 365 (1996)
  5. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahma, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku. Appl. Phys. Lett., 69, 1568 (1996)
  6. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Hopler, R. Dimitrov, O. Ambacher, M. Stutzmann. J. Appl. Phys., 82, 5090 (1997)
  7. J.F. Muth, J.H. Lee, I.K. Shmagin, R.M. Kolbas, H.C. Casey, jr., B.P. Keller, U.K. Mishra, H. Amano, N. Watanabe, N. Koide, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett., 71, 2572 (1997)
  8. H. Amano, N. Watanabe, N. Koide, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 32, L1000 (1993)
  9. Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE, 4996, 113 (2003)
  10. Л.Е. Воробьев, Л.Е. Голуб, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Оптические явления в полупроводниковых квантово-размерных структурах (СПб., изд-во СПбГТУ, 2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.