Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение коэффициента ослабления света в тонких слоях светодиодных структур

Ефремов А.А.¹, Тархин Д.В.², Бочкарева Н.И.², Горбунов Р.И.², Ребане Ю.Т.², Шретер Ю.Г.²

¹Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 августа 2005 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

PDF версия

Предложена методика определения коэффициента ослабления света в тонком GaN-слое на основе измерений интенсивности электролюминесценции вдоль и поперек слоя. Получена величина коэффициента ослабления света 90±15 см^-1 в GaN-слое светодиодной InGaN-структуры. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi, 78.66.Fd

S. Nakamura, S.F. Chichibu. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Doides (N.Y., Taylor \& Francis, 2000)
H. Morkoc. Nitride Semiconductors and Devices [Springer Ser. Mater. Sci., 32] (Springer, Berlin, 1999).
S. Schad, B. Neubert, C. Eichler, M. Scherer, F. Habel, M. Seyboth, F. Scholz, D. Hofstetter, P. Unger, W. Schmid, C. Kamutsch, K. Streubel. J. Lightwave Technol., 22, 2323 (2004)
O. Ambacher, W. Rieger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D. Moustakas, M. Stutzman. Sol. St. Commun, 97 (5), 365 (1996)
S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahma, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku. Appl. Phys. Lett., 69, 1568 (1996)
D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Hopler, R. Dimitrov, O. Ambacher, M. Stutzmann. J. Appl. Phys., 82, 5090 (1997)
J.F. Muth, J.H. Lee, I.K. Shmagin, R.M. Kolbas, H.C. Casey, jr., B.P. Keller, U.K. Mishra, H. Amano, N. Watanabe, N. Koide, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett., 71, 2572 (1997)
H. Amano, N. Watanabe, N. Koide, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 32, L1000 (1993)
Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE, 4996, 113 (2003)
Л.Е. Воробьев, Л.Е. Голуб, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Оптические явления в полупроводниковых квантово-размерных структурах (СПб., изд-во СПбГТУ, 2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель