Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Прыжковая varepsilon2-проводимость легированных бором пленок a-Si : H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 6 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.
Показано, что высокотемпературный отжиг в потоке водорода приводит к существенному изменению температурной зависимости проводимости легированных бором и нелегированных пленок a-Si : H. Для отожженных легированных пленок, наряду с зонным вкладом и вкладом прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка, в области промежуточных температур обнаружена varepsilon2-проводимость, связываемая с прыжковой проводимостью по локализованным состояниям вблизи края валентной зоны. Возможность появления varepsilon2-проводимости обусловлена возрастанием концентрации электрически активных атомов бора и существенным изменением положения уровня Ферми при высокотемпературном отжиге легированных пленок в атмосфере водорода. Измеренные параметры varepsilon2-проводимости позволили определить размер области неэкспоненциального спада плотности локализованных состояний вблизи валентной зоны. PACS: 72.20.Ee, 73.61.Jc, 81.05.Gc
- D.L. Staebler, J.I. Pankov. Appl. Phys. Lett., 37, 609 (1980)
- G.D. Cody, B. Abeles, B. Brooks, P. Persans, C. Roxlo, A. Ruppert, C. Wronski. J. Non-Cryst. Sol., 59, 325 (1983)
- R. Tsu, J.G. Hernander, F.H. Pollak. J. Non-Cryst. Sol., 66, 109 (1984)
- S. Mitra, K.K. Gleason, H. Jia, J. Shinar. Phys. Rev. B, 48, 2175 (1993)
- И.А. Курова, А.Н. Лупачева, Н.В. Мелешко, Э.В. Ларина. ФТП, 28, 1092 (1994)
- И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских. ФТТ, 35, 367 (2001)
- А.И. Машин, А.Ф. Хохлов. ФТП, 33, 1434 (1999)
- H. Overhof, W. Beyer. Phil. Mag. B, 47, 377 (1983)
- J. Kakalios, R.A. Street. Phys. Rev. B, 34, 6014 (1986)
- А.Г. Забродский. ФТП, 11, 595 (1977)
- A.G. Zabrodskii. Phil. Mag. B, 81, 1153 (2001)
- И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Изд-во МГУ, 1984)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводиков (М., Наука, 1979)
- R.H. Klazes, M.H.L.M. van den Broek, J. Bezemer, S. Radelaar. Phil. Mag. B, 45, 377 (1982)
- J.C. Bruyere, A. Deneuville, A. Mini, J. Fontenille, R. Danielou. J. Appl. Phys., 51, 2199 (1980).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
