"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Прыжковая varepsilon2-проводимость легированных бором пленок a-Si : H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде
Звягин И.П.1, Курова И.А.1, Нальгиева М.А.1, Ормонт Н.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 6 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

Показано, что высокотемпературный отжиг в потоке водорода приводит к существенному изменению температурной зависимости проводимости легированных бором и нелегированных пленок a-Si : H. Для отожженных легированных пленок, наряду с зонным вкладом и вкладом прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка, в области промежуточных температур обнаружена varepsilon2-проводимость, связываемая с прыжковой проводимостью по локализованным состояниям вблизи края валентной зоны. Возможность появления varepsilon2-проводимости обусловлена возрастанием концентрации электрически активных атомов бора и существенным изменением положения уровня Ферми при высокотемпературном отжиге легированных пленок в атмосфере водорода. Измеренные параметры varepsilon2-проводимости позволили определить размер области неэкспоненциального спада плотности локализованных состояний вблизи валентной зоны. PACS: 72.20.Ee, 73.61.Jc, 81.05.Gc
  1. D.L. Staebler, J.I. Pankov. Appl. Phys. Lett., 37, 609 (1980)
  2. G.D. Cody, B. Abeles, B. Brooks, P. Persans, C. Roxlo, A. Ruppert, C. Wronski. J. Non-Cryst. Sol., 59, 325 (1983)
  3. R. Tsu, J.G. Hernander, F.H. Pollak. J. Non-Cryst. Sol., 66, 109 (1984)
  4. S. Mitra, K.K. Gleason, H. Jia, J. Shinar. Phys. Rev. B, 48, 2175 (1993)
  5. И.А. Курова, А.Н. Лупачева, Н.В. Мелешко, Э.В. Ларина. ФТП, 28, 1092 (1994)
  6. И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских. ФТТ, 35, 367 (2001)
  7. А.И. Машин, А.Ф. Хохлов. ФТП, 33, 1434 (1999)
  8. H. Overhof, W. Beyer. Phil. Mag. B, 47, 377 (1983)
  9. J. Kakalios, R.A. Street. Phys. Rev. B, 34, 6014 (1986)
  10. А.Г. Забродский. ФТП, 11, 595 (1977)
  11. A.G. Zabrodskii. Phil. Mag. B, 81, 1153 (2001)
  12. И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Изд-во МГУ, 1984)
  13. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводиков (М., Наука, 1979)
  14. R.H. Klazes, M.H.L.M. van den Broek, J. Bezemer, S. Radelaar. Phil. Mag. B, 45, 377 (1982)
  15. J.C. Bruyere, A. Deneuville, A. Mini, J. Fontenille, R. Danielou. J. Appl. Phys., 51, 2199 (1980).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.