Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние свойств структурированной поверхности подложки на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование Монте-Карло)

Манцурова C.В.^1,2, Спирина А.А.¹, Шварц Н.Л.^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia

Email: snezhana@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 5 декабря 2024 г.

В окончательной редакции: 6 декабря 2024 г.

Принята к печати: 6 декабря 2024 г.

Выставление онлайн: 7 января 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано моделирование методом Монте-Карло самокаталитического роста планарных нанопроволок GaAs по механизму пар-жидкость-кристалл на подложках GaAs, покрытых структурированной пленкой-маской. Под структурированной пленкой-маской подразумевается слой со свойствами оксида кремния с заранее заданной геометрией в виде канавок разной глубины, ширины и скважности. Проведен анализ влияния свойств структурированной пленки-маски на характер роста и морфологию планарных нанопроволок GaAs. Выявлен диапазон интенсивностей потоков галлия и мышьяка, в котором наблюдался стабильный рост планарных нанопроволок GaAs. Найдены условия перехода от роста по механизму пар-жидкость-кристалл к росту планарной нанопроволоки без капли, что позволяет получить бездефектные нанопроволоки по всей длине канавки. Ключевые слова: планарные нанопроволоки, GaAs, структурированная поверхность, моделирование, Монте-Карло.

Y. Sun, T. Dong, L. Yu, J. Xu, K. Chen. Adv. Mater., 32 (27), 1903945 (2020)
S.A. Fortuna, J. Wen, I.S. Chun, X. Li. Nano Lett., 8 (12), 4421 (2008)
S.A. Fortuna, X.Li. IEEE Electron Dev. Lett., 30 (6), 593 (2009)
C. Zhang, X. Li. Solid State Electron., 93, 40 (2014)
X. Miao, C. Zhang, X. Li. Nano Lett., 13 (6), 2548 (2013)
B.R. Borodin, P.A. Alekseev, V. Khayrudinov, E. Ubyivovk, Y. Berdnikov, N. Sibirev, H. Lipsanen. Cryst. Eng. Commun., 25 (9), 1374 (2023)
E. Oksenberg, S. Marti-Saanchez, R. Popovitz-Biro, J. Arbiol, E. Joselevich. ACS Nano, 11 (6), 6155 (2017)
P. Aseev, A. Fursina, F. Boekhout, F. Krizek, J.E. Sestoft, F. Borsoi, S. Heedt, G. Wang, L. Binci, S. Marti-Sanchez, T. Swoboda, R. Koops, E. Uccelli, J. Arbiol, P. Krogstrup, L.P. Kouwenhoven, P. Caroff. Nano Lett., 19 (1), 218 (2019)
S. Breuer, C. Pfuller, T. Flissikowski, O. Brandt, H. T. Grahn, L. Geelhaar, H. Riechert. Nano Lett., 11 (3), 1276 (2011)
A. Fontcuberta i Morral, C. Colombo, G. Abstreiter, J. Arbiol, J.R. Morante. Appl. Phys. Lett., 92 (6), 063112 (2008)
F. Bastiman, H. Kupers, C. Somaschini, L. Geelhaar. Nanotechnology, 27 (9), 095601 (2016)
R.S. Dowdy, D.A. Walko, X.Li. Nanotechnology, 24 (3), 035304 (2013)
A.A. Spirina, N.L. Shwartz. J. Cryst. Growth, 632, 127631 (2024)
R.Ben-Zvi, H. Burrows, M. Schvartzman, O. Bitton, I. Pinkas, I. Kaplan-Ashiri, O. Brontvein, E. Joselevich. ACS Nano, 13 (5), 5572 (2019)
Y. Berdnikov, N. Sibirev, V. Khayrudinov, A. Alaferdov, S. Moshkalev, E. Ubyivovk, H. Lipsanen, A. Bouravleuv. CrystEngComm, 21 (41), 6165 (2019)
F. Matteini, G. Tutuncuoglu, H. Potts, F. Jabeen, A. Fontcuberta i Morral. Cryst. Growth Des., 15 (7), 3105 (2015)
F. Matteini, G. Tutuncuoglu, D. Mikulik, J. Vukajlovic-Plestina, H. Potts, J.B. Leran, W.C. Carter, A. Fontcuberta i Morral. Crys. Growth Des., 16 (10), 5781 (2016)
M. Heib, E. Riedlberger, D. Spirkoska, M. Bichler, G. Abstreiter, A. Fontcuberta i Morral. J. Cryst. Growth, 310 (6), 1049 (2008)
A. Rothman, V.G. Dubrovskii, E. Joselevich. Proc. Natl. Acad. Sci. (PNAS), 117 (1), 152 (2020)
А.Н. Карпов, А.В. Зверев, А.Г. Настовьяк, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Вычислит. методы и программир., 15 (3), 388 (2014)
A.A. Spirina, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Semiconductors, 53, 2125 (2019)
L. Fouquat, M. Vettori, C. Botella, A. Benamrouche, J. Penuelas, G. Grenet. J. Cryst. Growth, 514, 83 (2019)
A.A. Spirina, V.L. Alperovich, N.L. Shwartz. Appl. Surf. Sci., 540, 148281 (2021)
А.А. Спирина, Н.Л. Шварц. ФТП, 54 (2), 160 (2020)
N. Morgan, V.G. Dubrovskii, A.K. Stief, D. Dede, M. Sangle-Ferri\`ere, A. Rudra, V. Piazza, A. Fontcuberta i Morral. Cryst. Growth Des., 23 (7), 5083 (2023)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель