"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронный обмен между нейтральными и ионизованными центрами германия в PbSe
Теруков И.Е.1, Хужакулов Э.С.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Ташкентский областной государственный педагогический институт, Ангрен, Узбекистан
Поступила в редакцию: 12 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта 73Ge, образующегося в анионной подрешетке PbSe после радиоактивного превращения 73As, не зависит от положения уровня Ферми. В противоположность этому центр 73Ge в катионной подрешетке PbSe представляет собой электрически активную примесь замещения: в электронных образцах спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра (Ge2+), а в дырочных - двукратно ионизованному состоянию (Ge4+) этого центра. Для частично компенсированных образцов обнаружен быстрый электронный обмен между нейтральными и ионизованными донорными центрами.
  1. S.A. Nemov, R.V. Parfeniev, D.V. Shamshur, P.P. Konstantinov, M.O. Safonchik, D.I. Popov, J. Stepien-Damm, D. Kaczorowski. Physica C, 333, 31 (2000)
  2. С.А. Немов, Ю.И. Равич. УФН, 168, 817 (1998)
  3. N.P. Seregin, P.P. Seregin, S.A. Nemov, A.Yu. Yanvareva. J. Phys.: Condens. Matter, 15, 7591 (2003)
  4. С.И. Бондаревский, В.В. Еремин, Н.П. Серегин. Тр. межд. конф. " Экологические проблемы и пути их решения в XXI веке: образование, наука, техника" (СПб., Россия, 2000) с. 82

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.