"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Удаление фторполимерных загрязнений с поверхности кремниевых структур при обработке в потоке атомарного водорода
Анищенко Е.В.1, Кагадей В.А.1, Нефёдцев Е.В.2, Проскуровский Д.И.2, Романенко С.В.2
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
2Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 4 января 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

Исследована возможность эффективного удаления фторполимерных загрязнений с поверхности Si-структур с помощью обработки в потоке атомарного водорода. Установлено, что обработка образцов в направленном потоке атомарного водорода с плотностью 2·1015 ат. см-2с-1 при температуре 20-100oC приводит к уменьшению концентрации фторуглеродных загрязнений и, в частности, CF на 5 порядков величины. Удаление фторуглеродных загрязнений осуществляется как с планарной поверхности Si-структур, так и с боковых стенок и со дна контактных отверстий диаметром от 0.3-0.25 мкм и глубиной 0.9 мкм, вскрытых с помощью реактивно-ионного травления в слое SiO2. Время обработки 2 мин достаточно для полного удаления фторполимерных загрязнений. Данный процесс "сухой" очистки может быть рекомендован для применения в технологии изготовления микросхем с межслоевым диэлектриком с низкой диэлектрической проницаемостью.
  1. N.H. Hendricks. Sol. St. Technol., 3, 31 (2003)
  2. M. Uhlig, A. Bertz, M. Rennau, S.E. Schulz, T. Werner, T. Gessner. Microelectronic Engin., 50, 7 (2000).
  3. P.T. Liu. T.C. Chang, S.M. Sze, F.M. Pan, Y.J. Mei, W.F. Wu, M.S. Tsai, B.T. Dai, C.Y. Chang, F.Y. Shih, H.D. Huang. Thin Sol. Films, 332, 345 (1998)
  4. J.R. Hu, W. Uesato, P. Schoenborn. Proc. AVS First Int. Conf. on Microelectronics and Interfaces (http://www.ulvac.com/pdf/lsilowk.pdf) February 2000
  5. L. Peters. Semicond. International, 25 (12), 57 (2002)
  6. M. Delfino, S. Salimian, D. Hodul. J. Appl. Phys., 70 (3), 1712 (1991)
  7. A.E. Braun. Semicond. International, 22 (11), 44 (1999)
  8. D.J. Mount, L.B. Rothman, R.J. Robey, M.K. Ali. Sol. St. Technol., 6, 103 (2002)
  9. Seung-Hyun Lim, Jin-Won Park, Hwan-Kuk Yuh, Euijoon Yoon, Sang In Lee. J. Korean Phys. Soc., 33 (11), S108 (1998)
  10. V.A. Kagadei, D.I. Proskurovski. J. Vac. Sci. Technol. A, 16 (4), 2556 (1998)
  11. E. Arnold, M.I. Lomaev, V.S. Skakun, V.F. Tarasenko, A.N. Tkachev, D.V. Shitts, S.I. Yakovlenko. Laser Phys., 12 (5), 1 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.