"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция кремниевых нанокристаллов под действием электрического поля
Вандышев Е.Н.1, Гилинский А.М.1, Шамирзаев Т.С.1, Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

Исследовано влияние электрического поля на фотолюминесценцию кремниевых нанокристаллов, сформированных в оксиде кремния методом ионной имплантации с последующим отжигом. Обнаружено, что приложение электрического поля приводит к возрастанию интенсивности фотолюминесценции нанокристаллов при низких температурах на величину до 10% при напряженности поля 12 кВ / см и ее понижению при температурах свыше 20 K. Возгорание экситонной фотолюминесценции нанокристаллов под действием электрического поля противоречит модели рекомбинации размерно-квантованных экситонов в нанокристаллах и описывается в рамках модели рекомбинации автолокализованных экситонов, формирующихся на границе нанокристалл кремния--оксид кремния.
  1. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  2. P. Photopoulos, A.G. Nassiopoulou, D.N. Kouvatsos, A. Travlos. Appl. Phys. Lett., 76, 3588 (2000)
  3. М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин, С.А. Аржанникова, С.В. Горяйнов, А.И. Корчагин, В.В. Черепков, А.В. Лаврухин, С.Н. Фадеев, Р.А. Салимов, С.П. Бардаханов. Письма ЖЭТФ, 80 (8), 619 (2004)
  4. P. Muttia, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
  5. Y. Kanemitsu. Phys. Rev. B, 49, 16 845 (1994)
  6. V. Vinciguerra, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona, C. Spinella. J. Appl. Phys., 87, 8165 (2000)
  7. K.S. Zhuravlev, I.E. Tsychenko, E.N. Vandyshev, N.V. Bulytova, A. Misiuk, L. Rebohle, W. Skorupa. Acta Phys. Polon. A, 102, 337 (2002)
  8. К.С. Журавлев, А.М. Гилинский, А.В. Царев, А.Е. Николаенко. ФТП, 35, 932 (2001)
  9. К.С. Журавлев, А.Ю. Кобицкий. ФТП, 34, 1254 (2000)
  10. A.Yu. Kobitsky, K.S. Zhuravlev, H.P. Wagner, D.R.T. Zahn. Phys. Rev. B, 63, 115 423 (2001)
  11. C. Rocke, A.O. Govorov, A. Wixforth, G. Bohm, G. Weimann. Phys. Rev. B, 57, 6850 (1998)
  12. K.S. Zhuravlev, D.V. Petrov, Yu.B. Bolkhovityanov, N.S. Rudaja. Appl. Phys. Lett., 70, 3389 (1997)
  13. G.W. Wen, J.Y. Lin, H.X. Jiang, Z. Chen. Phys. Rev. B, 52, 5913 (1995)
  14. U. Woggon, S.V. Bogdanov, O. Wind, V. Sperling. J. Cryst. Growth, 138, 976 (1994)
  15. M. Sugisaki, H.-W. Ren, S.V. Nair, K. Nishi, Y. Masumoto. Phys. Rev. B, 66, 235 309 (2002)
  16. P.D.J. Calcott, K.J. Nash, L.T. Canham, M.J. Kane, D. Brumhead. J. Phys.: Condens Matter, 5, L91 (1993)
  17. H. Heckler, D. Kovalev, G. Polisski, N.N. Zinov'ev, F. Koch. Phys. Rev. B, 60, 7718 (1999)
  18. A. Nollau, M. Hoffmann, T. Fritz, K. Leo. Thin Sol. Films. 368, 130 (2000)
  19. S. Tasch, G. Kranzelbinder, G. Leising, U. Scherf. Phys. Rev. B, 55, 5079 (1997)
  20. J. Kalinowski, W. Stampor, J. Myk, M. Cocchi, D. Virgili, V. Fattori, P. Di Marco. Phys. Rev. B, 66, 235 321 (2002)
  21. L.C. Lin, H.F. Meng, J.T. Shy, S.F. Horng, L.S. Yu, C.H. Chen, H.H. Liaw, C.C. Huang, K.Y. Peng, S.A. Chen. Phys. Rev. Lett., 90, 036 601 (2003)
  22. G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett., 76, 2961 (1996)
  23. С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39, 1905 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.