Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценция кремниевых нанокристаллов под действием электрического поля
Вандышев Е.Н.1, Гилинский А.М.1, Шамирзаев Т.С.1, Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 10 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.
Исследовано влияние электрического поля на фотолюминесценцию кремниевых нанокристаллов, сформированных в оксиде кремния методом ионной имплантации с последующим отжигом. Обнаружено, что приложение электрического поля приводит к возрастанию интенсивности фотолюминесценции нанокристаллов при низких температурах на величину до 10% при напряженности поля 12 кВ / см и ее понижению при температурах свыше 20 K. Возгорание экситонной фотолюминесценции нанокристаллов под действием электрического поля противоречит модели рекомбинации размерно-квантованных экситонов в нанокристаллах и описывается в рамках модели рекомбинации автолокализованных экситонов, формирующихся на границе нанокристалл кремния-оксид кремния.
- A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
- P. Photopoulos, A.G. Nassiopoulou, D.N. Kouvatsos, A. Travlos. Appl. Phys. Lett., 76, 3588 (2000)
- М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин, С.А. Аржанникова, С.В. Горяйнов, А.И. Корчагин, В.В. Черепков, А.В. Лаврухин, С.Н. Фадеев, Р.А. Салимов, С.П. Бардаханов. Письма ЖЭТФ, 80 (8), 619 (2004)
- P. Muttia, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
- Y. Kanemitsu. Phys. Rev. B, 49, 16 845 (1994)
- V. Vinciguerra, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona, C. Spinella. J. Appl. Phys., 87, 8165 (2000)
- K.S. Zhuravlev, I.E. Tsychenko, E.N. Vandyshev, N.V. Bulytova, A. Misiuk, L. Rebohle, W. Skorupa. Acta Phys. Polon. A, 102, 337 (2002)
- К.С. Журавлев, А.М. Гилинский, А.В. Царев, А.Е. Николаенко. ФТП, 35, 932 (2001)
- К.С. Журавлев, А.Ю. Кобицкий. ФТП, 34, 1254 (2000)
- A.Yu. Kobitsky, K.S. Zhuravlev, H.P. Wagner, D.R.T. Zahn. Phys. Rev. B, 63, 115 423 (2001)
- C. Rocke, A.O. Govorov, A. Wixforth, G. Bohm, G. Weimann. Phys. Rev. B, 57, 6850 (1998)
- K.S. Zhuravlev, D.V. Petrov, Yu.B. Bolkhovityanov, N.S. Rudaja. Appl. Phys. Lett., 70, 3389 (1997)
- G.W. Wen, J.Y. Lin, H.X. Jiang, Z. Chen. Phys. Rev. B, 52, 5913 (1995)
- U. Woggon, S.V. Bogdanov, O. Wind, V. Sperling. J. Cryst. Growth, 138, 976 (1994)
- M. Sugisaki, H.-W. Ren, S.V. Nair, K. Nishi, Y. Masumoto. Phys. Rev. B, 66, 235 309 (2002)
- P.D.J. Calcott, K.J. Nash, L.T. Canham, M.J. Kane, D. Brumhead. J. Phys.: Condens Matter, 5, L91 (1993)
- H. Heckler, D. Kovalev, G. Polisski, N.N. Zinov'ev, F. Koch. Phys. Rev. B, 60, 7718 (1999)
- A. Nollau, M. Hoffmann, T. Fritz, K. Leo. Thin Sol. Films. 368, 130 (2000)
- S. Tasch, G. Kranzelbinder, G. Leising, U. Scherf. Phys. Rev. B, 55, 5079 (1997)
- J. Kalinowski, W. Stampor, J. Myk, M. Cocchi, D. Virgili, V. Fattori, P. Di Marco. Phys. Rev. B, 66, 235 321 (2002)
- L.C. Lin, H.F. Meng, J.T. Shy, S.F. Horng, L.S. Yu, C.H. Chen, H.H. Liaw, C.C. Huang, K.Y. Peng, S.A. Chen. Phys. Rev. Lett., 90, 036 601 (2003)
- G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett., 76, 2961 (1996)
- С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39, 1905 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
