Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурная зависимость скорости удаления носителей в 4H-SiC
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда , № 22-12-00003.
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergei_davydov@mail.ru, davidovskaya.klava@mail.ioffe.ru, kozlovski@physics.spbstu.ru, shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 1 августа 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 16 декабря 2024 г.
Рассмотрена температурная зависимость скорости удаления носителей в политипе 4H-SiC при его облучении электронами с энергией 0.9 МэВ и протонами с энергией 15 МэВ. Обнаружено, что эта зависимость носит экспоненциальный характер с энергиями активации 49-76 мэВ. Показано, что данные величины близки к энергиям акустических фононов в SiC. Высказано предположение, что акустические фононы могут стимулировать процесс отжига радиационных дефектов. Ключевые слова: SiC, облучение электронами и протонами, аннигиляция структурных дефектов. акустические фононы.
- А.А. Лебедев, П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Е.Н. Мохов, С.С. Нагалюк, А.Н. Анисимов, П.Г. Баранов. УФН, 189, 803 (2019)
- Е.В. Калинина. ФТП, 41, 769 (2007)
- A. Lebedev, V.V. Kozlovski, K.S. Davydovskaya, M.E. Levinshtein. Materials, 14, 4976 (2021)
- В.В. Козловский, А.Э. Васильев, К.С. Давыдовская, А.A. Лебедев. Поверхность, N 2, 1 (2019)
- А.A. Лебедев, В.В. Козловский, М.Е. Левинштейн, Д.А. Малевский, Г.А. Оганесян, А.М. Стрельчук, К.С. Давыдовская. ФТП, 56, 441 (2022)
- D.V.Lang. Review of Radiation --- Induced Defects in III-V Compounds. In: Radiation Effects in Semiconductors (London, Institute of Physics, 1977) p. 70
- V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015)
- J. Coutinho. Crystals, 11, 167 (2021)
- M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (еds). Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley\& Sons, Inc., N. Y., 2001)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводника. (Изд-во "ПИЯФ им. Б.П. Константинова РАН", СПб., 1997)
- М. Ланно, Ж. Бургуэн. Точечные дефекты в полупроводниках (М., Мир, 1984)
- И.С. Градштейн, И.М. Рыжик. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений (М., Наука, 1971)
- С.Ю. Давыдов. ФТТ, 41, 11 (1999)
- С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. ФТТ, 57, 819 (2015)
- Дж. Займан. Принципы теории твердого тела (М., Мир, 1974)
- M. Bockstedte, A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. B, 68, 205201 (2003)
- M. Bockstedte, A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. B, 69, 235202 (2004)
- C.N. Henry, D.V. Lang. Phys. Rev. B, 15, 989 (1977)
- J.B. Wallace, L.B.B. Aji, A.A. Martin, S.J. Shin, L. Shao. Sci. Rep., 7, 39754 (2017)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
