Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 9 » Статья стр. 474
<<<>>>
HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10\=11) слоев на темплейте AlN/Si(100)
Российский научный фонд, Конкурс 2023 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами», 24-22-00392
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Орлова Т.А.1, Сокура Л.А.1,2, Соломникова А.В.3, Шарофидинов Ш.Ш.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: sokuraliliy@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 28 августа 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 16 декабря 2024 г.
PDF версия
Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология полуполярных слоев AlN(10=11), выращенных методом HVPE на темплейте AlN/Si(100) толщиной 20 нм, сформированном методом MOCVD на наноструктурированной подложке кремния. Среднее значение шероховатости для полуполярных слоев AlN(10=11) составило 36 нм для слоев толщиной 5 мкм, с FWHM (ω-геометрия) около 2.5o. Показано, что такой комбинированный подход к эпитаксии AlN на наноструктурированной подложке Si(100) приводит к получению более гладких эпитаксиальных слоев. Ключевые слова: нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, газофазная эпитаксия.
  1. R. Rounds, B. Sarkar, A. Klump, C. Hartmann, T. Nagashima, R. Kirste. Appl. Phys. Express, 11 (7), 071001 (2018). DOI: 10.7567/APEX.11.071001
  2. H. Yamashita, K. Fukui, S. Misawa, S. Yoshida. J. Appl. Phys., 50, 896 (1979). DOI: 10.1063/1.326007
  3. D. Khachariya, S. Mita, P. Reddy, S. Dangi, J.H. Dycus, P. Bagheri, M.H. Breckenridge, R. Sengupta, Sh. Rathkanthiwar, R. Kirste, E. Kohn, Z. Sitar, R. Collazo, S. Pavlidis. Appl. Phys. Lett., 120, 172106 (2022). DOI: 10.1063/5.0083966
  4. A. Krost, A. Dadgar. Mater. Sci. Eng. B, 93 (1-3), 77 (2002). DOI: 10.1016/S0921-5107(02)00043-0
  5. Y. Zhang, H. Long, J. Zhang, B. Tan, Q. Chen, S. Zhang, M. Shan, Z. Zheng, J. Dai, C. Chen. CrystEngComm, 21, 4072 (2019). DOI: 10.1039/C9CE00589G
  6. L. Huang, Y. Li, W. Wang, X. Li, Y. Zheng, H. Wang, Z. Zhang, G. Li. Appl. Surf. Sci., 435, 163 (2018). DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.11.002
  7. H. Masui, S. Nakamura, S.P. DenBaars, U.K. Mishra. IEEE Trans. Electron. Dev., 57, 88 (2010). DOI: 10.1109/TED.2009.2033773
  8. T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 39, 413 (2000). DOI: 10.1143/JJAP.39.413
  9. A.E. Romanov, T.J. Baker, S. Nakamura, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 100, 023522 (2006). DOI: 10.1063/1.2218385
  10. A.M. Smirnov, E.C. Young, V.E. Bougrov, J.S. Speck, A.E. Romanov. J. Appl. Phys., 126, 245104 (2019). DOI: 10.1063/1.5126195
  11. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, В.Н. Пантелеев. ЖТФ, 90 (12), 2123 (2020). DOI: 10.21883/JTF.2020.12.50130.98-20
  12. Z.-Z. Zhang, J. Yang, D.-G. Zhao, F. Liang, P. Chen, Z.-S. Liu. Chin. Phys. B, 32, 028101 (2023). DOI: 10.1088/1674-1056/ac6b2b
  13. A. Bardhan, S. Raghavan. J. Cryst. Growth, 578, 126418 (2022). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126418
  14. B.T. Tran, H. Hirayama, N. Maeda, M. Jo, S. Toyoda, N. Kamata. Sci. Rep., 5, 14734 (2015). DOI: 10.1038/srep14734
  15. J. Shen, X. Yang, D. Liu, Z. Cai, L. Wei, N. Xie, F. Xu, N. Tang, X. Wang, W. Ge, B. Shen. Appl. Phys. Lett., 117, 022103 (2020). DOI: 10.1063/5.0010285
  16. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова. ЖТФ, 93 (9), 1235 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.09.56211.31-23
  17. S. Naritsuka, T. Kondo, H. Otsubo, K. Saitoh, Y. Yamamoto, T. Maruyama. J. Cryst. Growth, 300 (1), 118 (2007). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.002
  18. В.Н. Бессолов, В.М. Ботнарюк, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Н.К. Полетаев, С.Д. Раевский, С.Н. Родин, С.Л. Смирнов, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, H.S. Park, M. Koike. Письма ЖТФ, 32 (15), 60 (2006)
  19. M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, S.I. Troshkov, A.F. Tsatsulnikov, V.G. Dubrovskii. Phys. Status Solidi A, 212 (4), 1 (2015). DOI: 10.1002/pssa.201431912
  20. C. Tholander, B. Alling, F. Tasnadi, J.E. Greene, L. Hultman. Surf. Sci., 630, 28 (2014). DOI: 10.1016/j.susc.2014.06.010
  21. D. Tzeli, I.D. Petsalakis, G. Theodorakopoulos. J. Phys. Chem. C, 113, 13924 (2009)
  22. V. Jindal, F. Shahedipour-Sandvik. J. Appl. Phys., 105, 084902 (2009). DOI: 10.1063/1.3106164

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme