Исследованы высоковольтные GaAs p⁺-p⁰-i-n⁰-n⁺-диоды, изготовленные методом жидкофазной эпитаксии в среде водорода, до и после облучения нейтронами с энергией 1 МэВ и флюенсом 2.9·10¹³ см^-2. С использованием методов нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней и контроля динамики обратного восстановления диодов определены основные каналы рекомбинации неосновных носителей в базовых n⁰-слоях GaAs диодов. Обнаружено соответствие значений времени жизни неравновесных носителей заряда, определенных с помощью обоих методов. Выявлено, что дефекты HL2 являются основными рекомбинационными центрами в диодах до облучения, определяя их динамические характеристики и время жизни неосновных носителей заряда в базовых слабо легированных слоях. Установлено, что после облучения нейтронами динамика процессов прямого и обратного переключения определяется рекомбинацией через глубокие акцептороподобные D^- состояния трехзарядных центров радиационных дефектных полос. Обнаружено, что в слабо легированных слоях GaAs дефект повреждения, окруженный большим кулоновским барьером, демонстрирует конфигурационную метастабильность, управляемую оптической подсветкой. Ключевые слова: GaAs, нейтронное облучение, емкостная спектроскопия, p⁰-i-n⁰-переход, жидкофазная эпитаксия, обратное восстановление диодов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.