Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фазовый переход β<=> β' с температурным гистерезисом в пленках In2Se3
Russian science foundation, 22-72-10124
Пономарев С.А.
1,2, Курусь Н.Н.1, Голяшов В.А.1, Миронов А.Ю.1, Рогило Д.И.1, Милехин А.Г.1, Щеглов Д.В.1, Латышев А.В.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: ponomarev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 26 сентября 2024 г.
Принята к печати: 26 сентября 2024 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2024 г.
Измерены температурные зависимости спектров комбинационного рассеяния света для пленки In2Se3 в процессе охлаждения до температуры жидкого азота и последующего нагрева до комнатной температуры. Спектры комбинационного рассеяния света демонстрируют изменения, соответствующие обратимому фазовому переходу β-In2Se_3<=>β'-In2Se3 с гистерезисом в диапазоне 140-180 K, обнаруженному ранее по изменению атомной структуры поверхности и сопротивления пленки в 104 раз. Методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением зарегистрированы изменения зонной структуры пленки, соответствующие данному фазовому переходу. Ключевые слова: фазовый переход, In2Se3, гистерезис, ФЭСУР, сопротивление, КРС.
- A.K. Geim, K.S. Novoselov. Nature Materials, 6 (3), 183 (2007)
- K.S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T.J. Booth, V.V. Khotkevich, S.V. Morozov, A.K. Geim. Proc. Natl. Acad. Sci., 102 (30), 10451 (2005)
- A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature, 499 (7459), 419 (2013)
- K. Zhang, T. Zhang, J. You, X. Zheng, M. Zhao, L. Zhang, J. Kong, Z. Luo, S. Huang. Small, 20 (19), 2307587 (2024)
- A. Giri, G. Park, U. Jeong. Chem. Rev., 123 (7), 3329 (2023)
- S. Vishwanath, X. Liu, S. Rouvimov, L. Basile, N. Lu, A. Azcatl, K. Magno, R. Wallace, M. Kim, J. Idrobo, J. Furdyna, D. Jena, H. Xing. J. Mater. Res., 31 (7), 900 (2016)
- Z. Yang, J. Hao. Adv. Mater. Technol., 4 (8), 1900108 (2019)
- W. Zheng, T. Xie, Y. Zhou, Y. Chen, W. Jiang, S. Zhao, J. Wu, Y. Jing, Y. Wu, G. Chen, Y. Guo, J. Yin, S. Huang, H. Xu, Z. Liu, H. Peng. Nature Commun., 6, 6972 (2015)
- F. Xia, H. Wang, D. Xiao, M. Dubey, A. Ramasubramaniam. Nature Photonics, 8 (12), 899 (2014)
- W. Liao, Y. Huang, H. Wang, H. Zhang. Appl. Mater. Today, 16, 435 (2019)
- W. Li, F.P. Sabino, F. Crasto de Lima, T. Wang, R.H. Miwa, A. Janotti. Phys. Rev. B, 98 (16), 165134 (2018)
- J. Li, H. Li, X. Niu, Z. Wang. ACS Nano, 15 (12), 18683 (2021)
- X. Tao, Y. Gu. Nano Lett., 13 (8), 3501 (2013)
- F. Zhang, Z. Wang, J. Dong, A. Nie, J. Xiang, W. Zhu, Z. Liu, C. Tao. ACS Nano, 13 (7), 8004 (2019)
- C. Julien, M. Eddrief, M. Balkanski, E. Hatzikraniotis, K. Kambas. Phys. Status Solidi, 88 (2), 687 (1985)
- H. Li, J. Luo, J. Zhang, X. Shi. J. Phys. Chem. C, 127 (46), 22510 (2023)
- J. Igo, M. Gabel, Z. Yu, L. Yang, Y. Gu. ACS Appl. Nano Mater., 2 (10), 6774 (2019)
- J.L. Collins, C. Wang, A. Tadich, Y. Yin, C. Zheng, J. Hellerstedt, A. Grubisic-Cabo, X. Tang, S. Mo, J. Riley, E. Huwald, N. Medhekar, M. Fuhrer, M. Edmonds. ACS Appl. Electron. Mater., 2 (1), 213 (2020)
- Q. Meng, F. Yu, G. Liu, J. Zong, Q. Tian, K. Wang, X. Qiu, C. Wang, X. Xi, Y. Zhang. Nanomaterials, 13 (9), 1533 (2023)
- S. Ponomarev, D. Rogilo, A. Mironov, D. Sheglov, A. Latyshev. 2021 IEEE 22nd Int. Conf. of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), 2021 (18), 50 (2021)
- J. Liang, H. Jin, J. Zhang, X. Chen. J. Phys.: Conf. Ser., 1622 (1), 4 (2020)
- A.V. Latyshev, L.I. Fedina, D.I. Rogilo, S.V. Sitnikov, S.S. Kosolobov. Atomically Controlled Silicon Surface (Parallel, Novosibirsk, 2016). ISBN978-5-98901-188-9,-0
- D.I. Rogilo, L.I. Fedina, S.A. Ponomarev, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev. J. Cryst. Growth, 529, 125273 (2020)
- S.A. Ponomarev, D.I. Rogilo, A.S. Petrov, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev. Optoelectron. Instrum. Data Process., 56 (5), 449 (2020)
- A.V. Zotov, A.A. Saranin, O. Kubo, T. Harada, M. Katayama, K. Oura. Appl. Surf. Sci., 159-160, 237 (2000)
- B. Thomas. Appl. Phys. A: Solids Surf., 54 (3), 293 (1992)
- S.A. Ponomarev, K.E. Zakhozhev, D.I. Rogilo, A.K. Gutakovsky, N.N. Kurus, K.A. Kokh, D.V. Sheglov, A.G. Milekhin, A.V. Latyshev. J. Cryst. Growth, 631, 127615 (2024)
- D. Dragoni. Phys. Rev. B, 106 (19), 1 (2022)
- L. Liu, J. Dong, J. Huang, L. Liu, J. Dong, J. Huang, A. Nie, K. Zhai, J. Xiang, B. Wang, F. Wen, C. Mu, Z. Zhao, Y. Gong, Y. Tian, Z. Liu. Chem. Mater., 31 (24), 10143 (2019)
- P. Zhang, P. Richard, T. Qian, Y.-M. Xu, X. Dai, H. Ding. Rev. Sci. Instrum., 82 (4), 043712 (2011)
- Z. Lu, G.P. Neupane, G. Jia, H. Zhao, D. Qi, Y. Du, Y. Lu, Z. Yin. Adv. Funct. Mater., 30 (40), 1 (2020).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
