Вышедшие номера
Механизм излучательной рекомбинации в твердых растворах Si--Ge в области межзонных переходов
Емельянов А.М.1, Соболев Н.А.1, Мельникова Т.М.2, Абросимов Н.В.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2АО "НПО Орион", Москва, Россия
3Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 10 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

При T=82 и 300 K в области межзонных переходов исследована электролюминесценция в Si-Ge-диодах при концентрации Ge в твердом растворе 5.2%. Анализ спектров излучения, линейный характер зависимостей интенсивности электролюминесценции от тока, ее экспоненциальный спад указывают на экситонный механизм излучательной рекомбинации для излучательных переходов как с участием, так и без участия фононов.
  1. T. Stoica, L. Vescan. Semicond. Sci. Technol., 18, 409 (2003)
  2. А.М. Емельянов. Письма ЖТФ, 30 (22), 75 (2004)
  3. D.J. Robbins, L.T. Canham, S.J. Barnett, A.D. Pitt, P. Calcott. J. Appl. Phys., 71, 1407 (1992)
  4. J. Weber, M.I. Alonso. Phys. Rev. B, 40, 5683 (1989)
  5. T. Stoica, L. Vescan, M. Goryll. J. Appl. Phys., 83, 3367 (1998)
  6. T. Stoica, L. Vescan, A. Muck, B. Hollader, G. Schope. Physica E, 16, 359 (2003)
  7. B. Lax, T. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  8. R. Braunstein, A.R. Moor, F. Herman. Phys. Rev., 109, 695 (1958)
  9. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1979)
  10. А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев, Т.М. Мельникова. ФТП, 38, 634 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.