Структуры полупроводник-диэлектрик в фотомишенях видиконов, чувствительных в средней инфракрасной области спектра
Ковтонюк Н.Ф.1, Мисник В.П.1, Соколов А.В.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт Комета", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.
Рассмотрена кинетика электронных процессов в фотомишенях видиконов на основе структур полупроводник-диэлектрик из узкозонных полупроводников с учетом стекания заряда в слое диэлектрика и релаксации неравновесной обедненной области в полупроводниковом слое. Приведена оценка времени накопления, пороговой чувствительности, разрешающей способности фотомишеней при различных уровнях входного излучения.
- Н.Ф. Ковтонюк. ЖПС, 26 (1), 162 (1977)
- Н.Ф. Ковтонюк, В.П. Мисник. РЭ, 47 (9), 1145 (2002)
- Справочник по инфракрасной технике, под ред. У. Волф, Г. Циссис (М., Мир, 1999) т. 3
- Н.Ф. Ковтонюк, Г.Н. Савков, Л.И. Ванина. ФТП, 9 (6), 1208 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук