Вышедшие номера
Высокочастотный нелинейный отклик двухъямных наноструктур
Елесин В.Ф.1, Катеев И.Ю.1
1Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 2 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Развита теория нелинейного высокочастотного отклика для двухъямной наноструктуры в постоянном электрическом поле. Такая структура является простейшей на пути от одноямной (резонансно-туннельный диод - РТД) к сверхрешетке с однозонной "штарковской лестницей". В работе с помощью численного решения уравнения Шредингера найден ток поляризации в широком интервале частот и полей (включая сильные поля) для модельных и реальных структур. Показано, что отклик двухъямной наноструктуры значительно превосходит (на 1-2 порядка) отклик резонансно-туннельного диода. Предсказывается новый оптимальный режим генерации, аналогичный режиму в когерентном лазере на межуровневых переходах.