Исследована фотолюминесценция при комнатной температуре в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN, имплантированных ионами эрбия с энергией 1 МэВ и дозой 3·10¹⁵ см^-2 и отожженных в аргоне. Интенсивность фотолюминесценции ионов Er³⁺ в сверхрешетке выше, чем в эпитаксиальном слое при температурах отжига 700-1000^oC. Максимальное различие в интенсивностях для эпитаксиального слоя и сверхрешетки (~2.8 раза) и максимальная интенсивность фотолюминесценции сверхрешетки наблюдаются после отжига при 900^oC. При увеличении температуры отжига до 1050^oC интенсивность излучения, связанного с эрбием, в сверхрешетке существенно уменьшается, что может быть связано с термодеструкцией сверхрешетки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.