Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур на основе пленок Zn2-2xCuxInxSe2, полученных селенизацией
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Гременок В.Ф.3, Зарецкая Е.П.3, Сергеева О.Н.3
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 16 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.
Методом селенизации получены поликристаллические пленки Zn2-2xCuxInxSe2 (ZCIS) p-типа проводимости с толщинами 1-2 мкм. На основе пленок созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/p-ZCIS. Исследованы спектры относительной квантовой эффективности структур, полученных селенизацией исходных пленок ZnSe/(Cu-In) и (Zn-Cu-In). Определена оптическая ширина запрещенной зоны Zn2-2xCuxInxSe2 пленок. Сделаны выводы о перспективах применения полученных пленок в качестве широкополосных фотопреобразователей естественного излучения.
- Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., Изд-во ЛГУ, 1963)
- J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications (Oxford--N.Y.--Toronto--Sidney, Pergamon Press, 1975)
- H.W. Schock, R. Noufi. Progr. Photovolt., 39, 151 (2000)
- U. Rau, H.W. Schock. Series on Photoconversion of Solar Energy, 1, 277 (2001)
- K. Ramanathan, M.A. Contreras, C.L. Perkins, S. Asher, F.A. Hasoon, J. Keane, D. Young, M. Romero, W. Metzger, R. Noufi, J. Ward, A. Duda. Progr. Photovolt. Res. Appl., 11, 225 (2003)
- B.M. Basol, V.K. Kapur. Proc. 21st IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (IEEE, N.Y., 1990) p. 546
- T. Wada, T. Megami, M. Nishitani. Jpn. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 32-2, 41 (1993)
- A. Gupta, T. Ohno, T. Karia, S. Shirakata, S. Isomura. Jpn. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 32-3, 74 (1993)
- В.Ф. Гременок, Е.П. Зарецкая, О.Н. Сергеева, В.Н. Пономарь, В.В. Цыбульский, В.А. Ухов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 7, 45 (2004)
- V.F. Gremenok, W. Schmitz, I.V. Bodnar, K. Bente, Th. Doering, G. Kommichau, I.A. Victorov, A. Eifler, V. Riede. Jpn. J. Appl. Phys., 39, Suppl. 39-1, 277 (2000)
- В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Р.Н. Бекимбетов, В.Ф. Гременок, И.В. Боднарь, Л.В. Русак. ФТП, 34, 576 (2004)
- Powder Diffraction File, Joint Committee on Powder Diffraction Standards, ASTM (Philadelphia, PA, 1998)
- В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 1336 (1997)
- V.Yu. Rud', H.W. Schock. Sol. St. Phenomena, 67/68, 391 (1999)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2, с. 270. [Пер. с англ.: C.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.--Chichester--Brisbane--Toronto, A Wiley--Interscience Publication John Wiley \& Sons, 1981) v. 2]
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
- В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ф. Гременок, Г.А. Ильчук. Письма ЖТФ, 30 (18), 21 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
