Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe при однократном воздействии импульсом излучения рубинового лазера

Байдуллаева А.¹, Власенко А.И.¹, Кузан Л.Ф.¹, Литвин О.С.¹, Мозоль П.Е.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 10 ноября 2004 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe в зависимости от плотности мощности лазерного излучения при однократном облучении. Установлены оптимальные режимы лазерного облучения кристаллов, при которых образуется однородная структура с периодом 100 нм и с латеральными размерами ~(19-20) нм и средней высотой ~(3.40-9.38) нм. Обнаружено, что периодичность проявляется строго в одном из кристаллографических направлений.

А. Байдуллаева, М.Б. Булах, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль. ФТП, 38 (1), 26 (2004)
В.В. Артамонов, А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Н.В. Вуйчик, О.С. Литвин, П.Е. Мозоль, В.В. Стрельчук. ФТТ, 46 (8), 1489 (2004)
Б.М. Булах, С.М. Красикова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 9, 1112 (1973)
L. Marsal, H. Mariette, Y. Samson, J.L. Rouviere, E. Picard. Appl. Phys. Lett., 73, 2974 (1998)
А.К. Гутаковский, В.М. Елисеев, Р.И. Любинская, Н.В. Лях, А.С. Мардежов, И.П. Петренко, Л.Д. Покровский, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец. Поверхность. Физика, химия, механика, N 9, 80 (1988)
В.Н. Бабенцов, А. Байдуллаева, А.И. Власенко, С.И. Горбань, Б.К. Даулетмуратов, П.Е. Мозоль. ФТП, 27 (10), 1618 (1993)
В.И. Емельянов. ФТТ, 43 (4), 637 (2001)
Б.Л. Володин, Б.И. Емельянов. Изв. АН СССР. Сер. физ., 55 (7), 1274 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель