Формирование наноструктур в системе Ga2Se3 / GaAs
Безрядин Н.Н.1, Котов Г.И.1, Арсентьев И.Н.2, Стародубцев А.А.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.
Методом атомно-силовой микроскопии исследовалась топология поверхностей GaAs (100) и (111) до и после кратковременных обработок в парах селена. Из анализа результатов этих исследований в сочетании с эллипсометрией и электронной микроскопией предложен механизм образования и роста наноостровков и слоя Ga2Se3 (110) на поверхностях GaAs (100) и (111).
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
- B.J. Skromme, C.J. Sandroff, E. Yablonovich, T.J. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 51, 2022 (1987)
- E. Yablonovitch, C.J. Sandroff, R. Bhat, T. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 51, 439 (1987)
- Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 27, 131 (1993)
- Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 29, 24 (1995)
- Б.Л. Агапов, И.Н. Арсентьев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, М.П. Сумец. ФТП, 33, 712 (1999)
- Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, И.Н. Назаренко, А.Н. Зяблов, А.А. Стародубцев. Конденсированные среды и межфазные границы, 6, 225 (2004)
- B.I. Sysoev, V.D. Strygin, G.I. Kotov, E.N. Nevrueva, E.P. Domashevskaya. Phys. Status Solidi A, 129, 207 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
