"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
IV Международная конференция по аморфным и микрокристаллическим полупроводникам (5-7 июля 2004)
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.
С 5 по 7 июля 2004 года в Санкт-Петербурге проходила IV Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". Организаторами конференции выступили Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, а также Дом ученых в Лесном при СПбГПУ. Председатель оргкомитета конференции - Е. И. Теруков, члены оргкомитета - К. Д. Цэндин, Ю. А. Николаев и И. Н. Трапезникова. На конференции было представлено 198 докладов. В работе конференции принимали участие ученые из Франции, Болгарии, Канады, Великобритании, Индии, Мексики, Японии, Латвии и ряда стран СНГ (Украины, Белоруссии, Республики Казахстан, Молдовы, Азербайджана, Узбекистана). "Коломийцевская лекция" на тему "Laser-induced structural changes in Te-based chalcogenides: physics and applications" была прочитана А. В. Колобовым (Center for Applied Near-Field Optics Research, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan), представившим чрезвычайно интересные данные о деталях процессов записи информации на носителях из халькогенидных стеклообразных полупроводников. В ходе пленарного заседания были заслушаны лекции ведущих ученых в области неупорядоченных полупроводников, в которых были сделаны обзоры последних достижений физики халькогенидных стеклообразных полупроводников, аморфных материалов, органических полупроводников: Н. В. Бодягина (РГРТА, Рязань), посвященная разработке альтернативных подходов к управлению параметрами процессов роста аморфных материалов с учетом внутренних динамических процессов в веществе; А. С. Комолова (НИИ физики им. В. А. Фока СПбГУ), в которой анализируются фотовольтаические свойства пленок фталоцианина меди и некоторых органических полупроводников; К.Д. Цэндина (ФТИ им. Иоффе РАН, Санкт-Петербург) - об эффекте сверхпроводимости и роли дефектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках; Э. Н. Воронкова (МЭИ, Москва) - о моделировании динамики пробоя в стеклообразных полупроводниках; Jean-Paul Kleider (L.G.E.P.-SUPERLEC, CNRS, Франция) - об исследовании зонных состояний в аморфном или микрокристаллическом кремнии и сплавах на его основе методом модулированного фототока; П. П. Серегина (СПбГПУ) - об исследовании перехода порядок-беспорядок в электронной подсистеме полупроводника. Работа конференции проходила по семи выделенным тематическим направлениям. [-24pt] =0pt skip=0pt Аморфный гидрогенизированный кремний и сплавы на его основе. Аморфный и алмазоподобный углерод и другие широкозонные полупроводники. Микрокристалличекие и нанористаллические полупроводники. Органические полупроводники. Халькогенидные и стеклообразные полупроводники. Технические приложения. Сопутствующие материалы. В докладах, посвященных аморфному кремнию, большое внимание было уделено различным вариантам получения пленок и взаимосвязи способов их получения с проявлениями примесных и дефектных состояний, которые влияют на такие физические свойства, как проводимость, люминесценция, оптическое поглощение. Особое внимание участников конференции привлекли доклады А.Г. Казанского (МГУ, Москва), А.И. Косарева (Institute Nacional for Astrophysiscs, Optics and Electronics, Puebla, Mexico), М. В. Степиховой (Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород), В. Ю. Тимошенко (МГУ, Москва), А. В. Медведева (ФТИ им. Иоффе РАН, Санкт-Петербург). В сообщении А. Г. Казанского, посвященном теоретическому и экспериментальному исследованию фотопроводимости микрокристаллического кремния, были рассмотрены результаты экспериментальных исследований фотопроводимости пленок muc-Si : H, включающих изучение зависимостей величины фотопроводимости от структуры материала (соотношения кристаллической и аморфной фаз), энергии кванта возбуждающего излучения, температуры, уровня легирования донорными и акцепторными примесями, концентрации дефектов. Результаты экспериментальных данных проанализированы на основании имеющихся в настоящее время моделей процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда в mu c-Si : H, а также с учетом многофазной структуры материала. Доказана возможность использования формализма, развитого для a-Si : H, при интерпретации данных по фотопроводимости в muc-Si : H. Интересен доклад С. М. Манакова (Казахский национальный университет им. Аль-Фараби, Алматы, Республика Казахстан), посвященный поиску нестандартных экологически безопасных источников газообразных кремневодородов, пригодных для использования в полупроводниковой электронике для получения легированных слоев кристаллического и аморфного кремния. По-прежнему актуальны работы, связанные с разработкой материала для электролюминесцентных и лазерных структур на длину волны 1.54 мкм. Среди работ по этой тематике большое внимание вызвало сообщение А.В. Медведева, посвященное десятикратному усилению интенсивности спонтанной эмиссии эрбия вблизи края фотонной запрещенной зоны одномерной периодической структуры на основе аморфного кремния, выращенной методом плазмохимического газофазного осаждения и легированной эрбием в процессе роста. Большой интерес вызвал также доклад М. В. Степиховой, посвященный исследованиям люминесцентных свойств в низкоразмерных кремниевых структурах. Показано, что наиболее интенсивная люминесценция, превышающая при комнатной температуре на 2 порядка интенсивность, характерную для кристаллического кремния, наблюдается на структурах с минимальной кристалличностью и размерами нанокристаллов 1-3 нм. Сходные проблемы решаются в работе В. Ю. Тимошенко, посвященной изучению эффекта неоднородности диэлектрической проницаемости твердотельной матрицы на ширину спектра эрбиевой люминесценции в структурах с nc-Si/SiO2. Установленная исключительно эффективная сенсибилизация эрбиевой фотолюминесценции и возможность управлять ее характеристиками при изменении размеров нанокристаллов открывают широкие возможности по использованию легированных эрбием структур nc-Si/SiO2 в кремниевой оптоэлектронике. Большое внимание участики конференции уделили проблеме технологиии получения и исследования свойств микро- и нанокристаллических полупроводников и сплавов. Интерес к этим материалам обусловлен, с одной стороны, их повышенной световой стабильностью, а с другой - наличием новых размерных эффектов. Особый интерес в этой секции вызвал доклад М. Д. Ефремова (ИФП СО РАН, Новосибирск) о "кулоновской блокаде" при одноэлектронной зарядке кремниевой квантовой точки в составе одноэлектронных состояний на примере пленок оксида кремния с нанокристаллами кремния - материала, рассматривающегося в настоящее время в качестве перспективного для создания одноэлектронных транзисторов и элементов памяти, в которых плавающий затвор заменяется нанокристаллическими включениями кремния. Размер нанокристаллов в несколько нанометров и их высокая плотность позволяют реализовать терабитную память, что обусловливает высокий интерес к данному объекту. Эти свойства, наряду с наблюдаемой фотолюминесценцией от таких пленок, могут быть принципиально важными для создания новейших приборов одноэлектронной и однофотонной наноэлектроники. В докладах, посвященных аморфному углероду и другим широкозонным полупроводникам, рассматривались способы получения, методики исследования и теоретическое моделирование свойств данных материалов. Особый интерес был проявлен к докладу А. Л. Талиса (ВНИИСИМС, г. Александров) о новых исследованиях структуры алмазоподобного углерода и локальном подходе для адекватного отображения симметрии тетракоординированных структур конденсированного состояния (от наноструктур до квазикристаллов и кристаллов). Ряд докладов был посвящен поиску новых перспективных для различных применений материалов на основе углеродной матрицы. Это сообщения Б. П. Попова (СПбГПУ, Санкт-Петербург) об исследованиях электронного парамагнитного резонанса в медьуглеродных системах с интеркалированными металлами и металлическими кластерами; Э. А. Сморгонской (ФТИ им. Иоффе РАН, Санкт-Петербург) о модифицировании a-C : H металлами (Co, Cu, Mo, Ni) с целью создания новых твердотельных структур с высокой плотностью металлических нанокластеров; Э. И. Точицкого (Инженерный центр "Плазмотех" Национальной академии наук Белоруссии) о развитии методов получения наноразмерных высокотвердых тонкопленочных материалов с регулируемыми электрофизическими свойствами и высокой адгезией к подложкам из различных материалов при низкой температуре поверхности конденсации. Вызвали большой интерес доклады В. И. Березкина (Научно-исследовательский центр экологической безопасности РАН, Санкт-Петербург) об исследовании механизмов адсорбции органических веществ на кристаллических фуллеренах и В. В. Соболева (Ижевский государственный университет) об электронной структуре фуллеритов. Основное внимание в рамках работы секции "Органические полупроводники" было уделено полимерным полупроводникам, которые могут найти применение в солнечной энергетике и микроэлектронике. Участники конференции заслушали обзорный доклад В. В. Шаманина (ИВС РАН, Санкт-Петербург) о получении и комплексном физико-химическом исследовании свойств нового класса органических соединений - гомосопряженных элементоорганических полимерах, обладающих ярко выраженными полупроводниковыми свойствами, а именно - фотопроводимостью, фотолюминесценцией, относительно высокой подвижностью носителей заряда, и представляющих интерес для создания тонкопленочных органических светодиодов, полевых транзисторов и солнечных элементов с новыми механизмами переноса заряда и электронного возбуждения. В работах, посвященных халькогенидным и стеклообразным полупроводникам, привлекли внимание доклады В. Ю. Колосова (Уральский государственный экономический университет, Екатеринбург) о ротационных искажениях при росте кристаллических зерен в стеклообразной матрице; А. А. Бабаева (Институт физики ДНЦ РАН, Махачкала) об особенностях фотолюминесценции в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (ХСП); цикл работ группы, возглавляемой В. В. Соболевым (Ижевский государственный университет), посвященных электронной структуре и расчетам спектров фундаментальных оптических функций селенидов, сульфидов и халькогенидов различных элементов, и цикл работ по исследованию электрофизических свойств ХСП, выполняемых в Ужгородском национальном университете, доложенных И. В. Фекешгази. В тематике конференции были широко представлены доклады о технических приложениях аморфных, микрокристаллических, стеклообразных полупроводников. Этому посвящен доклад И. М. Котиной (ПИЯФ, Гатчина) об использовнии гетероконтакта (аморфный гидрированный кремний)-(кристаллический кремний) в детекторах ядерных излучений; доклад М. Д. Ефремова (ИФП, Новосибирск) о моделировании характеристик тонкопленочных полевых транзисторов на основе пленок аморфного гидрогенизированного кремния; цикл работ сотрудников Рязанской государственной радиотехнической академии, возглавляемых С. П. Вихровым, по исследованию влияния электрофизических свойств пленок a-Si : H на вольт-амперные характеристики тонкопленочных полевых транзисторов. Успешно продолжаются работы в области голографической записи информации группой Я. Тетериса (Институт физики Латвийского университета, Рига), доложенные И. Кузминой. Актуальные вопросы конференции обсуждались на семи стендовых секциях, на которых было представлено 158 докладов. На завершающем конференцию круглом столе был отмечен высокий научный уровень конференции, отвечающий современному состоянию мировой науки. Это подтверждается участием российских ученых и ученых из стран СНГ в международных конференциях по данной проблематике и большим колчеством докладов, выполненных авторами совместно с учеными крупных мировых научных центров. Ряд проведенных участниками конференции исследований являются приорететными, в частности впервые были доложены работы по разрабтке и осуществлению новых принципов процесса записи информации на носителях из халькогенидных стеклообразных полупроводников, по созданию нового класса полигомосопряженных элементоорганических полупроводников, обладающих ярко выражеными полупроводниковыми свойстваами и перспективными, как уже упоминалось, для разработки и создания ряда элементов микроэлектроники. Степень обеспечения данного направления научными кадрами отражает современное состояние российской науки, которое, в частности, проявляется в том, что большое количество доложенных на конференции работ выполняется в рамках международных проектов (INTAS, NATO, CRDF). Согласно приведенным в тезисах докладов конференции данным, 32 докладчика получают финансовую поддержку РФФИ, 25 - гранты Министерства образования, 4 - гранты Министерства промышленности и науки, 2 - МНТЦ, 17 - гранты различных российских программ поддержки ученых и научных школ, 8 - INTAS, 15 - участвуют в других иностранных программах. При этом, однако, участниками конференции было отмечено недостаточное финансирование проводимых в большинстве научных институтов исследований, особенно это касается обеспечения современным технологическим и исследовательским оборудованием. Уровень всех представленных работ достаточно высок. По материалам конференции опубликован сборник трудов, а наиболее интересные доклады рекомендованы программным комитетом для опубликования в настоящем выпуске журнала "Физика и техника полупроводников". Проведение конференции стало возможным благодаря поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 04-02-26090-г) и помощи ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. Председатель оргкомитета Е. И. Теруков.
  1. O. Kordina, C. Hallin, R.C. Glass, A. Henry, E. Janzen. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 41 (1994); H. Matsunami. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 45 (1994)
  2. D.J. Larkin, P.G. Neudeck, J.A. Powell, L.G. Matus. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 51 (1994)
  3. O. Kordina, J.P. Bergman, A. Henry, E. Janzen, S. Savage, J. Andre, L.P. Ramberg, U. Lindefelt, W. Hermansson, K. Bergman. Appl. Phys. Lett., 67, 1561 (1995)
  4. A.K. Agarwal, S.H. Ryu, R. Singh, O. Kordina, J.W. Palmour. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1387 (2000)
  5. C.F. Huang, J.A. Cooper. IEEE Trans. EDL-24, 396 (2003)
  6. M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Semicond. Sci. Technol., 12, 1498 (1997)
  7. N.V. Dyakonova, P.A. Ivanov, V.A. Kozlov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. IEEE Trans., ED-46, 2188 (1999)
  8. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Semicond. Sci. Technol., 15, 908 (2000)
  9. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, K.G. Irvine, O. Kordina, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Electron. Lett., 35, 1382 (1999)
  10. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh, S.N. Yurkov. Electron. Lett., 36, 1241 (2000)
  11. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh, S.N. Yurkov. IEEE Trans., ED-48, 1703 (2001)
  12. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, R. Singh, K.G. Irvine. Electron. Lett., 39, 689 (2003)
  13. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, R. Singh, J.W. Palmour, S.N. Yurkov. Sol. St. Electron., 48, 807 (2004)
  14. N.I. Kuznetsov, E.V. Astrova, E.V. Kalinina, V.A. Dmitriev, H. Kohg, C.H. Carter. Proc. 3rd Int. HiTEC, (Albuquerque, NM, 1996) p. P77
  15. T. Kimoto, N. Miyamoto, H. Matsunami. IEEE Trans., ED-46, 471 (1999)
  16. B.R. Gossik. J. Appl. Phys., 27, 905 (1956)
  17. B. Lax, T. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  18. Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., 1968)
  19. H. Schlangenotto, W. Gerlach. Sol. St. Electron., 15, 393 (1972)
  20. P.G. Neudeck, C. Fazi. Mater. Sci. Forum, 264--268, 1037 (1998)
  21. T. Kimoto, N. Miyamoto, H. Matsunami. IEEE Trans., ED-46, 471 (1999)
  22. Y. Sugawara, K. Asano, R. Singh, J.W. Palmour. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1371 (2000)
  23. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electorn., 30, 579 (1987)
  24. Т.Т. Мнацаканов, И.Л. Ростовцев, Н.И. Филатов. ФТП, 18, 1293 (1984)
  25. T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 143, 225 (1987)
  26. И.В. Грехов, П.А. Иванов, А.О. Константинов, Т.П. Самсонова. Письма ЖТФ, 28, 24 (2002)
  27. I.V. Grekhov, P.A. Ivanov, D.V. Khristyuk, A.O. Konstantinov, S.V. Korotkov, T.P. Samsonova. Sol. St. Electron., 47, 1769 (2003)
  28. И.В. Грехов, А.С. Кюрегян, Т.Т. Мнацаканов, С.Н. Юрков. ФТП, 37, 1148 (2003)
  29. H. Benda, E. Shpenke. Proc. IEEE, 55, 1331 (1967)
  30. L.V. Davies. Nature, 194, 762 (1962)
  31. F. Dannhauser. Sol. St. Electron., 15, 1371 (1972)
  32. J.R. Krausse. Sol. St. Electron., 15, 1377 (1972)
  33. R.A. Hopfel, J. Shah, P.A. Wolff, A.C. Gossard. Phys. Rev. Lett., 56, 2736 (1986)
  34. R.A. Hopfel, J. Shah, P.A. Wolff, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 49, 572 (1986)
  35. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. J. Appl. Phys., 93, 1095 (2003)
  36. В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 6, 689 (1980)
  37. Б.Н. Грессеров, Т.Т. Мнацаканов. ФТП, 24, 1668 (1990)
  38. S.H. Ryu, A.K. Agarwal, R. Singh, J.W. Palmour. IEEE Trans., EDL-22, 124 (2001)
  39. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 46, 567 (2002)
  40. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, A.K. Agarwal, J.W. Palmour, S.-H. Ryu. Abstract 10th Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ISCSRM-2003) October 5-10, 2003, (Lyon, France) p. 64
  41. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 16, 521 (2001)
  42. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, A.K. Agarwal, J.W. Palmour, S.-H. Ryu. Sol. St. Electron., 48, 491 (2004)
  43. Y. Tang, J.B. Fedison, T.P. Chow. IEEE Trans., EDL-22, 119 (2001)
  44. А. Блихер. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов (Л., 1986)
  45. Y. Wang, W. Xie, J.A. Cooper, M.R. Melloch, J.W. Palmour. Inst. Phys. Conf. Ser., N 142, 809 (1995)
  46. R. Hauser. IEEE Trans., ED-11, 238 (1964)
  47. Properties advanced Semiconductor Materials: CaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, eds. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (John Wiley \& Sons, 2001)
  48. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electorn., 44, 2155 (2000)
  49. A.K. Agarwal, P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, S.-H. Ryu. Semicond. Sci. Technol., 16, 260 (2001)
  50. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. Sol. St. Electron., 45, 453 (2001)
  51. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. Sol. St. Electron., 46, 529 (2002)
  52. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, P.A. Ivanov, A.G. Tandoev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 46, 1955 (2002)
  53. M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Electron. Lett., 38, 592 (2002)
  54. M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 47, 699 (2003)
  55. L. Cao, B. Li, J.H. Zhao. Sol. St. Electron., 44, 347 (2000)
  56. F.E. Gentry, F.W. Gutzwiller, N. Holohyak, E.E. Zastrow. Semiconductor controlled rectifiers (Englewood Clifs, N.J., Prentice--Hall, 1964)
  57. R.L. Davies, J. Petruzella. Proc. IEEE, 55, 1318 (1967)
  58. A. Blicher. Thyristor physics (Springer Verlag, N.Y.--Heidelberg--Berlin, 1976)
  59. G.D. Bergman. Sol. St. Electron., 8, 757 (1965)
  60. A.I. Uvarov. Physics of p--n-junctions and semiconductor devices, eds. by S.M. Ryvkin, Yu.V. Shmartsev (Consultants Bureau, N.Y.--London, 1971) p. 216
  61. M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. IEEE Trans., ED-45, 307 (1998)
  62. С.В. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма ЖТФ, 9, 546 (1983)
  63. Ю.А. Евсеев, П.Г. Дерменжи. Силовые полупроводниковые приборы (М., 1981)
  64. И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев. ФТП, 8, 672 (1974)
  65. И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев. ФТП, 10, 345 (1976)
  66. М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 12, 1674 (1978)
  67. М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 12, 729 (1978)
  68. М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 14, 478 (1980)
  69. T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, M.E. Levinshtein, F.G. Tandoev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 47, 1581 (2003)
  70. A.I. Uvarov. In: Physics of p--n-junctions and semiconductor devices, ed. by S.M. Ryvkin, Yu.V. Shmartsev (Consultants Bureau, N.Y.--London, 1971) p. 170
  71. И.Л. Каганов. Промышленная электроника (М., 1968)
  72. A.K. Agarwal, S. Seshadri, M. McMillan, S.S. Mani, J. Casady, P. Sanger, P. Shah. Sol. St. Electron., 44, 303 (2000)
  73. N.V. Dyakonova, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Semicond. Sci. Technol., 13, 241 (1998)
  74. M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Semicond. Sci. Technol., 14, 207 (1999)
  75. A. Agarwall, C. Capell, B. Phan, J. Milligan, J.W. Palmour, J. Stambaugh, H. Bartlow, K. Brewer. Mater. Sci. Forum, 433--436, 785 (2003)
  76. А.В. Блудов, Н.С. Болтовец, К.В. Василевский, А.В. Зоренко, К. Зекентес, В.А. Кривуца, Т.В. Крицкая, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 3, 82 (2004)
  77. H. Lendenmann, J.P. Bergman, F. Dahlquist, H. Hallin. Mater. Sci. Forum, 433--436 901 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.