"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Переход от термодинамического режима формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) к кинетическому
Мусихин Ю.Г.1, Цырлин Г.Э.1,2, Дубровский В.Г.1, Самсоненко Ю.Б.1,2, Тонких А.А.1,2, Берт Н.А.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Представлены результаты экспериментального и теоретического исследования процессов формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) при докритической толщине осажденного InAs (1.5-1.6 монослоев). Показано, что в докритической области толщин (менее 1.6 монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает с увеличением температуры и не зависит от скорости осаждения. В закритической области (более 1.8 монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает при уменьшении температуры и увеличении скорости осаждения. Наблюдаемый эффект связан с переходом от термодинамического режима формирования квантовых точек вблизи критической толщины к кинетическому.
  • Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998)
  • D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterostructures (Wiley \& Sons, 1999)
  • V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev. Quantum dot lasers (Oxford University Press, 2003)
  • Г.Э. Цырлин, Н.П. Корнеева, В.Н. Демидов, Н.К. Поляков, В.Н. Петров, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1230 (1997)
  • J.M. Moison, F. Houzay, F. Batthe, L. Leprince, E. Andr, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
  • I. Mukhametzhanov, Z. Wei, R. Heitz, A. Madhukar. Appl. Phys. Lett., 75, 85 (1999)
  • Ch. Heyn. Phys. Rev. B, 64, 165 306 (2001)
  • A. Polimeni, A. Patane, M. Cappizi, F. Martelli, L. Nazi, G. Salvani. Phys. Rev. B, 53, R4213 (1996)
  • I. Daruka, A.-L. Barabasi. Phys. Rev. Lett., 79, 3708 (1997)
  • M. Meixner, E. Scholl, V.A. Shchukin, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 87, 236 101 (2001)
  • А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, В.А. Егоров, А.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 29, 72 (2003)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, Yu.G. Musikhin, Yu.B. Samsonenko, A.A. Tonkikh, N.K. Polyakov, V.A. Egorov, A.F. Tsatsul'nikov, N.A. Krizhanovskaya, V.M. Ustinov, P. Werner. J. Cryst. Growth, 267, 47 (2004)
  • В.Г. Дубровский, А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, P. Werner. Письма ЖТФ, 30, 72 (2004)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, 075 409 (2003)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Status Solidi B, 241, R42 (2004)
  • A.V. Orlov, F. Schmitt, S.A. Kukushkin, P. Hess. Appl. Surf. Sci., 188, 156 (2002)
  • P. Muller, R. Kern. Appl. Surf. Sci., 102, 6 (1996)
  • Ф.М. Куни, А.П. Гринин. Коллоид. журн., 46, 23 (1984)
  • A.V. Osipov, S.A. Kukushkin, F. Schmitt, P. Hess. Phys. Rev. B, 64, 205 421 (2001)
  • V.G. Dubrovskii. J. Phys.: Condens. Matter., 16, 6929 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.