"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Переход от термодинамического режима формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) к кинетическому
Мусихин Ю.Г.1, Цырлин Г.Э.1,2, Дубровский В.Г.1, Самсоненко Ю.Б.1,2, Тонких А.А.1,2, Берт Н.А.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Представлены результаты экспериментального и теоретического исследования процессов формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) при докритической толщине осажденного InAs (1.5-1.6 монослоев). Показано, что в докритической области толщин (менее 1.6 монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает с увеличением температуры и не зависит от скорости осаждения. В закритической области (более 1.8 монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает при уменьшении температуры и увеличении скорости осаждения. Наблюдаемый эффект связан с переходом от термодинамического режима формирования квантовых точек вблизи критической толщины к кинетическому.
  1. Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998)
  2. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterostructures (Wiley \& Sons, 1999)
  3. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev. Quantum dot lasers (Oxford University Press, 2003)
  4. Г.Э. Цырлин, Н.П. Корнеева, В.Н. Демидов, Н.К. Поляков, В.Н. Петров, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1230 (1997)
  5. J.M. Moison, F. Houzay, F. Batthe, L. Leprince, E. Andr, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
  6. I. Mukhametzhanov, Z. Wei, R. Heitz, A. Madhukar. Appl. Phys. Lett., 75, 85 (1999)
  7. Ch. Heyn. Phys. Rev. B, 64, 165 306 (2001)
  8. A. Polimeni, A. Patane, M. Cappizi, F. Martelli, L. Nazi, G. Salvani. Phys. Rev. B, 53, R4213 (1996)
  9. I. Daruka, A.-L. Barabasi. Phys. Rev. Lett., 79, 3708 (1997)
  10. M. Meixner, E. Scholl, V.A. Shchukin, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 87, 236 101 (2001)
  11. А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, В.А. Егоров, А.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 29, 72 (2003)
  12. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, Yu.G. Musikhin, Yu.B. Samsonenko, A.A. Tonkikh, N.K. Polyakov, V.A. Egorov, A.F. Tsatsul'nikov, N.A. Krizhanovskaya, V.M. Ustinov, P. Werner. J. Cryst. Growth, 267, 47 (2004)
  13. В.Г. Дубровский, А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, P. Werner. Письма ЖТФ, 30, 72 (2004)
  14. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, 075 409 (2003)
  15. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Status Solidi B, 241, R42 (2004)
  16. A.V. Orlov, F. Schmitt, S.A. Kukushkin, P. Hess. Appl. Surf. Sci., 188, 156 (2002)
  17. P. Muller, R. Kern. Appl. Surf. Sci., 102, 6 (1996)
  18. Ф.М. Куни, А.П. Гринин. Коллоид. журн., 46, 23 (1984)
  19. A.V. Osipov, S.A. Kukushkin, F. Schmitt, P. Hess. Phys. Rev. B, 64, 205 421 (2001)
  20. V.G. Dubrovskii. J. Phys.: Condens. Matter., 16, 6929 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.