"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Отрицательное магнитосопротивление в кремнии, легированном бором и марганцем, стимулированное электрическим полем и светом
Баxадырханов М.К.1, Саттаров О.Э.1, Илиев Х.М.1, Аюпов К.С.1, Умайер Туэрди1
1Ташкентский государственный технический университет им. Абу Райхана Беруни, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 15 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

-1 Экспериментально установлен эффект стимулирования светом отрицательного магнитосопротивления, наблюдаемого в сильном электрическом поле, в кремнии, легированном бором и марганцем. Определены оптимальные условия --- электрическое поле, температура, освещение, а также удельное сопротивление материала --- для наблюдения максимального отрицательного магнитосопротивления с таком материале. Установлена зависимость отрицательного магнитосопротивления от концентрации компенсирующей примеси.
  1. М. Аше, Ю.Г. Завьялов, О.Г. Сарбей. Письма ЖЭТФ, 13, 401 (1971)
  2. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  3. Б.И. Болтакс, М.К. Бахадырханов и др. Компенсированный кремний (Л., Наука, 1972) с. 12--24
  4. М. Шалкаускас, А. Вашкями. Химическая металлизация пластмасс (М., Химия, 1977) с. 133--134

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.