Отрицательное магнитосопротивление в кремнии, легированном бором и марганцем, стимулированное электрическим полем и светом
Баxадырханов М.К.1, Саттаров О.Э.1, Илиев Х.М.1, Аюпов К.С.1, Умайер Туэрди1
1Ташкентский государственный технический университет им. Абу Райхана Беруни, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 15 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.
-1 Экспериментально установлен эффект стимулирования светом отрицательного магнитосопротивления, наблюдаемого в сильном электрическом поле, в кремнии, легированном бором и марганцем. Определены оптимальные условия - электрическое поле, температура, освещение, а также удельное сопротивление материала - для наблюдения максимального отрицательного магнитосопротивления с таком материале. Установлена зависимость отрицательного магнитосопротивления от концентрации компенсирующей примеси.
- М. Аше, Ю.Г. Завьялов, О.Г. Сарбей. Письма ЖЭТФ, 13, 401 (1971)
- К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
- Б.И. Болтакс, М.К. Бахадырханов и др. Компенсированный кремний (Л., Наука, 1972) с. 12--24
- М. Шалкаускас, А. Вашкями. Химическая металлизация пластмасс (М., Химия, 1977) с. 133--134
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук