"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Повышение темпа и дискретизация кинетики изотермической поверхностной генерации неосновных носителей заряда в структурах металл--диэлектрик--полупроводник с планарно-неоднородным диэлектриком
Ждан А.Г.1, Гольдман Е.И.1, Гуляев Ю.В.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 31 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Поверхностная генерация неосновных носителей заряда в кремниевых МОП структурах эффективна лишь на начальной безрекомбинационной стадии. За время t~ 10-5 с устанавливается квазиравновесие между центрами поверхностной генерации и зоной неосновных носителей заряда, и в отсутствие иных каналов генерации носителей равновесное состояние инверсии при 300 K установилось бы в течение t=tбесконечность>103 лет. Реально время tбесконечность намного меньше вследствие рождения неравновесных носителей через центры, локализованные на гетерогранице SiO2/Si по периферии затвора. Краевую генерацию просто имитировать в МОП структуре с единым затвором, изолированным от Si слоями окисла различной толщины. При обедняющих потенциалах затвора Vg роль периферии играет мелкая потенциальная яма под более толстым окислом, а кинетика тока генерации I(t) становится необычной: на зависимостях I(t) наблюдаются две дискретных ступеньки, длительность и высота которых --- функции Vg. Анализ кривых I(t) позволяет определять электронные характеристики поверхности Si в состояниях начального обеднения (t=0) и равновесной инверсии (t=tбесконечность), а также параметры центров поверхностной инерции, включая их энергетическое и пространственное распределения. Функционально специализированная планарная неоднородность подзатворного изолятора --- перспективная основа динамических сенсоров с интегрирующими и пороговыми свойствами.
  1. В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
  2. E.H. Nicollian, I.R. Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., John Willey @ Sons, 1982).
  3. Технология СБИС, под ред. С. Зи (М., Мир, 1986) т. 2
  4. Приборы с зарядовой связью, под ред. М. Хоувза, Д. Моргана (М., Энергоиздат, 1981)
  5. W.D. Brown, J.E. Brewer. Nonvolatile Semiconductor Memory Technology (N.Y., IEEE Press, 1998)
  6. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  7. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. Микроэлектроника, 23, 3 (1994)
  8. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, 26, 2048 (1992)
  9. W. Schokly, W. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
  10. R. Hall. Phys. Rev., 87, 387 (1952)
  11. В.А. Гергель, В.А. Зимогляд, Н.В. Жуков, В.В. Ракитин. Микроэлектроника, 17, 406 (1968)
  12. Е.И. Гольдман. ФТП, 27, 269 (1993)
  13. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. Письма ЖЭТФ, 57, 783 (1993)
  14. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 677 (1997)
  15. C.G.B. Garrett, W.H. Brattain. Phys. Rev., 99, 376 (1955)
  16. Е.И. Гольдман, В.А. Иванов. Препринт ИРЭ РАН N 22 [551] (М., 1990)
  17. Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, В.Г. Приходько. Препринт ИРЭ РАН N 46 [418] (М., 1984)
  18. А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 2, 120 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.