Рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта в компенсированных полупроводниках
Павлишенко Б.М.1, Шувар Р.Я.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко (Физический факультет), Львов, Украина
Поступила в редакцию: 2 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.
Методами численного моделирования исследуется рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта с учетом влияния компенсирующих примесей. Показана возможность усиления стационарным фотовозбуждением амплитуд переменных концентраций свободных носителей, индуцированных динамической деформацией полупроводника.
- Г.Д. Гусейнов, Г.Б. Абдулаев. Докл. АН СССР, 208 (5), 1052 (1973)
- A. Mahapatra, P.G. Kornreich, S.T. Kowel. Phys. Rev. B, 18 (6), 2766 (1978)
- Й.М. Стахира, Р.Я. Шувар, Б.М. Павлишенко. УФЖ, 40 (7), 723 (1995)
- С.Ж. Каражанов. ФТП, 34 (8), 909 (2000)
- И.Н. Воловичев, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 35 (3), 321 (2001)
- С.В. Кузнецов. ФТП, 35 (10), 1244 (2001)
- А.П. Одринский. ФТП, 38 (3), 310 (2004)
- В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотополупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук