"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта в компенсированных полупроводниках
Павлишенко Б.М.1, Шувар Р.Я.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко (Физический факультет), Львов, Украина
Поступила в редакцию: 2 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Методами численного моделирования исследуется рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта с учетом влияния компенсирующих примесей. Показана возможность усиления стационарным фотовозбуждением амплитуд переменных концентраций свободных носителей, индуцированных динамической деформацией полупроводника.
  1. Г.Д. Гусейнов, Г.Б. Абдулаев. Докл. АН СССР, 208 (5), 1052 (1973)
  2. A. Mahapatra, P.G. Kornreich, S.T. Kowel. Phys. Rev. B, 18 (6), 2766 (1978)
  3. Й.М. Стахира, Р.Я. Шувар, Б.М. Павлишенко. УФЖ, 40 (7), 723 (1995)
  4. С.Ж. Каражанов. ФТП, 34 (8), 909 (2000)
  5. И.Н. Воловичев, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 35 (3), 321 (2001)
  6. С.В. Кузнецов. ФТП, 35 (10), 1244 (2001)
  7. А.П. Одринский. ФТП, 38 (3), 310 (2004)
  8. В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотополупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.