"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами
Ардышев М.В.1, Ардышев В.М.1, Крючков Ю.Ю.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 8 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

Методами электропроводности и резерфордовского обратного рассеяния исследовано накопление дефектов в GaAs при импульсной (taup=1.3·10-2 c, скважность 100) и непрерывной имплантации ионов 32S, 12C и 4He при комнатной температуре в диапазонах E=100-150 кэВ, Phi=1·109-6·1016 см-2 и j=1·10-9-3·10-6 А·см-2. Показано, что при импульсной имплантации скорость накопления дефектов существенно меньше, чем при непрерывном облучении.
  1. В.М. Ардышев, А.П. Мамонтов, В.В. Пешев. А.с. N 1148516 от 01.12.1984
  2. Ю.А. Бирютин, С.В. Гапонов. ФТП, 18, 1729 (1984)
  3. E.P. Simonen. J. Nucl. Mater., N 1--3, 122 (1984)
  4. B.R. Gossik. J. Appl. Phys., 30, 1214 (1959)
  5. И.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984)
  6. Y. Cato, T. Shimada, K.F. Komatsubare. J. Appl. Phys., 45, 1044 (1974)
  7. М.А. Кумахов, И.С. Ташлыков. Поверхность. Физика, химия, механика, N 2, 5 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.