Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами

Ардышев М.В.¹, Ардышев В.М.¹, Крючков Ю.Ю.²

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия Tomsk Polytechnic University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 8 июня 2004 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

PDF версия

Методами электропроводности и резерфордовского обратного рассеяния исследовано накопление дефектов в GaAs при импульсной (tau_p=1.3·10^-2 c, скважность 100) и непрерывной имплантации ионов ³²S, ¹²C и ⁴He при комнатной температуре в диапазонах E=100-150 кэВ, Phi=1·10⁹-6·10¹⁶ см^-2 и j=1·10^-9-3·10^-6 А·см^-2. Показано, что при импульсной имплантации скорость накопления дефектов существенно меньше, чем при непрерывном облучении.

В.М. Ардышев, А.П. Мамонтов, В.В. Пешев. А.с. N 1148516 от 01.12.1984
Ю.А. Бирютин, С.В. Гапонов. ФТП, 18, 1729 (1984)
E.P. Simonen. J. Nucl. Mater., N 1--3, 122 (1984)
B.R. Gossik. J. Appl. Phys., 30, 1214 (1959)
И.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984)
Y. Cato, T. Shimada, K.F. Komatsubare. J. Appl. Phys., 45, 1044 (1974)
М.А. Кумахов, И.С. Ташлыков. Поверхность. Физика, химия, механика, N 2, 5 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель