Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Вакансионная модель процесса гетерополитипной эпитаксии SiC
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 29 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.
Предложена модель трансформации политипов SiC в процессе роста эпитаксиального слоя, основанная на изменении во времена концентрации углеродных вакансий в переходном слое, в рамках которой проведен анализ имеющихся экспериментальных данных. Показано, что параметр eta=Gtau/LT (LT - толщина переходного слоя, G - скорость роста пленки, tau - время жизни вакансии в переходном слое) инвариантен относительно способа и температуры выращивания эпитаксиального слоя и определяется только концентрацией углеродных вакансий в подложке и пленке.
- Г. Хэниш, Р.М. Рой. Карбид кремния (М., Мир, 1972)
- H. Jagodzinskii. Acta Cryst. Cambridge, 2, 201 (1949)
- Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
- А.А. Лебедев. ФТП, 33, 769 (1999)
- Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
- N. Savkina, A. Tregubova, M. Scheglov, G. Mosina, V. Soloviev, A. Volkova, A. Lebedev. Mater. Sci. Eng., B91, 317 (2002)
- A.A. Lebedev, A.M. Strel'chuk, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.S. Tregubova, A.N. Kuznetsov, V.A. Soloviev, N.K. Poletaev. Appl. Surf. Sci., 184, 419 (2001)
- F.R. Chien, S.R. Nutt, W.S. Yoo, T. Kimoto, H. Matsunamui. J. Mater. Res., 9, 940 (1994)
- A. Fissel, B. Schroter, U. Kaiser, W. Richter. Appl. Phys. Lett., 77, 2418 (2000)
- A. Fissel, B. Schroter, U. Kaiser, W. Richter, F. Bechstedt. Appl. Surf. Sci., 184, 37 (2001)
- М.М. Аникин, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков. А.с. N 816207 от 04.06.1979
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
- L.G. Kroko, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 9, 1125 (1966)
- Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. In: Silicon Carbide, ed. by R.C. Marshall et al. (Univ. of South Carolina Press, Columbia, 1974) p. 508
- K.F. Jensen. Handbook of Crystal Growth (Elsevier, 1994) v. 3
- T. Kaneko. J. Cryst. Growth, 69, 1 (1984)
- D.D. Avrov, A.S. Baskin, S.I. Dorozhkin, V.P. Rastegaev, Yu.M. Tairov. J. Cryst. Growth, 198/199, 1011 (1999)
- Q.-S. Chen, H. Zhang, V. Prasad, C.M. Balkas, N.K. Yushin, S. Wang. J. Cryst. Growth, 224, 101 (2001)
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 38, 153 (2004)
- S.K. Lilov, I.Y. Yanchev. Cryst. Res. Technol., 28, 495 (1993)
- W.A. Harrison, E.A. Kraut. Phys. Rev. B, 37, 8244 (1988)
- F. Bechstedt, W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 39, 5041 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
