"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Вакансионная модель процесса гетерополитипной эпитаксии SiC
Лебедев А.А.1, Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

Предложена модель трансформации политипов SiC в процессе роста эпитаксиального слоя, основанная на изменении во времена концентрации углеродных вакансий в переходном слое, в рамках которой проведен анализ имеющихся экспериментальных данных. Показано, что параметр eta=Gtau/LT (LT - толщина переходного слоя, G - скорость роста пленки, tau - время жизни вакансии в переходном слое) инвариантен относительно способа и температуры выращивания эпитаксиального слоя и определяется только концентрацией углеродных вакансий в подложке и пленке.
  1. Г. Хэниш, Р.М. Рой. Карбид кремния (М., Мир, 1972)
  2. H. Jagodzinskii. Acta Cryst. Cambridge, 2, 201 (1949)
  3. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
  4. А.А. Лебедев. ФТП, 33, 769 (1999)
  5. Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
  6. N. Savkina, A. Tregubova, M. Scheglov, G. Mosina, V. Soloviev, A. Volkova, A. Lebedev. Mater. Sci. Eng., B91, 317 (2002)
  7. A.A. Lebedev, A.M. Strel'chuk, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.S. Tregubova, A.N. Kuznetsov, V.A. Soloviev, N.K. Poletaev. Appl. Surf. Sci., 184, 419 (2001)
  8. F.R. Chien, S.R. Nutt, W.S. Yoo, T. Kimoto, H. Matsunamui. J. Mater. Res., 9, 940 (1994)
  9. A. Fissel, B. Schroter, U. Kaiser, W. Richter. Appl. Phys. Lett., 77, 2418 (2000)
  10. A. Fissel, B. Schroter, U. Kaiser, W. Richter, F. Bechstedt. Appl. Surf. Sci., 184, 37 (2001)
  11. М.М. Аникин, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков. А.с. N 816207 от 04.06.1979
  12. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  13. L.G. Kroko, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 9, 1125 (1966)
  14. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. In: Silicon Carbide, ed. by R.C. Marshall et al. (Univ. of South Carolina Press, Columbia, 1974) p. 508
  15. K.F. Jensen. Handbook of Crystal Growth (Elsevier, 1994) v. 3
  16. T. Kaneko. J. Cryst. Growth, 69, 1 (1984)
  17. D.D. Avrov, A.S. Baskin, S.I. Dorozhkin, V.P. Rastegaev, Yu.M. Tairov. J. Cryst. Growth, 198/199, 1011 (1999)
  18. Q.-S. Chen, H. Zhang, V. Prasad, C.M. Balkas, N.K. Yushin, S. Wang. J. Cryst. Growth, 224, 101 (2001)
  19. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 38, 153 (2004)
  20. S.K. Lilov, I.Y. Yanchev. Cryst. Res. Technol., 28, 495 (1993)
  21. W.A. Harrison, E.A. Kraut. Phys. Rev. B, 37, 8244 (1988)
  22. F. Bechstedt, W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 39, 5041 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.