Вышедшие номера
Вакансионная модель процесса гетерополитипной эпитаксии SiC
Лебедев А.А.1, Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

Предложена модель трансформации политипов SiC в процессе роста эпитаксиального слоя, основанная на изменении во времена концентрации углеродных вакансий в переходном слое, в рамках которой проведен анализ имеющихся экспериментальных данных. Показано, что параметр eta=Gtau/LT (LT - толщина переходного слоя, G - скорость роста пленки, tau - время жизни вакансии в переходном слое) инвариантен относительно способа и температуры выращивания эпитаксиального слоя и определяется только концентрацией углеродных вакансий в подложке и пленке.