"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Качественное различие механизмов процесса электроформовки в структурах Si--SiO2--W для Si n- и p-типов проводимости
Мордвинцев В.М.1, Кудрявцев С.Е.1, Левин В.Л.1
1Институт микроэлектроники и информатики Российской академии наук, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Приводятся результаты экспериментов по исследованию процессов электроформовки в открытых "сaндвич"-структурах Si-SiO2-W с толщиной SiO2 около 20 нм. Отмечается их принципиальное различие для Si p- и n-типов проводимости: в первом случае наблюдается обычная для электроформовки N-образная вольт-амперная характеристика, во втором - типичная для электрического пробоя с тепловой неустойчивостью S-образная зависимость. Обсуждаются механизмы процессов. Отмеченное различие может быть связано с тем, что только поток электронов (но не дырок) через структуру приводит к деструкции молекул на поверхности изолирующей щели и образованию из них частиц проводящей фазы.
  1. Дж. Дирнлей, А. Стоунхэм, Д. Морган. УФН, 112, 83 (1974)
  2. H. Pagnia, N. Sotnik. Phys. Status Solidi (a), 108 (11), 11 (1988)
  3. V.M. Mordvintsev, V.L. Levin. Phys. Low-Dim. Structur., 12, 243 (1995)
  4. К.А. Валиев, В.Л. Левин, В.М. Мордвинцев. ЖТФ, 67 (11), 39 (1997)
  5. В.М. Мордвинцев, С.Е. Кудрявцев. Микроэлектроника, 30, 353 (2001)
  6. К.А. Валиев, С.Е. Кудрявцев, В.Л. Левин, В.М. Мордвинцев, В.Л. Савасин. Микроэлектроника, 26, 3 (1997)
  7. В.М. Мордвинцев, С.Е. Кудрявцев. ЖТФ, 72 (4), 53 (2002)
  8. В.М. Мордвинцев, Т.К. Шумилова. Микроэлектроника, 28, 122 (1999)
  9. П. Таунсенд. В сб.: Распыление твердых тел ионной бомбардировкой, вып. II, под ред. Р. Бериша. Сер. Проблемы прикладной физики (М., Мир, 1986) с. 205
  10. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  11. А.Ф. Волков, Ш.М. Коган. УФН, 96, 633 (1968)
  12. В.М. Мордвинцев, С.Е. Кудрявцев, В.Л. Левин. Микроэлектроника, 27, 49 (1998)
  13. В.М. Мордвинцев, В.Л. Левин. ЖТФ, 64 (12), 88 (1994)
  14. А.В. Елецкий, Б.М. Смирнов. УФН, 147, 459 (1985)
  15. Г.Ф. Друкарев. Столкновения электронов с атомами и молекулами (М., Наука, 1978)
  16. А. Модинос. Авто-, термо- и вторично-эмиссионная спектроскопия (М., Наука, 1990)
  17. В.И. Стриха, Е.В. Бузанева, И.А. Радзиевский. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки ( физика, технология, применение) (М., Радио и связь, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.