"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Локализация дырок в квантовой молекуле InAs / GaAs
Соболев М.М.1, Цырлин Г.Э.1, Самсоненко Ю.Б.1, Поляков Н.К.1, Тонких А.А.1, Мусихин Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследована эмиссия дырок из состояний в системе вертикально сопряженных квантовых точек InAs, в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs в зависимости от толщины прослойки GaAs между двумя слоями квантовых точек InAs и от величины напряжения обратного смещения Ur. Было установлено, что для квантовой молекулы, состоящей из двух вертикально сопряженных самоорганизующихся квантовых точек в гетероструктуре InAs / GaAs при толщинах прослойки GaAs 20 и 40 Angstrem между двумя слоями квантовых точек InAs, реализуется эффект локализации дырок в одной из квантовых точек. При толщинах прослойки GaAs 100 Angstrem было обнаружено неполное связывание двух слоев квантовых точек, что приводило к перераспределению локализации дырок между верхними и нижними квантовыми точками при изменении напряжения Ur, прикладываемого к структуре. Исследуемые структуры с вертикально сопряженными квантовыми точками выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии за счет эффектов самоорганизации.
  1. M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Lunev, A.V. Sakharov, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, P.S. Kop'ev, L.V. Asryan, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner. J. Appl. Phys., 83, 556 (1998)
  2. T. Lundstrom, W. Schoenfeld, H. Lee, P.M. Petroff. Science, 286, 2312 (1999)
  3. M. Korkusinski, P. Hawrylak. Phys. Rev. B, 63, 195 311 (2001)
  4. X.Q. Li, Y. Arakawa. Phys. Rev. A, 61, 06230 (2000)
  5. B. Partoens, F.M. Peeters. Phys. Rev. Lett., 84, 4433 (2000)
  6. F. Troiani, U. Hohenester, E. Molinari. Phys. Rev. B, 65, 161 301 (2002)
  7. M. Bayer, P. Hawrylak, K. Hinzer, S. Fafard, M. Korkusinski, Z.R. Wasilewski, O. Stern, A. Forchel. Science, 291, 451 (2001)
  8. W. Sheng, J-P. Leburton. Phys. Rev. Lett., 88, 16, 167 401 (2002)
  9. I. Shtrichman, C. Metzner, B.D. Gerardot, W.V. Schoenfeld, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 65, 081 303 (2002)
  10. H.J. Krenner, A. Zrenner, G. Abstreiter. In: Abstract 26th Int. Conf. on the Physics of Semicond. (Edinburgh, Scotland, UK, 29 July--2 August 2002) pt. 1, p. 204
  11. T. Bryllet, M. Borgstrom, T. Sass, B. Gustafson, L-E. Wernersson, W. Seifert, L. Samuelson. In: Abstract 26th Int. Conf. on the Physics of Semicond. (Edinburgh, Scotland, UK, 29 July--2 August 2002) pt. 3, p. 2
  12. М.М. Соболев, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов. ФТП, 36, 1089 (2002)
  13. M.M. Sobolev, V.M. Ustinov, G.E. Cirlin. Physica B, 340--342, 1103 (2003)
  14. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenrech. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
  15. S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistopl, L. Samuelson, W. Seifert. J. Appl. Phys., 84, 3747 (1998)
  16. A. Patan\`e, A. Levin, A. Polimeny, F. Schindler, P.C. Main, L. Eaves, M. Henini. Appl. Phys. Lett., 77, 2979 (2000)
  17. W. Sheng, J-P. Leburton. J. Appl. Phys., 81, 4449 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.