"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Осцилляции тока при латеральном транспорте в гетероструктурах GaAs / InGaAs с квантовыми ямами
Антонов А.В.1, Гавриленко В.И.1, Демидов Е.В.1, Звонков Б.Н.2, Ускова Е.А.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Измерены вольт-амперные характеристики и получены осциллограммы импульсов тока в многослойных гетероструктурах n-InGaAs / GaAs с квантовыми ямами и эпитаксиальных пленках n-GaAs с различным уровнем легирования. Показано, что при низких уровнях легирования в полях порядка 300-400 В/см имеет место насыщение вольт-амперных характеристик. В более сильно легированных образцах наблюдается возникновение осцилляций тока с периодом, соответствующим транспортной скорости (3-3.5)·105 см/с при E||[110] и примерно в 1.5 раза большим при E||[100]. Полученные результаты объясняются возникновением в структурах соответственно статических и движущихся акустоэлектрических доменов. В полях выше 1.5 кВ/см наблюдались высокочастотные осцилляции ганновского типа, соответствующие пролетной скорости электронов 1.5·107 см/с.
  1. Z.S. Gribnikov, K. Hess, G.A. Kozinovsky. J. Appl. Phys., 77 (4), 1337 (1995)
  2. М.С. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  3. V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, N.A. Bekin, V.I. Gavrilenko, A.V. Muravev, S.G. Pavlov, D.G. Revin, V.N. Shastin, I.G. Malkina, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov. Phys. Status Solidi (B), 204, 563 (1997)
  4. V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, N.A. Bekin, V.I. Gavrilenko, I.G. Malkina, D.G. Revin, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov. Physica B, 249--251, 971 (1998)
  5. V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, N.A. Bekin, A.V. Gavrilenko, V.I. Gavrilenko, D.G. Revin, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov, N.B. Zvonkov. Inst. Phys. Conf., Ser. No 162, IOP Publishing, 1999, p. 105
  6. В.Я. Алешкин, А.А. Андронов. Письма ЖЭТФ, 68, 73 (1998)
  7. В.Я. Алешкин, А.А. Андронов, А.А. Дубинов. ФТП, 37 (2), 224 (2003)
  8. В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов. ФТП, 36 (6), 724 (2002)
  9. V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, E.V. Demidov, A.A. Dubinov, V.I. Gavrilenko, D.G. Revin, B.N. Zvonkov, N.B. Zvonkov, E.A. Uskova, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, S.N. Danilov, I.E. Titkov, V.A. Shalygin, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov. Proc. SPIE, 4418, 192 (2001)
  10. Р.Х. Жукавин, С.Г. Павлов, В.Н. Шастин, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, изд-во ИФМ РАН, 2000) с. 157
  11. А.В. Антонов, В.И. Гавриленко, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, М.Н. Винославский, П.А. Белевский, А.В. Кравченко. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, изд-во ИФМ РАН, 2002) с. 215
  12. В.М. Рысаков. УФН, 161 (12), 1 (1991)
  13. В.М. Рысаков. ФТТ, 39 (5), 835 (1997)
  14. Ю.К. Пожела. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках (М., Наука, 1977) с. 163
  15. N. Balkan, B.K. Ridley, J.S. Roberts. Superlat. Microstruct., 5 (4), 539 (1989)
  16. V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, N.A. Bekin, V.I. Gavrilenko, D.G. Revin, E.R. Lin'kova, I.G. Malkina, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov. Abstracts Int. Symp. Nanostructures (St. Petersburg, Russia, 24--28 June 1996) p. 443
  17. B.K. Ridley. Semicond. Sci. Technol., 3, 542 (1988)
  18. J. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
  19. А.В. Антонов, А.В. Гавриленко, В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, М.Н. Винославский, П.А. Белевский, А.В. Кравченко. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, изд-во ИФМ РАН, 2003) т. 2, с. 215
  20. А.В. Антонов, А.В. Гавриленко, В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, М.Н. Винославский, П.А. Белевский, А.В. Кравченко. Изв. АН. Сер. физ. 68 (1), 68 (2004)
  21. А.В. Антонов, В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, изд-во ИФМ РАН, 2004) с. 195

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.