Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Осцилляции тока при латеральном транспорте в гетероструктурах GaAs / InGaAs с квантовыми ямами

Антонов А.В.¹, Гавриленко В.И.¹, Демидов Е.В.¹, Звонков Б.Н.², Ускова Е.А.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Измерены вольт-амперные характеристики и получены осциллограммы импульсов тока в многослойных гетероструктурах n-InGaAs / GaAs с квантовыми ямами и эпитаксиальных пленках n-GaAs с различным уровнем легирования. Показано, что при низких уровнях легирования в полях порядка 300-400 В/см имеет место насыщение вольт-амперных характеристик. В более сильно легированных образцах наблюдается возникновение осцилляций тока с периодом, соответствующим транспортной скорости (3-3.5)·10⁵ см/с при E||[110] и примерно в 1.5 раза большим при E||[100]. Полученные результаты объясняются возникновением в структурах соответственно статических и движущихся акустоэлектрических доменов. В полях выше 1.5 кВ/см наблюдались высокочастотные осцилляции ганновского типа, соответствующие пролетной скорости электронов 1.5·10⁷ см/с.

Z.S. Gribnikov, K. Hess, G.A. Kozinovsky. J. Appl. Phys., 77 (4), 1337 (1995)
М.С. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, N.A. Bekin, V.I. Gavrilenko, A.V. Muravev, S.G. Pavlov, D.G. Revin, V.N. Shastin, I.G. Malkina, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov. Phys. Status Solidi (B), 204, 563 (1997)
V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, N.A. Bekin, V.I. Gavrilenko, I.G. Malkina, D.G. Revin, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov. Physica B, 249--251, 971 (1998)
V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, N.A. Bekin, A.V. Gavrilenko, V.I. Gavrilenko, D.G. Revin, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov, N.B. Zvonkov. Inst. Phys. Conf., Ser. No 162, IOP Publishing, 1999, p. 105
В.Я. Алешкин, А.А. Андронов. Письма ЖЭТФ, 68, 73 (1998)
В.Я. Алешкин, А.А. Андронов, А.А. Дубинов. ФТП, 37 (2), 224 (2003)
В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов. ФТП, 36 (6), 724 (2002)
V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, E.V. Demidov, A.A. Dubinov, V.I. Gavrilenko, D.G. Revin, B.N. Zvonkov, N.B. Zvonkov, E.A. Uskova, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, S.N. Danilov, I.E. Titkov, V.A. Shalygin, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov. Proc. SPIE, 4418, 192 (2001)
Р.Х. Жукавин, С.Г. Павлов, В.Н. Шастин, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, изд-во ИФМ РАН, 2000) с. 157
А.В. Антонов, В.И. Гавриленко, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, М.Н. Винославский, П.А. Белевский, А.В. Кравченко. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, изд-во ИФМ РАН, 2002) с. 215
В.М. Рысаков. УФН, 161 (12), 1 (1991)
В.М. Рысаков. ФТТ, 39 (5), 835 (1997)
Ю.К. Пожела. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках (М., Наука, 1977) с. 163
N. Balkan, B.K. Ridley, J.S. Roberts. Superlat. Microstruct., 5 (4), 539 (1989)
V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, N.A. Bekin, V.I. Gavrilenko, D.G. Revin, E.R. Lin'kova, I.G. Malkina, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov. Abstracts Int. Symp. Nanostructures (St. Petersburg, Russia, 24--28 June 1996) p. 443
B.K. Ridley. Semicond. Sci. Technol., 3, 542 (1988)
J. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
А.В. Антонов, А.В. Гавриленко, В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, М.Н. Винославский, П.А. Белевский, А.В. Кравченко. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, изд-во ИФМ РАН, 2003) т. 2, с. 215
А.В. Антонов, А.В. Гавриленко, В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, М.Н. Винославский, П.А. Белевский, А.В. Кравченко. Изв. АН. Сер. физ. 68 (1), 68 (2004)
А.В. Антонов, В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, изд-во ИФМ РАН, 2004) с. 195

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель