Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизмы оптического усиления в сильно легированных Al_xGa_1-xN:Si-структурах (x=0.56-1)

Бохан П.А.¹, Журавлев К.С.¹, Закревский Д.Э.^1,2, Малин Т.В.¹, Фатеев Н.В.^1,3

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia

³Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: fateev@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 3 октября 2023 г.

В окончательной редакции: 10 ноября 2023 г.

Принята к печати: 11 ноября 2023 г.

Выставление онлайн: 12 января 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально исследованы параметры оптического усиления в шести сильно легированных Al_xGa_1-xN:Si-структурах с x=0.56, 0.62, 0.65, 0.68, 0.74, 1 при комнатной температуре. При оптическом возбуждении импульсным излучением λ=266 нм изучены механизмы стимулированной эмиссии для излучательной рекомбинации неравновесных носителей зарядов, приводящих к возникновению широкополосного излучения в широком диапазоне спектра (350-650 нм) с высоким квантовым выходом люминесценции. Высокие значения усиления (>10³ см^-1) реализуются за счет хорошего оптического качества исследуемых структур, больших значений сечений донорно-акцепторной рекомбинации (~10^-15 см²) и плотности (до 10²⁰ см^-3) центров излучательной рекомбинации. Ключевые слова: сильно легированные структуры Al_xGa_1-xN, оптическое усиление, электрон-акцепторная рекомбинация, донорно-акцепторная рекомбинация.

X. Zhao, K. Sun, S. Cui, B. Tang, H. Hu, S. Zhou. Adv. Photon. Res., 4, 2300061 (2023)
J. Wierer, N. Tansu. Laser Photon. Rev., 13, 1900141 (2019)
J.Y. Tsao, S. Chowdhury, M.A. Hollis, D. Jena, N.M. Johnson, K.A. Jones, R.J. Kaplar, S. Rajan, C.G. Van de Walle, E. Bellotti, C.L. Chua, R. Collazo, M.E. Coltrin, J.A. Cooper, K.R. Evans, S. Graham, T.A. Grotjohn, E.R. Heller, M. Higashiwaki, M.S. Islam, P.W. Juodawlkis, M.A. Khan, A.D. Koehler, J.H. each, U.K. Mishra, R.J. Nemanich, R.C.N. Pilawa--Podgurski, J.B. Shealy, Z. Sitar, M.J. Tadjer, A.F. Witulski, M. Wraback, J.A. Simmons. Adv. Electron. Mater., 4, 1600501 (2018)
P.A. Bokhan, N.V. Fateev, T.V. Malin, I.V. Osinnykh, D.E. Zakrevsky, K.S. Zhuravlev. Optical Mater., 105, 109879 (2020)
P.A. Bokhan, N.V. Fateev, T.V. Malin, I.V. Osinnykh, D.E. Zakrevsky, K.S. Zhuravlev. J. Luminesc., 252, 119392 (2022)
I.V. Osinnykh, T.V. Malin, D.S. Milakhin, V.F. Plyusnin, K.S. Zhuravlev. Jpn. J. Appl. Phys., 58, SCCB27 (2019)
P.A. Bokhan, N.V. Fateev, T.V. Malin, I.V. Osinnykh, Dm.E. Zakrevsky, K.S. Zhuravlev. J. Luminesc., 203, 127 (2018)
П.А. Бохан, К.С. Журавлев, Дм.Э. Закревский, Т.В. Малин, И.В. Осинных, Н.В. Фатеев. Письма ЖТФ, 45 (18), 48 (2019)
И.А. Зарубин, В.А. Лабусов, С.А. Бабин. Завод. лаб. Диагностика материалов, 85 (1(II)), 117 (2019)
B. Guo, Z.R. Qiu, K.S. Wong. Appl. Phys. Lett., 82, 2290 (2003)
О. Звелто. Принципы лазеров (М., Мир, 1990) с. 560
D.G. Thomas, J.J. Hopfield, W.A Augustyniak. Phys. Rev., 140, A202 (1965)
В.Ф. Агекян, Н.Р. Григорьева. Люминесценция полупроводниковых кристаллов (СПб., Изд-во Санкт-Петербургского гос. ун-та, 2016) с.155
S. Kuck. Appl. Phys. B, 72 515 (2001)
U. Ozgur, G. Webb.Wood, H.O. Everitt, F. Yun, H. Morko c. Appl. Phys. Lett., 79, 4103 (2001)
П.А. Бохан, К.С. Журавлев, Дм.Э. Закревский, Т.В. Малин, И.В. Осинных, Н.В. Фатеев. ФТП, 56 (12), 1125 (2022)
R. Quay. Gallium Nitride Electronics (Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg, 2008) p.470.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель