Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 8 » Статья стр. 710
<<<
Разработка способа травления фотодиодных InAs/InAsSbP-гетероструктур
Пивоварова А.А.1, Ильинская Н.Д.1, Куницына Е.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pivovarova.antonina@iropto.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 25 октября 2023 г.
Принята к печати: 4 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.
PDF версия
Предложен способ травления фотодиодных InAs/InAsSbP-гетероструктур с помощью нового прецезионного травителя HBr : KMnO4 с низкой постоянной скоростью травления. Изменение соотношения компонентов травителя дает возможность задавать скорость травления в диапазоне 0.1-1.6 мкм/мин без ухудшения качества боковой поверхности мезаструктуры. Применение HBr : KMnO4 при создании InAs/InAsSbP-фотодиодов позволило снизить обратные темновые токи и уменьшить разброс их величины от прибора к прибору. Образцы с диаметром чувствительной площадки 300 мкм демонстрируют минимальную плотность тока j=5.7·10-2 А/см2 и типичную - j=15.5·10-2 А/см2. Максимальное значение R0 при комнатной температуре составляет 1654 Ом, при этом R_0A - 1.17 Ом·см2. Ключевые слова: травитель, арсенид индия, фотодиод, обратные темновые токи, дифференциальное сопротивление.
  1. Г.Ю. Сотникова, С.А. Александров, Г.А. Гаврилов. Успехи прикл. физики, 10 (4), 389 (2022). DOI: 10.51368/2307-4469-2022-10-4-389-403
  2. https://vigophotonics.com/product/pva-3-d1-2-smd-pal2o3-115/\#specification
  3. S.A. Karandashev, T.S. Lukhmyrina, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, A.A. Usikova, Phys. Status Solidi A: Appl. Mater., 219 (2), ArtNo: 2100456 (2022). DOI: 10.1002/pssa.202100456
  4. S. Woo, G. Ryu, S.S. Kang, T.S. Kim, N. Hong, J.-H. Han, R.J. Chu, I.-H. Lee, D. Jung, W.J. Choi. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2021, 13 (46), 55648 (2021). DOI: 10.1021/acsami.1c14687
  5. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников, под ред. Б.Д. Луфт (М., Радио и связь, 1982) с. 37
  6. A.R.J. Marshall, C.H. Tan, J.P.R. David, J.S. Ng, M. Hopkinson. In: Fabrication of InAs photodiodes with reduced surface leakage current, ed. by J.G. Grote, F. Kajzar, M. Lindgren (Proc. SPIE, 6740, 67400H, 2007). DOI: 10.1117/12.740700
  7. D. Pasquariello, E.S. Bjorlin, D. Lasaosa, Y.-J. Chiu, J. Piprek, J.E. Bowers. J. Lighwave Techn., 24 (3), 1470 (2006)
  8. Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, А.А. Усикова, Н.Д. Ильинская. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра. Пат. N 2599905, Российская Федерация, приоритет изобретения 11 мая 2012 г
  9. А.В. Малевская, Н.Д. Ильинская, В.М. Андреев. Письма ЖТФ, 45 (24), 14 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.24.48795.17953 [A.V. Malevskaya, N.D. Il'inskaya, V.M. Andreev. Tech. Phys. Lett., 45, 1230 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019120241]
  10. A.S. Kurochkin, A.V. Babichev, D.V. Denisov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.N. Sofronov, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, A. Bousseksou, A.Yu. Egorov. J. Phys.: Conf. Ser., 993, 012031 (2018). DOI: 10.1088/1742-6596/993/1/012031
  11. I. Levchenko, V. Tomashyk, G. Malanych, I. Stratiychuk, A. Korchovyi. Appl. Nanoscience, 12, 1139 (2022). DOI: 10.1007/s13204-021-01784-w
  12. J. Na, S. Lee, S. Lim. Surf. Sci., 658, 22 (2017). DOI: 10.1016/j.susc.2017.01.002
  13. А.А. Пивоварова, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Ильинская. Неделя науки СПбПУ: Матер. научной конференции с международным участием (СПб., Россия, 2014) с. 246
  14. Г.А. Гаврилов, Б.А. Матвеев, Г.Ю. Сотникова. Письма ЖТФ, 37 (18), 50 (2011). [G.A. Gavrilov, B.A. Matveev, G.Y. Sotnikova. Phys. Lett., 37 (9), 866 (2011). DOI: 10.1134/S1063785011090197]
  15. N. Dyakonova, S.A. Karandashev, M.E. Levinshtein, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, A.A. Usikova. Infr. Phys. Technol., 117, 103867 (2021). DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103867
  16. Н.Д. Ильинская, А.А. Пивоварова, Е.В. Куницына, Ю.П. Яковлев. Способ изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе многослойной структуры. Пат. N 2783353, Российская Федерация, приоритет изобретения 10 марта 2022 г
  17. https://www.hamamatsu.com/content/dam/hamamatsu-photonics/sites/documents/99_SALES_LIBRARY/ssd/si_pd_kspd 9001e.pdf, p. 4
  18. К. Хаускрофт, Э. Констебл. Современный курс общей химии. Т. 1. Пер. с англ. под ред. Я.А. Ребане и др. (М., Мир, 2002) с. 513. [C.E. Housecroft, E.C. Constable. Chemistry: An Integrated Approach (Addison Wesley Longman Ltd., London, 1997)]
  19. Металлургия благородных металлов, под ред. Л.В. Чугаева (М., Металлургия, 1987) с. 80
  20. https://www.hamamatsu.com/content/dam/hamamatsu-photonics/sites/documents/99_SALES_LIBRARY/ssd/p10090-01_etc_kird1099e.pdf, p. 3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme