Влияние электрохимической модификации тонкого покровного слоя Ga(In)As на энергетический спектр квантовых точек InAs / GaAs
Карпович И.А.1, Здоровейщев А.В.1, Тихов С.В.1, Демина П.Б.1, Хапугин О.Е.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Показано, что селективное травление и анодное окисление тонкого покровного слоя Ga(In)As позволяют уменьшить энергию основного перехода в квантовых точках InAs / GaAs от ~0.9 до ~0.7 эВ в результате частичной релаксации упругих напряжений. Аналогичная обработка поверхностных квантовых точек увеличивает энергию перехода в результате уменьшения высоты квантовых точек.
- H. Saito, K. Nishi, S. Sugou. Appl. Phys. Lett. 73, 2742 (1998)
- S. Fafard. Appl. Phys. Lett. 76, 2707 (2000)
- K. Nishi, H. Saito, S. Sugou. J.-S. Lee. Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999)
- И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.В. Тихов, Д.О. Филатов, А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков. ФТП, 38, 448 (2004)
- Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. ФТП, 35, 92 (2001)
- I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, S.B. Levichev, A.V. Zdoroveichev, V.A. Perevoshikov. Phys. Low-Dim. Structur., 3 / 4, 341 (2001)
- И.А. Карпович, А.П. Горшков, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Д.О. Филатов. ФТП, 35, 564 (2001)
- Э.В. Буц, Л.Н. Возмилова. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, N 1, 100 (1976)
- S. Hu. J. Appl. Phys., 45, 1567 (1976)
- А.Ф. Вяткин, Ф.Г. Итальянцев, И.В. Конецкий, В.И. Мордкович, Э.М. Темпер. Поверхность, N 11, 67 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
