"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние электрохимической модификации тонкого покровного слоя Ga(In)As на энергетический спектр квантовых точек InAs / GaAs
Карпович И.А.1, Здоровейщев А.В.1, Тихов С.В.1, Демина П.Б.1, Хапугин О.Е.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Показано, что селективное травление и анодное окисление тонкого покровного слоя Ga(In)As позволяют уменьшить энергию основного перехода в квантовых точках InAs / GaAs от ~0.9 до ~0.7 эВ в результате частичной релаксации упругих напряжений. Аналогичная обработка поверхностных квантовых точек увеличивает энергию перехода в результате уменьшения высоты квантовых точек.
  1. H. Saito, K. Nishi, S. Sugou. Appl. Phys. Lett. 73, 2742 (1998)
  2. S. Fafard. Appl. Phys. Lett. 76, 2707 (2000)
  3. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou. J.-S. Lee. Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999)
  4. И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.В. Тихов, Д.О. Филатов, А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков. ФТП, 38, 448 (2004)
  5. Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. ФТП, 35, 92 (2001)
  6. I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, S.B. Levichev, A.V. Zdoroveichev, V.A. Perevoshikov. Phys. Low-Dim. Structur., 3 / 4, 341 (2001)
  7. И.А. Карпович, А.П. Горшков, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Д.О. Филатов. ФТП, 35, 564 (2001)
  8. Э.В. Буц, Л.Н. Возмилова. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, N 1, 100 (1976)
  9. S. Hu. J. Appl. Phys., 45, 1567 (1976)
  10. А.Ф. Вяткин, Ф.Г. Итальянцев, И.В. Конецкий, В.И. Мордкович, Э.М. Темпер. Поверхность, N 11, 67 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.