Вышедшие номера
Селекция латеральных мод микролинеек одномодовых лазерных диодов (1050 нм) во внешнем резонаторе
Подоскин А.А.1, Шушканов И.В.1, Ризаев А.Э.1, Кондратов М.И.1, Гришин А.Е.1, Слипченко С.О.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: podoskin@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.

Исследованы излучательные характеристики микролинеек лазерных диодов, работающих во внешнем резонаторе на основе асферической линзы и плоского диэлектрического зеркала. Микролинейки имели излучающую апертуру 185 мкм, сформированную 10 полосками шириной 6 мкм, разделенными мезаканавками. Работа во внешнем резонаторе всей излучающей апертуры характеризуется многомодовым режимом генерации с пиковой мощностью 3 Вт/6 А. Селекция латеральных модовых структур и переход к одномодовому режиму возможен за счет ограничения количества полосков, вовлеченных в обратную связь. Продемонстрированы закономерности перестроения модовых конфигураций при введении ограничивающих экранов во внешний резонатор. Показано, что ограничение излучающей апертуры, вовлеченной в обратную связь, до 65 мкм позволяет реализовать режим генерации на одной общей латеральной моде с расходимостью в дальней зоне для центрального лепестка 1o. Ключевые слова: лазерная линейка, внешний резонатор, мода высокого порядка.
  1. S.O. Slipchenko, D.A. Veselov, V.V. Zolotarev, A.V. Lyutetskii, A.A. Podoskin, Z.N. Sokolova, V.V. Shamakhov, I.S. Shashkin, P.S. Kop'ev, N.A. Pikhtin. Bull. Lebedev Phys. Inst., 50, S494 (2023). DOI: 10.3103/S1068335623160108
  2. P. Crump, G. Erbert, H. Wenzel, C. Frevert, C.M. Schultz, K.-H. Hasler, R. Staske, B. Sumpf, A. Maab dorf, F. Bugge, S. Knigge, G. Trankle. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron.,  19, 1501211 (2013). DOI: 10.1109/JSTQE.2013.2239961
  3. B. Sumpf, K.H. Hasler, P. Adamiec, F. Bugge, F. Dittmar, J.O. Fricke, H. Wenzel, M. Zorn, G.O. Erbert, G. Trankle. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron.,  15, 1009 (2009). DOI: 10.1109/JSTQE.2008.2010952
  4. G. Hergenhan, B. Lucke, U. Brauch. Appl. Optics,  42, 1667 (2003). DOI: 10.1364/AO.42.001667
  5. M. Yoshida, S. Katsuno, T. Inoue, J. Gelleta, K. Izumi, M. De Zoysa, K. Ishizaki, S. Noda. Nature, 618, 727 (2023). DOI: 10.1038/s41586-023-06059-8
  6. H. Wenzel, S. Schwertfeger, A. Klehr, D. Jedrzejczyk, T. Hoffmann, G. Erbert. Optics Lett.,  37, 1826 (2012). DOI: 10.1364/OL.37.001826
  7. H. Wenzel, K. Paschke, O. Brox, F. Bugge, J. Fricke, A. Ginolas, A. Knauer, P. Ressel, G. Erbert. Electron. Lett., 43, 1 (2007)
  8. H. Wenzel, A. Klehr, S. Schwertfeger, A. Liero, T. Hoffmann, O. Brox, M. Thomas, G. Erbert, G. Trankle. Proc. Volume 8241, High-Power Diode Laser Technology and Applications X (82410V, San Francisco, California, United States, 2012). DOI: 10.1117/12.906320
  9. S. Riecke, S. Schwertfeger, K. Lauritsen, K. Paschke, R. Erdmann, G. Trankle. Appl. Phys. B,  98, 295 (2010). DOI: 10.1007/s00340-009-3672-z
  10. M. Niebuhr, C. Zink, A. Jechow, A. Heuer, L.B. Glebov, R. Menzel. Opt. Express, 23, 12394 (2015). DOI:10.1364/OE.23.012394
  11. A. Jechow, M. Lichtner, R. Menzel, M. Radziunas, D. Skoczowsky, A.G. Vladimirov. Opt. Express, 17, 19599 (2009). DOI: 10.1364/OE.17.019599
  12. A. Podoskin, V. Golovin, P. Gavrina, D. Veselov, V. Zolotarev, V. Shamakhov, D. Nikolaev, A. Leshko, S. Slipchenko, N. Pikhtin, P. Kop\`ev. Appl. Optics,  58, 9089 (2019). DOI: 10.1364/AO.58.009089
  13. A.A. Podoskin, V.S. Golovin, P.S. Gavrina, D.A. Veselov, V.V. Zolotarev, V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, I.S. Shashkin, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, P.S. Kop\`ev. JOSA B,  37, 784 (2020). DOI: 10.1364/JOSAB.384971
  14. S.O. Slipchenko, I.S. Shashkin, D.A. Veselov, V.A. Kriychkov, A.E. Kazakova, A.Y. Leshko, V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin. J. Light Technol., 40, 2933 (2022). DOI: 10.1109/JLT.2022.3144663

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.