Селекция латеральных мод микролинеек одномодовых лазерных диодов (1050 нм) во внешнем резонаторе
Подоскин А.А.1, Шушканов И.В.1, Ризаев А.Э.1, Кондратов М.И.1, Гришин А.Е.1, Слипченко С.О.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: podoskin@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.
Исследованы излучательные характеристики микролинеек лазерных диодов, работающих во внешнем резонаторе на основе асферической линзы и плоского диэлектрического зеркала. Микролинейки имели излучающую апертуру 185 мкм, сформированную 10 полосками шириной 6 мкм, разделенными мезаканавками. Работа во внешнем резонаторе всей излучающей апертуры характеризуется многомодовым режимом генерации с пиковой мощностью 3 Вт/6 А. Селекция латеральных модовых структур и переход к одномодовому режиму возможен за счет ограничения количества полосков, вовлеченных в обратную связь. Продемонстрированы закономерности перестроения модовых конфигураций при введении ограничивающих экранов во внешний резонатор. Показано, что ограничение излучающей апертуры, вовлеченной в обратную связь, до 65 мкм позволяет реализовать режим генерации на одной общей латеральной моде с расходимостью в дальней зоне для центрального лепестка 1o. Ключевые слова: лазерная линейка, внешний резонатор, мода высокого порядка.
- S.O. Slipchenko, D.A. Veselov, V.V. Zolotarev, A.V. Lyutetskii, A.A. Podoskin, Z.N. Sokolova, V.V. Shamakhov, I.S. Shashkin, P.S. Kop'ev, N.A. Pikhtin. Bull. Lebedev Phys. Inst., 50, S494 (2023). DOI: 10.3103/S1068335623160108
- P. Crump, G. Erbert, H. Wenzel, C. Frevert, C.M. Schultz, K.-H. Hasler, R. Staske, B. Sumpf, A. Maab dorf, F. Bugge, S. Knigge, G. Trankle. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 19, 1501211 (2013). DOI: 10.1109/JSTQE.2013.2239961
- B. Sumpf, K.H. Hasler, P. Adamiec, F. Bugge, F. Dittmar, J.O. Fricke, H. Wenzel, M. Zorn, G.O. Erbert, G. Trankle. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 15, 1009 (2009). DOI: 10.1109/JSTQE.2008.2010952
- G. Hergenhan, B. Lucke, U. Brauch. Appl. Optics, 42, 1667 (2003). DOI: 10.1364/AO.42.001667
- M. Yoshida, S. Katsuno, T. Inoue, J. Gelleta, K. Izumi, M. De Zoysa, K. Ishizaki, S. Noda. Nature, 618, 727 (2023). DOI: 10.1038/s41586-023-06059-8
- H. Wenzel, S. Schwertfeger, A. Klehr, D. Jedrzejczyk, T. Hoffmann, G. Erbert. Optics Lett., 37, 1826 (2012). DOI: 10.1364/OL.37.001826
- H. Wenzel, K. Paschke, O. Brox, F. Bugge, J. Fricke, A. Ginolas, A. Knauer, P. Ressel, G. Erbert. Electron. Lett., 43, 1 (2007)
- H. Wenzel, A. Klehr, S. Schwertfeger, A. Liero, T. Hoffmann, O. Brox, M. Thomas, G. Erbert, G. Trankle. Proc. Volume 8241, High-Power Diode Laser Technology and Applications X (82410V, San Francisco, California, United States, 2012). DOI: 10.1117/12.906320
- S. Riecke, S. Schwertfeger, K. Lauritsen, K. Paschke, R. Erdmann, G. Trankle. Appl. Phys. B, 98, 295 (2010). DOI: 10.1007/s00340-009-3672-z
- M. Niebuhr, C. Zink, A. Jechow, A. Heuer, L.B. Glebov, R. Menzel. Opt. Express, 23, 12394 (2015). DOI:10.1364/OE.23.012394
- A. Jechow, M. Lichtner, R. Menzel, M. Radziunas, D. Skoczowsky, A.G. Vladimirov. Opt. Express, 17, 19599 (2009). DOI: 10.1364/OE.17.019599
- A. Podoskin, V. Golovin, P. Gavrina, D. Veselov, V. Zolotarev, V. Shamakhov, D. Nikolaev, A. Leshko, S. Slipchenko, N. Pikhtin, P. Kop\`ev. Appl. Optics, 58, 9089 (2019). DOI: 10.1364/AO.58.009089
- A.A. Podoskin, V.S. Golovin, P.S. Gavrina, D.A. Veselov, V.V. Zolotarev, V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, I.S. Shashkin, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, P.S. Kop\`ev. JOSA B, 37, 784 (2020). DOI: 10.1364/JOSAB.384971
- S.O. Slipchenko, I.S. Shashkin, D.A. Veselov, V.A. Kriychkov, A.E. Kazakova, A.Y. Leshko, V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin. J. Light Technol., 40, 2933 (2022). DOI: 10.1109/JLT.2022.3144663
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.