Электролюминесцентные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaInNAs
Мурель А.В.1, Данильцев В.М.1, Дроздов Ю.Н.1, Гапонова Д.М.1, Шашкин В.И.1, Шмагин В.Б.1, Хрыкин О.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Квантовые ямы GaInNAs выращивались методом металлорганической газофазной эпитаксии. Для улучшения оптических свойств с обеих сторон квантовой ямы встраивались барьеры GaNAs, компенсирующие упругие напряжения. Характеристики оптических переходов оценивались из измерений фотолюминесценции и фототока. Для изготовления светоизлучающих диодов использовались невплавные омические контакты на основе сильно легированных delta-слоев. Электролюминесценция наблюдалась на длине волны ~ 1.2 мкм при температурах 77 и 300 K, ее интенсивность зависела линейно от инжектирующего тока, выше некоторого порогового значения.
- T. Kitatani, M. Kondow, T. Tanaka. J. Cryst. Growth, 221, 491 (2000)
- S. Sato. Japan. J. Appl. Phys., 39, 3403 (2000)
- E.-M. Pavelescu, T. Jouhti, C.S. Peng, W. Li, J. Lonttinen, D. Dumitrescu, P. Laukkanen, M. Pessa. J. Cryst. Growth, 241, 31 (2002)
- N. Tansu, J.-Y. Yeh, J. Mawst. J. Appl. Phys. Lett., 83, 2512 (2003)
- А.В. Мурель, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.М. Гапонова, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Изв. РАН. Сер. физ., 68 (1), 87 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
