"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электролюминесцентные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaInNAs
Мурель А.В.1, Данильцев В.М.1, Дроздов Ю.Н.1, Гапонова Д.М.1, Шашкин В.И.1, Шмагин В.Б.1, Хрыкин О.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Квантовые ямы GaInNAs выращивались методом металлорганической газофазной эпитаксии. Для улучшения оптических свойств с обеих сторон квантовой ямы встраивались барьеры GaNAs, компенсирующие упругие напряжения. Характеристики оптических переходов оценивались из измерений фотолюминесценции и фототока. Для изготовления светоизлучающих диодов использовались невплавные омические контакты на основе сильно легированных delta-слоев. Электролюминесценция наблюдалась на длине волны ~ 1.2 мкм при температурах 77 и 300 K, ее интенсивность зависела линейно от инжектирующего тока, выше некоторого порогового значения.
  1. T. Kitatani, M. Kondow, T. Tanaka. J. Cryst. Growth, 221, 491 (2000)
  2. S. Sato. Japan. J. Appl. Phys., 39, 3403 (2000)
  3. E.-M. Pavelescu, T. Jouhti, C.S. Peng, W. Li, J. Lonttinen, D. Dumitrescu, P. Laukkanen, M. Pessa. J. Cryst. Growth, 241, 31 (2002)
  4. N. Tansu, J.-Y. Yeh, J. Mawst. J. Appl. Phys. Lett., 83, 2512 (2003)
  5. А.В. Мурель, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.М. Гапонова, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Изв. РАН. Сер. физ., 68 (1), 87 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.