Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование одиночных и гетероструктурированных нитевидных нанокристаллов на основе твердых растворов InAs_1-xP_x на Si(111)

DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56782.5018C

Российский научный фонд, 22-19-00494

Министерство образования и науки Российской Федерации, FSRM-2023-0007

Кавеев А.К.^1,2, Федоров В.В.^1,3, Дворецкая Л.Н.^1,3, Федина С.В.^1,3, Мухин И.С.^1,3

¹Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Email: kaveevandrei@yandex.ru, burunduk.uk@gmail.com, liliyabutler@gmail.com, fedina.serg@yandex.ru

Поступила в редакцию: 10 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 13 июля 2023 г.

Принята к печати: 30 октября 2023 г.

Выставление онлайн: 8 декабря 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследован рост массивов нитевидных нанокристаллов на основе InAsP на кремниевых подложках. Обнаружено, что в процессе роста формируются две структурных фазы: кубическая структура типа сфалерита и гексагональная структура типа вюрцита. Определены эпитаксиальные соотношения InAsP и Si: [0001]_ННК||[111]_Si, [1120]_ННК||[110]_Si. При формировании тонких (<100 нм) сегментов твердого раствора InAs_1-xP_x и сохранении достаточно высокого парциального давления потока As (не менее 50%) выявлено снижение скорости радиального роста и формирование аксиального гетероперехода. Ключевые слова: InAsP, нитевидные нанокристаллы, молекулярно-лучевая эпитаксия.

H. Yonezu, Y. Furukawa, A. Wakahara. J. Cryst. Growth, 310 (23), 4757 (2008). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.073
G. Roelkens, L. Liu, D. Liang, R. Jones, A. Fang, B. Koch, J. Bowers. Laser Photon. Rev., 4 (6), 751 (2010). DOI: 10.1002/lpor.200900033
T. M rtensson, C.P.T. Svensson, B.A. Wacaser, M.W. Larsson, W. Seifert, K. Deppert, A. Gustafsson, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Nano Lett., 4 (10), 1987 (2004). DOI: 10.1021/nl0487267
K. Takase, Y. Ashikawa, G. Zhang, K. Tateno, S. Sasaki. Sci. Rep., 7 (1), 930 (2017). DOI: 10.1038/s41598-017-01080-0
M. Robson, K.M. Azizur-Rahman, D. Parent, P. Wojdylo, D.A. Thompson, R.R. LaPierre. Nano Futur., 1 (3), 035001 (2017). DOI: 10.1088/2399-1984/aa9015
В.Г. Дубровский. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур (М., Физматлит, 2009)
A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133 (4), 666 (1986). DOI: 10.1149/1.2108651
J. Jo, Y. Tchoe, G. Yi, M. Kim. Sci. Rep., 8, 1694 (2018). DOI: 10.1038/s41598-018-19857-2
D. Ren, A.C. Farrell, B.S. Williams, D.L. Huffaker. Nanoscale, 9 (24), 8220 (2017). DOI: 10.1039/C7NR00948H
I. Isakov, M. Panfilova, M.J.L. Sourribes, V. Tileli, A.E. Porter, P. A. Warburton. Nanotechnology, 24 (8), 085707 (2013). DOI: 10.1088/0957- 4484/24/8/085707

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель