"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками
Максимов М.В.1, Сизов Д.С.1, Макаров А.Г.1, Каяндер И.Н.1, Асрян Л.В.1, Жуков А.Е.1, Устинов В.М.1, Черкашин Н.А.1, Берт Н.А.1, Леденцов Н.Н.2, Bimberg D.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Технический университет Берлина, Берлин, Германия
Поступила в редакцию: 20 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Исследовано влияние дислокаций на интенсивность фотолюминесценции структур с квантовыми точками в системе InAs--GaAs. Структурные характеристики образцов, в том числе плотность дислокаций, исследовались электронной микроскопией как в режиме светлого поля, так и в режиме слабого пучка. При температурах ниже комнатной и умеренных плотностях мощности накачки структура, содержащая большие кластеры с дислокациями, и структура, в которой их плотность существенно меньше, имеют примерно одинаковую интенсивность фотолюминесценции. В противоположность этому интенсивности люминесценции, измеренные при больших плотностях накачки и повышенных температурах, позволяют адекватно оценить кристаллическое качество структур с квантовыми точками. Отжиг квантовых точек после заращивания их тонким (1--2 нм) слоем GaAs позволяет уменьшить плотность кластеров с дислокациями и существенно увеличить температурную стабильность интенсивности фотолюминесценции.
  1. N.N. Ledentsov. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8, 1015 (2002)
  2. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, S.V. Zaitsev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
  3. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000)
  4. D. Bimberg, M. Grundman, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterostructures (John Wiley \& Sons, 1999)
  5. M. Grundman. Nano-optoelectronics Concepts, Physics and Devices (Springer, 2002)
  6. Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33 (8), 990 (1999)
  7. N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, D. Bimberg, T. Maka, C.M. Sotomayor Torres, I.V. Kochnev, I.L. Krestnikov, V.M. Lantratov, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, Zh.I. Alferov. Semicond Sci. Technol., 15 (6), 604 (2000)
  8. J.M. Jerard, O. Cabrol, B. Sermage. Appl. Phys. Lett., 68, 3123 (1996)
  9. K.K. Linder, J. Phillips, O. Qasaimeh, X.F. Liu, S. Krishna, P. Bhattacharya, J.C. Jiang. Appl. Phys. Lett., 74, 1355 (1999)
  10. L. A. Graham, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 74, 2408 (1999)
  11. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond Sci. Technol., 11 (4), 554 (1996).
  12. M.V. Maximov, L.V. Asryan, Yu.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (5), 676 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.