Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Технология получения и возможности управления характеристиками структур с квантовыми точками
Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 9 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.
Полупроводниковые гетерoструктуры с квантовыми точками для приборных применений в настоящее время синтезируются с использованием эффекта спонтанной трансформации поверхности роста на начальной стадии гетероэпитаксии слоев, отличающихся параметрами решетки. При достижении определенной критической толщины плоская поверхность роста преобразуется в массив наноразмерных островков, как это было впервые продемонстрировано для системы InAs/GaAs. Для различных приборных применений необходимо иметь возможность управлять формой и размерами квантовых точек, что достигается путем изменения эффективной толщины слоя InAs, осаждением нескольких рядов квантовых точек, использованием разных материалов в качестве матрицы, использованием метаморфного буферного слоя, добавлением небольших количеств азота в квантовые точки и материал матрицы.
- L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin et al. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
- D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Chichester Wiley, 1999)
- S.S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt et al. Phys. Rev. B, 51, 14 766 (1995)
- А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев и др. ФТП, 30, 1345 (1996)
- D. Leonard, M. Krishnamurthy et al. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993)
- A.E. Zhukov, V.M. Ustinov et al. J. Electron Mater., 27, 106 (1998)
- А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов и др. ФТП, 30, 1793 (1996)
- В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников и др. ФТП, 31, 1256 (1997)
- V.M. Ustinov, E.R. Weber, S. Ruvimov et al. Appl. Phys. Lett., 72, 362 (1998)
- Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen et al. Phys. Rev. Lett., 75, 2542 (1995)
- V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov et al. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 417, 141 (1996)
- A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov et al. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 571, 109 (1998)
- S.S. Mikhrin, A.E. Zhukov et al. Semicond. Sci. Technol., 15, 1061 (2000)
- V.M. Ustinov, N.A. Maleev et al. Appl. Phys. Lett., 74, 2815 (1999)
- V.M. Ustinov, A.E. Zhukov et al. Microelectronics J., 31, 1 (2000)
- А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин и др. ФТП, 37, 1143 (2003)
- V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
- В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская и др. Письма ЖТФ, 28, 82 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
