"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Технология получения и возможности управления характеристиками структур с квантовыми точками
Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.

Полупроводниковые гетерoструктуры с квантовыми точками для приборных применений в настоящее время синтезируются с использованием эффекта спонтанной трансформации поверхности роста на начальной стадии гетероэпитаксии слоев, отличающихся параметрами решетки. При достижении определенной критической толщины плоская поверхность роста преобразуется в массив наноразмерных островков, как это было впервые продемонстрировано для системы InAs/GaAs. Для различных приборных применений необходимо иметь возможность управлять формой и размерами квантовых точек, что достигается путем изменения эффективной толщины слоя InAs, осаждением нескольких рядов квантовых точек, использованием разных материалов в качестве матрицы, использованием метаморфного буферного слоя, добавлением небольших количеств азота в квантовые точки и материал матрицы.
  1. L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin et al. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  2. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Chichester Wiley, 1999)
  3. S.S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt et al. Phys. Rev. B, 51, 14 766 (1995)
  4. А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев и др. ФТП, 30, 1345 (1996)
  5. D. Leonard, M. Krishnamurthy et al. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993)
  6. A.E. Zhukov, V.M. Ustinov et al. J. Electron Mater., 27, 106 (1998)
  7. А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов и др. ФТП, 30, 1793 (1996)
  8. В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников и др. ФТП, 31, 1256 (1997)
  9. V.M. Ustinov, E.R. Weber, S. Ruvimov et al. Appl. Phys. Lett., 72, 362 (1998)
  10. Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen et al. Phys. Rev. Lett., 75, 2542 (1995)
  11. V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov et al. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 417, 141 (1996)
  12. A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov et al. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 571, 109 (1998)
  13. S.S. Mikhrin, A.E. Zhukov et al. Semicond. Sci. Technol., 15, 1061 (2000)
  14. V.M. Ustinov, N.A. Maleev et al. Appl. Phys. Lett., 74, 2815 (1999)
  15. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov et al. Microelectronics J., 31, 1 (2000)
  16. А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин и др. ФТП, 37, 1143 (2003)
  17. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
  18. В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская и др. Письма ЖТФ, 28, 82 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.