"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование характеристик фотодиодных линеек на InSb
Бирюлин П.В.1, Туринов В.И.1, Якимов Е.Б.2
1Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 18 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

Исследованы электрические характеристики из 8-элементных сурьмянисто-индиевых фотодиодных линеек при T=78-145 K. Коэффициенты взаимной связи соседних p-n-переходов не превышали 4.3%. При исследовании поверхности имплантированных цинком p-n-переходов в режиме вторичных электронов и методом наведенного тока в растровом микроскопе у них выявлены дефекты под пленкой ZnS, а также локальные неоднородности тока через p-n-переходы.
  1. C.E. Hurwitz, J.P. Donnelly. Sol. St. Electron., 18, 753 (1975)
  2. О.В. Косогов, Л.С. Перевязкин. ФТП, 5, 1611 (1970)
  3. В.А. Богатырев, Г.А. Качурин, Л.С. Смирнов. ФТП, 12, 102 (1978)
  4. В.А. Богатырев, Г.А. Качурин, Л.С. Смирнов. ФТП, 12, 878 (1978)
  5. А.Б. Коршунов. ФТП, 13, 1846 (1979)
  6. В.И. Стафеев. ЖТФ, 28, 1631 (1958)
  7. В.И. Туринов. Тез. докл. 9-й науч.-техн. конф. Фотометрия и ее метрологическое обеспечение" , 24-26 ноября (М., ВНИИОФИ, 1992) с. 43
  8. Г.Н. Панин, В.Ф. Кулешов, Е.Б. Якимов. Тез. докл. VII Всес. симп. Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы" (Изд-во Львов, гос. ун-та, 1986) ч. 1, с. 43
  9. Е.Б. Якимов. Изв. РАН. Сер. физ., 56, 31 (1992)
  10. I. Bloom, Y. Nemirovsky. IEEE Trans. Electron. Dev., 38, 1792 (1991)
  11. G.C. Bailey, C.A. Niblack, J.T. Wimmers. SPIE, 686, 76 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.