"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительность структур на пятикомпонентных твердых растворах изоэлектронного ряда германия
Вайполин А.А.1, Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический универитет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

Исследована температурная зависимость удельного сопротивления и спектр оптического поглощения монокристаллов (Cu2GaSe3)0.6(3GaAs)0.4. Определена энергия активации донорных центров и ширина запрещенной зоны монокристаллов твердого раствора. Созданы фоточувствительные структуры нескольких типов: барьеры Шоттки, сварные структуры и фотоэлектрохимиеские ячейки. На полученных структурах обнаружено выпрямление и фотовольтаический эффект. Обсуждаются также выявленные особенности процессов фоточувствительности в структурах и возможности их практического применения в качестве фотопреобразователей.
  1. Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., Изд-во ЛГУ, 1963)
  2. О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
  3. Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, N.N. Ledentzov. Semiconductor heterostructures. In: Ioffe Institute. 1918-1998 (St. Petersburg, Ioffe Inst., 1998)
  4. Г.К. Аверкиева, Г.В. Бердичевский, А.А. Вайполин, Н.А. Горюнова, В.Д. Прочухан. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 4, 1064 (1968)
  5. А.А. Вайполин. ФТТ, 31, 165 (1989)
  6. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
  7. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  8. H.Y. Fan, M.O. Becker. Proc. Conf. of Semicond. Mater. (N.Y., Academic Press, 1951)
  9. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.