"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электротранспортные процессы в монокристаллах антимонида галлия с участием расплавленных включений GaSb--Sn
Орлов А.М.1, Скворцов А.А.1, Саланов А.А.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

Исследована электромиграция расплавленных включений на основе олова в монокристаллическом (111) p-GaSb(Zn). Показано, что в температурном интервале T=750-920 K расплавленные включения вытесняются током (j=(1-4)· 105 А/м2) в направлении отрицательного электрода. Установлен механизм этого явления, связанный с концентрационными изменениями в объеме расплавленного включения. Отмечено, что транспорт включений спровоцирован двумя конкурирующими процессами: температурными изменениями на межфазных границах под воздействием теплоты Пельтье и силами электропереноса, приводящими к перераспределению компонентов с учетом их эффективных зарядов в расплаве. Установлена размерная зависимость скорости перемещения включений W в объеме монокристаллической матрицы: W возрастает с увеличением размера включений. Независимыми методами экспериментально определены численные значения термоэлектрических параметров всех контактирующих фаз. Это позволило по согласованию теории с экспериментом провести количественную оценку не только эффективного заряда полупроводника в расплаве Z*, но и объяснить размерную зависимость величины активационного барьера, преодолеваемого дрейфующим включением.
  1. Я.Е. Гегузин, М.А. Кривоглаз. Движение макроскопических включений в твердых телах (М., Наука, 1985)
  2. Д.К. Белащенко. Явления переноса в жидких металлах и полупроводниках (М., Атомиздат, 1970)
  3. J.P. Dekker, C.A. Volkert, E. Arzt, P. Gumbsch. Phys. Rev. Lett., 87, 35 901 (2001)
  4. A. Bonapasta. Phys. Rev. B, 65, 45 308 (2002)
  5. Ho Mon-Shu, Hwang Ing-Shouh, Tsong Tien. Phys. Rev. Lett., 25, 5792 (2000)
  6. Д.К. Белащенко, А.М. Орлов, В.И. Пархоменко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 10, 1728 (1975)
  7. А.М. Орлов, А.А. Скворцов, Б.М. Костишко. Теплофизика высоких температур, 3, 404 (1997)
  8. И.Н. Ларионов, Н.М. Ройзин, В.М. Ногин, Э.Т. Аврасин. ФТП, 9, 1414 (1967)
  9. А.М. Орлов, А.А. Скворцов, А.А. Саланов. Письма ЖТФ, 19, 76 (2001)
  10. Физическая химия, под ред. Б.П. Никольского (М., Химия, 1987)
  11. Е.И. Ерошинкова, А.М. Захаров, В.Г. Оленичева. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1982--1983 годах (М., Металлургия, 1985)
  12. В.М. Глазов, С.Н. Чижевская, Н.Н. Глаголева. Жидкие полупроводники (М., Наука, 1967)
  13. В.М. Глазов, М. Вобст, В.И. Тимошенко. Методы исследования свойств жидких металлов и полупроводников (М., Металлургия. 1989)
  14. R.R. Heikes. Ure Termoelectrodity (N.Y., Interscience Publishers, 1961)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.