Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электротранспортные процессы в монокристаллах антимонида галлия с участием расплавленных включений GaSb--Sn
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия 
Поступила в редакцию: 15 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.
Исследована электромиграция расплавленных включений на основе олова в монокристаллическом (111) p-GaSb(Zn). Показано, что в температурном интервале T=750-920 K расплавленные включения вытесняются током (j=(1-4)· 105 А/м2) в направлении отрицательного электрода. Установлен механизм этого явления, связанный с концентрационными изменениями в объеме расплавленного включения. Отмечено, что транспорт включений спровоцирован двумя конкурирующими процессами: температурными изменениями на межфазных границах под воздействием теплоты Пельтье и силами электропереноса, приводящими к перераспределению компонентов с учетом их эффективных зарядов в расплаве. Установлена размерная зависимость скорости перемещения включений W в объеме монокристаллической матрицы: W возрастает с увеличением размера включений. Независимыми методами экспериментально определены численные значения термоэлектрических параметров всех контактирующих фаз. Это позволило по согласованию теории с экспериментом провести количественную оценку не только эффективного заряда полупроводника в расплаве Z*, но и объяснить размерную зависимость величины активационного барьера, преодолеваемого дрейфующим включением.
- Я.Е. Гегузин, М.А. Кривоглаз. Движение макроскопических включений в твердых телах (М., Наука, 1985)
- Д.К. Белащенко. Явления переноса в жидких металлах и полупроводниках (М., Атомиздат, 1970)
- J.P. Dekker, C.A. Volkert, E. Arzt, P. Gumbsch. Phys. Rev. Lett., 87, 35 901 (2001)
- A. Bonapasta. Phys. Rev. B, 65, 45 308 (2002)
- Ho Mon-Shu, Hwang Ing-Shouh, Tsong Tien. Phys. Rev. Lett., 25, 5792 (2000)
- Д.К. Белащенко, А.М. Орлов, В.И. Пархоменко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 10, 1728 (1975)
- А.М. Орлов, А.А. Скворцов, Б.М. Костишко. Теплофизика высоких температур, 3, 404 (1997)
- И.Н. Ларионов, Н.М. Ройзин, В.М. Ногин, Э.Т. Аврасин. ФТП, 9, 1414 (1967)
- А.М. Орлов, А.А. Скворцов, А.А. Саланов. Письма ЖТФ, 19, 76 (2001)
- Физическая химия, под ред. Б.П. Никольского (М., Химия, 1987)
- Е.И. Ерошинкова, А.М. Захаров, В.Г. Оленичева. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1982--1983 годах (М., Металлургия, 1985)
- В.М. Глазов, С.Н. Чижевская, Н.Н. Глаголева. Жидкие полупроводники (М., Наука, 1967)
- В.М. Глазов, М. Вобст, В.И. Тимошенко. Методы исследования свойств жидких металлов и полупроводников (М., Металлургия. 1989)
- R.R. Heikes. Ure Termoelectrodity (N.Y., Interscience Publishers, 1961)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
