Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль сплавных эффектов в формировании электронной структуры неупорядоченных твердых растворов III-нитридов

Возный А.В.¹, Дейбук В.Г.¹

¹Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина Chernivtsy National University, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 26 августа 2003 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Влияние композиционной и позиционной неупорядоченностей в расположении атомов в кристаллической решетке на электронные свойства твердых растворов III-нитридов структуры вюрцита исследовано методом модельного эмпирического псевдопотенциала с использованием 32-атомных суперячеек. Рассчитанные значения коэффициента прогиба композиционных зависимостей ширины запрещенной зоны равны 0.44, 2.72, 4.16 для AlGaN, InGaN и InAlN соответственно. Показано, что наибольший вклад в коэффициент прогиба дает композиционная неупорядоченность, а релаксация длин связей уменьшает влияние композиционной неупорядоченности и эффектов деформации объема.

S. Nakamura. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (London, Taylor \& Francis, 2000)
M. Goano, E. Bellotti, E. Ghillino, G. Ghione, K.F. Brennan. J. Appl. Phys., 88 (11), 6467 (2000)
Z. Dridi, B. Bouhafs, P. Ruterana. Phys. St. Sol. (c), 0 (1), 315 (2002)
L.K. Teles, L.M.R. Scolfaro, J. Furthmuller, F. Bechstedt, J.R. Leite. Phys. St. Sol. (b), 234 (3), 956 (2002)
В.Г. Дейбук, А.В. Возный, М.М. Слетов. ФТП, 34 (1), 35 (2000)
M. Leroux, S. Dalmasso, F. Natali, S. Helin, C. Touzi, S. Laugt, M. Passerel, F. Omnes, F. Semond, J. Massies, P. Gibart. Phys. St. Sol. (b), 234 (3), 887 (2002)
V. Davydov, A. Klochikhin, V. Emtsev, D. Kurdyukov, S. Ivanov, V. Vekshin, F. Bechstedt, F. Furtmuller, J. Aderhold, J. Graul, A. Mudryi, H. Harima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, E. Haller. Phys. St. Sol. (b), 234 (3), 787 (2002)
S. Stepanov, W.N. Wang, B. Yavich, V. Bougrov, Y. Rebane, Y. Shreter. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 6, 6 (2001)
K.P. O'Donnel, J.F.W. Mosselmans, R.W. Martin, S. Pereira, M.E. White. J. Phys.: Condens. Matter. 13, 6977 (2001)
M.J. Lukitsch, Y.V. Danylyuk, V.M. Naik, C. Huang, G.W. Auner, L. Rimai, R. Naik. Appl. Phys. Lett., 79, 632 (2001)
T. Peng, J. Piprek, G. Qiu, J.O. Olowafe, K.M. Unruh, C.P. Swann, E.F. Schubert. Appl. Phys. Lett., 71, 234 (1997)
S. Pugh, D. Dugdale, S. Brand, R. Abram. Semicond. Sci. Technol., 14 (1), 23 (1999)
Y. Yeo, T. Chong, M. Li. J. Appl. Phys., 83 (3), 1429 (1998)
M. Goano, E. Bellotti, E. Ghillino, C. Garetto, G. Ghione, K.F. Brennan. J. Appl. Phys., 88 (11), 6476 (2000)
A. Rubio, J.L. Corkill, M.L. Cohen, E.L. Shirley, S.G. Louie. Phys. Rev. B, 48 (16), 11 810 (1993)
R. Haydoc, W. Heine, M.J. Kelly. J. Phys. C, 15 (13), 2891 (1982)
A. Zaoui. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 4025 (2002)
G. Srivastava, J. Martins, A. Zunger. Phys. Rev. B, 31 (4), 2561 (1985)
F. Grosse, J. Neugebauer. Phys. Rev. B, 63, 085 207 (2001)
P.R.C. Kent, L. Bellaiche, A. Zunger. Semicond. Sci. Technol., 17 (6), 851 (2002)
T. Matilla, L.-W. Wang, A. Zunger. Phys. Rev. B, 59, 15 270 (1999)
C. Pryor, J. Kim, L.W. Wang, A.J. Williamson, A. Zunger. Phys. Rev. B, 83 (5), 2548 (1998)
В.Г. Дейбук, А.В. Возный, М.М. Слетов, А.М. Слетов. ФТП, 36 (4), 398 (2002)
D.R. Hamman. Phys. Rev. B, 40 (5), 2980 (1989)
Z.H. Levine, S.G. Louie. Phys. Rev. B, 25 (10), 6310 (1982)
W.R.L. Lambrecht, M. Prikhodko. Sol. St. Commun., 121, 549 (2002)
I. Vurgaftman, J. Meyer. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
J.L. Martins, A. Zunger. Phys. Rev. B, 30 (10), 6217 (1984)
A. Garcia, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 47 (8), 4215 (1992)
O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, L.F. Eastman. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 3399 (2002)
J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J.W. Ager, E.E. Haller, H. Lu, W.J. Schaff. Appl. Phys. Lett., 80 (25), (2002)
A. Wall, Y. Gao, A. Raisanen, A. Franciosi, J.R. Chelikowsky. Phys. Rev. B, 43 (6), 4988 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель