Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2004, выпуск 2 » Статья стр. 226
<<<>>>
Исследование образования и модификации нанокристаллических включений кремния в пленках a-Si : H методом просвечивающей электронной микроскопии
Афанасьев В.П.1, Гудовских А.С.1, Казак-Казакевич А.З.1, Сазанов А.П.1, Трапезникова И.Н.2, Теруков Е.И.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
PDF версия
Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано образование и модификация включений нанокристаллической фазы (nc-Si) в тонких пленках a-Si : H, полученных тремя способами: плазмохимическим осаждением a-Si : H, циклическим плазмохимическим осаждением с промежуточным отжигом слоев толщиной 10-20 нм в водородной плазме и плазмохимическим осаждением a-Si : H с отжигом пленок толщиной 40 нм в водородной плазме. Показано, что размеры нанокристаллитов в пленках, полученных циклическим осаждением с промежуточным отжигом в водородной плазме, после термообработки при 750oC в течение 30 мин не превышают толщины слоя, осажденного за цикл, в то время как в однородных пленках после термообработки в тех же условиях размеры кристаллитов достигают 1 мкм и более. Предложены модели, объясняющие наблюдаемые эффекты, которые подтверждаются результатами расчетов диффузионных профилей водорода в пленке a-Si : H после ее отжига в водородной плазме и термообработки в вакууме.
  1. C. Longeaud, J.P. Kleider, P. Roca i Cabarrocas, S. Hamma, R. Meaudre, M. Meaudre. J. Non-Cryst. Sol., 227-- 230, 96 (1998)
  2. В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, О.И. Коньков, М.М. Казанин, К.В. Коугия, А.П. Сазанов, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 495 (2000)
  3. И.А. Курова, Н.А. Ормонт, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских. ФТП, 35, 367 (2001)
  4. В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, В.Н. Неведомский, А.П. Сазанов, А.А. Ситникова, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков. ФТП, 36, 238 (2002)
  5. X.-N. Liu, S. Njng, L.-C. Wang, G.-X. Chen, X.-M. Bao. J. Appl. Phys., 78, 6193 (1995)
  6. T. Toyama, Y. Kotani, A. Shimode, H. Okamoto. Mater. Res. Soc. Proc., 557, 469 (1999)
  7. T. Itoh, K. Yamamoto, K. Ushikoshi, S. Nonomura, S. Nitta. J. Non-Cryst. Sol., 266-- 269, 201 (2000)
  8. Y. He, C. Yin, G. Cheng, L. Wang, X. Liu. J. Appl. Phys., 75, 797 (1994)
  9. V.P. Afanasjev, A.S. Gudovskikh, J.P. Kleider, A.P. Sazanov, E.I. Terukov J. Non-Cryst. Sol., 299--302, 1070 (2002)
  10. В.П. Афанасьев, А.А. Лянгузов, А.П. Сазанов. Петербургский журн. электрон., N 2, 7 (1995)
  11. В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, А.П. Сазанов, Я.В. Сонг, Ю.М. Таиров. Матер. электрон. техн., N 4, 29 (1999)
  12. P.V. Santos, W.B. Jackson. Phys. Rev. B, 46, 4595 (1992)
  13. W.B. Jackson, C.C. Tsai. Phys. Rev. B, 45, 6564 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme