"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О природе гистерезиса низкотемпературного прыжкового магнетосопротивления вблизи перехода металл--изолятор в компенсированном Ge:Ga
Егоров С.В.1, Забродский А.Г.1, Парфеньев Р.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Ранее авторами был описан эффект гистерезиса прыжкового магнетосопротивления нейтронно-легированного Ge:Ga. Эффект сопровождается скачкообразным падением удельного сопротивления образца при перемагничивании на величину до 10% в зависимости от концентрации основной примеси и наблюдается при температурах не выше 0.7 K. В настоящей работе установлено, что скачки сопротивления происходят в результате кратковременного нагрева образца. Предложена модель, согласно которой тепло выделяется при перемагничивании дырок, локализованных в примесной зоне Ga. Проведено сравнение результатов расчета с экспериментальными данными.
  1. А.Г. Андреев, С.В. Егоров, А.Г. Забродский, Р.В. Парфеньев, А.В. Черняев. ФТП, 34, 796 (2000)
  2. A.G. Zabrodskii, A.G. Andreev, S.V. Egorov. Phys. St. Sol. (b), 205, 61 (1998)
  3. Физические величины / Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  4. А.Л. Эфрос, Б.И. Шкловский. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  5. A.L. Efros, B.I. Shklovskii. Electronic Properties of Doped Semiconductors (Berlin--Heidelberg--N. Y.--Tokyo, 1984)
  6. А.Г. Забродский, А.Г. Андреев. ФТП, 58, 809 (1993)
  7. Н.С. Аверкиев, В.М. Аснин, Ю.Н. Ломасов, Г.Е. Пикус, А.А. Рогачев, Н.А. Рудь. ФТТ, 23, 3117 (1981)
  8. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, Е.Н. Мохов. ФТП, 46, 874 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.