Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 12 » Статья стр. 1112
<<<>>>
Получение и свойства мезопористых пленок MoS2
DOI: 10.21883/FTP.2022.12.54509.4129
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.12.55146.4129
Фонд развития теоретической физики и математики ” БАЗИС“, 21-2-10-34-1
РНФ, 20-42-08004
Логинов А.Б. 1, Бокова-Сирош С.Н.2,3, Федотов П.В.2,3, Сапков И.В.1, Хмеленин Д.Н.4, Исмагилов Р.Р.1, Образцова Е.Д.2,3, Логинов Б.А.5, Образцов А.Н. 1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
3Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московск. обл., Россия
4Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
5Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: loginov.ab15@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 23 сентября 2022 г.
В окончательной редакции: 14 ноября 2022 г.
Принята к печати: 9 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 14 января 2023 г.
PDF версия
Дисульфид молибдена (MoS2) относится к кристаллическим материалам, привлекающим значительное внимание исследователей благодаря ярко выраженному двумерному характеру его электронных свойств. Для получения MoS2 в качестве прекурсоров использовались термически распыляемый молибден и газообразный сероводород, в результате реакции которых на поверхности кремниевой подложки формировалась пленка, состоящая из пластинчатых кристаллитов нанометровой толщины, образованных параллельно расположенными атомными слоями, имеющими преимущественную ориентацию вдоль нормали к поверхности подложки. Исследована зависимость морфологии пленок от длительности процесса осаждения, температуры подложки и концентрации прекурсоров в газообразной фазе. Изучение структурно-морфологических свойств и состава получаемых пленок с помощью методов электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света выявило наличие монослойного и бислойного МоS2. Проведенный анализ показывает зависимость фотолюминесцентных свойств полученных мезопористых пленок от размеров составляющих их кристаллитов. Ключевые слова: двумерные материалы, дихалькогениды переходных металлов, флейки, монослои, мезопористые пленки.
  1. Y. Sheng, T. Chen, Y. Lu, R.-J. Chang, S. Sinha, J. H. Warner. ACS Nano, 13 (4), 4530 (2019)
  2. J. Yao, G. Yang. Small., 14 (21), 1704524 (2018)
  3. A.K. Geim, K.S. Novoselov. Nature Materials, 6, 183 (2007)
  4. F. Schwierz. Nature Nanotechnol., 5 (7), 487 (2010)
  5. G.R. Bhimanapati, Z. Lin, V. Meunier, Y. Jung, J. Cha, S. Das, D. Xiao, Y. Son, M.S. Strano, V.R. Cooper, L. Liang, S.G. Louie, E. Ringe, W. Zhou, S.S. Kim, R.R. Naik, B.G. Sumpter, H. Terrones, F. Xia, Y. Wang, J. Zhu, D. Akinwande, N. Alem, J.A. Schuller, R.E. Schaak, M. Terrones, J.A. Robinson. ACS Nano, 9 (12), 11509 (2015)
  6. S. Manzeli, D. Ovchinnikov, D. Pasquier, O.V. Yazyev, A. Kis. Nature Rev. Mater., 2, 17033 (2017)
  7. K.F. Mak, J. Shan. Nature Photonics, 10 (4), 216 (2016)
  8. Y.P. Feng, L. Shen, M. Yang, A. Wang, M. Zeng, Q. Wu, S. Chintalapati, C.-R. Chang. WIREs Comput. Mol. Sci., 7 (5) (2017)
  9. J.R. Schaibley, H. Yu, G. Clark, P. Rivera, J.S. Ross, K.L. Seyler, W. Yao, X. Xu. Nature Rev. Mater., 1 (11), 16055 (2016)
  10. B.W.H. Baugher, H.O.H. Churchill, Y. Yang, P. Jarillo-Herrero. Nano Lett., 13 (9), 4212 (2013)
  11. V.K. Kumar, S. Dhar, T.H. Choudhury, S.A. Shivashankar, S. Raghavan. Nanoscale, 7 (17), 7802 (2015)
  12. V.O. Borisov, R.R. Ismagilov, A.A. Zolotukhin, A.N. Obraztsov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 8 (1), 100 (2013)
  13. A.B. Loginov, I.V. Bozhev, S.N. Bokova-Sirosh, E.D. Obraztsova, R.R. Ismagilov, B.A. Loginov, A.N. Obraztsov. Appl. Surf. Sci., 494, 1030 (2019)
  14. Y. Yu, C. Li, Y. Liu, L. Su, Y. Zhang, L. Cao. Sci. Rep., 3 (1), 1866 (2013)
  15. R.G. Zonov, G.M. Mikheev, A.N. Obraztsov, Yu.P. Svirko. Opt. Lett., 45 (7), 2022 (2020)
  16. M.H. Johari, M.S. Sirat, M.A. Mohamed, S.N.F. Mohd Nasir, M.A. Mat Teridi, A.R. Mohmad. Nanotechnology, 31 (30), 305710 (2020)
  17. J. Xie, H. Qu, J. Xin, X. Zhang, G. Cui, X. Zhang, J. Bao, B. Tang, Yi Xie. Nano Res., 10 (4), 1178 (2017)
  18. J. Xie, H. Qu, J. Xin, X. Zhang, G. Cui, X. Zhang, J. Bao, B. Tang, Y. Xie. Nano Res., 10 (4), 1178 (2017)
  19. A.B. Loginov, I.V. Bozhev, S.N. Bokova-Sirosh, E.D. Obraztsova, R.R. Ismagilov, B.A. Loginov, A.N. Obraztsov. Tech. Phys., 64 (11), 1666 (2019)
  20. S. Primig, H. Leitner, H. Clemens, A. Lorich, W. Knabl, R. Stickler. Int. J. Refract. Met. Hard Mater., 28 (6), 703 (2010)
  21. H. Li, Q. Zhang, C.C.R. Yap, B. Kang Tay, T.H.T. Edwin, A. Olivier, D. Baillargeat. Adv. Funct. Mater., 22 (7), 1385 (2012)
  22. R.T. Sam, T. Umakoshi, P. Verma. Sci. Rep., 10 (1), 21227 (2020)
  23. J. van Baren, G. Ye, J.-A. Yan, Z. Ye, P. Rezaie, P. Yu, Z. Liu, R. He, C.H. Lui. 2D Mater., 6 (2), 025022 (2019)
  24. R. Coehoorn, C. Haas, R.A. de Groot. Phys. Rev. B, 35 (12), 6203 (1987)
  25. K.F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett., 105 (13), 136805 (2010)
  26. A. Steinhoff, J.-H. Kim, F. Jahnke, M. Rosner, D.-S. Kim, C. Lee, G.H. Han, M.S. Jeong, T.O. Wehling, C. Gies. Nano Lett., 15 (10), 6841 (2015)
  27. A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang, T. Li, J. Kim, C.-Y. Chim, G. Galli, F. Wang. Nano Lett., 10 (4), 1271 (2010)
  28. H.J. Conley, B. Wang, J.I. Ziegler, R.F. Haglund, S.T. Pantelides, K.I. Bolotin. Nano Lett., 13 (8), 3626 (2013)
  29. N. Saigal, V. Sugunakar, S. Ghosh. Appl. Phys. Lett., 108 (13), 132105 (2016)
  30. C. Zhang, A. Johnson, C.-L. Hsu, L.-J. Li, C.-K. Shih. Nano Lett., 14 (5), 2443 (2014)
  31. A.R. Klots, A.K.M. Newaz, B. Wang, D. Prasai, H. Krzyzanowska, J. Lin, D. Caudel, N.J. Ghimire, J. Yan, B.L. Ivanov, K.A. Velizhanin, A. Burger, D.G. Mandrus, N.H. Tolk, S.T. Pantelides, K.I. Bolotin. Sci. Rep., 4 (1), 6608 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme