Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение и свойства мезопористых пленок MoS₂

DOI: 10.21883/FTP.2022.12.54509.4129

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.12.55146.4129

Фонд развития теоретической физики и математики ” БАЗИС“, 21-2-10-34-1

РНФ, 20-42-08004

Логинов А.Б.

¹, Бокова-Сирош С.Н.^2,3, Федотов П.В.^2,3, Сапков И.В.¹, Хмеленин Д.Н.⁴, Исмагилов Р.Р.¹, Образцова Е.Д.^2,3, Логинов Б.А.⁵, Образцов А.Н. ¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московск. обл., Россия Moscow Institute of Physics and Technology (National Research University), Dolgoprudniy, Moscow Region, Russia

Moscow Institute of Physics and Technology (National Research University), Dolgoprudniy, Moscow Region, Russia

⁴Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

⁵Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

Email: loginov.ab15@physics.msu.ru

Поступила в редакцию: 23 сентября 2022 г.

В окончательной редакции: 14 ноября 2022 г.

Принята к печати: 9 декабря 2022 г.

Выставление онлайн: 14 января 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Дисульфид молибдена (MoS₂) относится к кристаллическим материалам, привлекающим значительное внимание исследователей благодаря ярко выраженному двумерному характеру его электронных свойств. Для получения MoS₂ в качестве прекурсоров использовались термически распыляемый молибден и газообразный сероводород, в результате реакции которых на поверхности кремниевой подложки формировалась пленка, состоящая из пластинчатых кристаллитов нанометровой толщины, образованных параллельно расположенными атомными слоями, имеющими преимущественную ориентацию вдоль нормали к поверхности подложки. Исследована зависимость морфологии пленок от длительности процесса осаждения, температуры подложки и концентрации прекурсоров в газообразной фазе. Изучение структурно-морфологических свойств и состава получаемых пленок с помощью методов электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света выявило наличие монослойного и бислойного МоS₂. Проведенный анализ показывает зависимость фотолюминесцентных свойств полученных мезопористых пленок от размеров составляющих их кристаллитов. Ключевые слова: двумерные материалы, дихалькогениды переходных металлов, флейки, монослои, мезопористые пленки.

Y. Sheng, T. Chen, Y. Lu, R.-J. Chang, S. Sinha, J. H. Warner. ACS Nano, 13 (4), 4530 (2019)
J. Yao, G. Yang. Small., 14 (21), 1704524 (2018)
A.K. Geim, K.S. Novoselov. Nature Materials, 6, 183 (2007)
F. Schwierz. Nature Nanotechnol., 5 (7), 487 (2010)
G.R. Bhimanapati, Z. Lin, V. Meunier, Y. Jung, J. Cha, S. Das, D. Xiao, Y. Son, M.S. Strano, V.R. Cooper, L. Liang, S.G. Louie, E. Ringe, W. Zhou, S.S. Kim, R.R. Naik, B.G. Sumpter, H. Terrones, F. Xia, Y. Wang, J. Zhu, D. Akinwande, N. Alem, J.A. Schuller, R.E. Schaak, M. Terrones, J.A. Robinson. ACS Nano, 9 (12), 11509 (2015)
S. Manzeli, D. Ovchinnikov, D. Pasquier, O.V. Yazyev, A. Kis. Nature Rev. Mater., 2, 17033 (2017)
K.F. Mak, J. Shan. Nature Photonics, 10 (4), 216 (2016)
Y.P. Feng, L. Shen, M. Yang, A. Wang, M. Zeng, Q. Wu, S. Chintalapati, C.-R. Chang. WIREs Comput. Mol. Sci., 7 (5) (2017)
J.R. Schaibley, H. Yu, G. Clark, P. Rivera, J.S. Ross, K.L. Seyler, W. Yao, X. Xu. Nature Rev. Mater., 1 (11), 16055 (2016)
B.W.H. Baugher, H.O.H. Churchill, Y. Yang, P. Jarillo-Herrero. Nano Lett., 13 (9), 4212 (2013)
V.K. Kumar, S. Dhar, T.H. Choudhury, S.A. Shivashankar, S. Raghavan. Nanoscale, 7 (17), 7802 (2015)
V.O. Borisov, R.R. Ismagilov, A.A. Zolotukhin, A.N. Obraztsov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 8 (1), 100 (2013)
A.B. Loginov, I.V. Bozhev, S.N. Bokova-Sirosh, E.D. Obraztsova, R.R. Ismagilov, B.A. Loginov, A.N. Obraztsov. Appl. Surf. Sci., 494, 1030 (2019)
Y. Yu, C. Li, Y. Liu, L. Su, Y. Zhang, L. Cao. Sci. Rep., 3 (1), 1866 (2013)
R.G. Zonov, G.M. Mikheev, A.N. Obraztsov, Yu.P. Svirko. Opt. Lett., 45 (7), 2022 (2020)
M.H. Johari, M.S. Sirat, M.A. Mohamed, S.N.F. Mohd Nasir, M.A. Mat Teridi, A.R. Mohmad. Nanotechnology, 31 (30), 305710 (2020)
J. Xie, H. Qu, J. Xin, X. Zhang, G. Cui, X. Zhang, J. Bao, B. Tang, Yi Xie. Nano Res., 10 (4), 1178 (2017)
J. Xie, H. Qu, J. Xin, X. Zhang, G. Cui, X. Zhang, J. Bao, B. Tang, Y. Xie. Nano Res., 10 (4), 1178 (2017)
A.B. Loginov, I.V. Bozhev, S.N. Bokova-Sirosh, E.D. Obraztsova, R.R. Ismagilov, B.A. Loginov, A.N. Obraztsov. Tech. Phys., 64 (11), 1666 (2019)
S. Primig, H. Leitner, H. Clemens, A. Lorich, W. Knabl, R. Stickler. Int. J. Refract. Met. Hard Mater., 28 (6), 703 (2010)
H. Li, Q. Zhang, C.C.R. Yap, B. Kang Tay, T.H.T. Edwin, A. Olivier, D. Baillargeat. Adv. Funct. Mater., 22 (7), 1385 (2012)
R.T. Sam, T. Umakoshi, P. Verma. Sci. Rep., 10 (1), 21227 (2020)
J. van Baren, G. Ye, J.-A. Yan, Z. Ye, P. Rezaie, P. Yu, Z. Liu, R. He, C.H. Lui. 2D Mater., 6 (2), 025022 (2019)
R. Coehoorn, C. Haas, R.A. de Groot. Phys. Rev. B, 35 (12), 6203 (1987)
K.F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett., 105 (13), 136805 (2010)
A. Steinhoff, J.-H. Kim, F. Jahnke, M. Rosner, D.-S. Kim, C. Lee, G.H. Han, M.S. Jeong, T.O. Wehling, C. Gies. Nano Lett., 15 (10), 6841 (2015)
A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang, T. Li, J. Kim, C.-Y. Chim, G. Galli, F. Wang. Nano Lett., 10 (4), 1271 (2010)
H.J. Conley, B. Wang, J.I. Ziegler, R.F. Haglund, S.T. Pantelides, K.I. Bolotin. Nano Lett., 13 (8), 3626 (2013)
N. Saigal, V. Sugunakar, S. Ghosh. Appl. Phys. Lett., 108 (13), 132105 (2016)
C. Zhang, A. Johnson, C.-L. Hsu, L.-J. Li, C.-K. Shih. Nano Lett., 14 (5), 2443 (2014)
A.R. Klots, A.K.M. Newaz, B. Wang, D. Prasai, H. Krzyzanowska, J. Lin, D. Caudel, N.J. Ghimire, J. Yan, B.L. Ivanov, K.A. Velizhanin, A. Burger, D.G. Mandrus, N.H. Tolk, S.T. Pantelides, K.I. Bolotin. Sci. Rep., 4 (1), 6608 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель