"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование пленок нанокристаллического кремния имплантацией больших доз ионов H+ в слои кремния на изоляторе и последующим быстрым термическим отжигом
Тысченко И.Е.1, Попов В.П.1, Талочкин А.Б.1, Гутаковский А.К.1, Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Изучено формирование пленок нанокристаллического Si в условиях быстрого термического отжига структур кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов H+. Установлено, что процесс формирования нанокристаллов Si эффективен уже при температурах 300-400oC и определяется содержанием водорода в пленке кремния и временем отжига. Сделан вывод о том, что образование зародышей кристаллической фазы происходит в островках кремния, заключенных между микропорами, и обусловлено упорядочением Si-Si-связей в процессе выхода водорода из связанного состояния. При этом в условиях быстрого термического отжига коалесценции микропор не происходит вплоть до температур ~ 900oC. Синтезированные пленки люминесцируют в зелено-оранжевой области спектра при комнатной температуре.
  1. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  2. L.T. Canham, M.R. Houlton, W.Y. Leong, C. Pickering, J.M. Keen. J. Appl. Phys., 70, 422 (1991)
  3. C.H. Chen, Y.F. Chen, A. Shih, S.C. Lee. Phys. Rev. B, 65, 195 307 (2002)
  4. X. Zhao, O. Schoenfeld, J. Komuro, Y. Aoyagi, T. Sugano. Phys. Rev. B, 50, 18 654 (1994)
  5. M. Ruckschloss, B. Landkammer, S. Veprek. Appl. Phys. Lett., 63, 1474 (1993)
  6. H. Morisaki, H. Hashimoto, F.W. Ping, H. Nozawa, H. Ono. J. Appl. Phys., 74, 2977 (1993)
  7. E. Werwa, A.A. Seraphin, L.A. Chiu, C. Zhou, K.D. Kolenbrander. Appl. Phys. Lett., 64, 1821 (1994)
  8. Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt. Appl. Phys. Lett., 66, 1977 (1995)
  9. R.E. Hummel, M.H. Ludvig, S.-S. Chang. Sol. St. Commun., 93, 237 (1995)
  10. T. Shimizu-Iwajama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett., 65, 1814 (1994)
  11. H.A. Atwater, K.V. Shcheglov, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.L. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 316, 409 (1994)
  12. L.B. Freund. Appl. Phys. Lett., 70, 3519 (1997)
  13. C.M. Varma. Appl. Phys. Lett., 71, 3519 (1997)
  14. M.K. Weldon, V.E. Marsico, Y.J. Cjabal, A. Agarwal, D.J. Eaglesham, J. Sapjeta, W.L. Brown, D.C. Jacobson, Y. Caudano, S.B. Christman, E.E. Chaban. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1065 (1997)
  15. T. Hochbauer, A. Misra, M. Nastasi, J.W. Mayer. J. Appl. Phys., 92, 2335 (2002)
  16. W. Han, J. Yu. J. Appl. Phys., 89, 6551 (2001)
  17. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, B.A. Kolesov, K.S. Zhuravlev, V.I. Obodnikov, V.P. Popov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 186, 329 (2002)
  18. V.P. Popov, A.K. Gutakovskii, L.N. Safronov, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, I.V. Antonova, O.V. Naumova, V.I. Obodnikov, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, J. Domagala, A. Romano-Rodrigues, A. Bachrouri. In: Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, ed. by F. Balestra et. al (Kulwer Academic Publishers, Netherlands, 2002) p. 269
  19. B.A. Wilson. Phys. Rev. B, 23, 3102 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.