Вышедшие номера
Динамика развития поверхностных структур в кристаллах p-CdTe при облучении импульсным лазерным излучением
Байдуллаева А.1, Булах М.Б.1, Власенко А.И.1, Ломовцев А.В.1, Мозоль П.Е.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 1 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Исследована динамика модификации поверхности кристаллов p-CdTe ориентации (111) под действием импульсного излучения рубинового лазера (homega=1.78 эВ) наносекундной длительности из области фундаментального поглощения света. Показано, что в зависимости от дозы облучения морфология поверхности меняется в такой последовательности: появление пленки теллура, рост плотности дислокаций под пленкой теллура, образование упорядоченных квазипериодических структур как микронных, так и нанометровых размеров. Характер распределения и размеры структур зависят от дозы лазерного облучения.