Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры

DOI: 10.21883/FTP.2022.11.54256.9990

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.11.54959.9990

Козлов Д.В.^1,2, Румянцев В.В.^1,2, Алешкин В.Я.^1,2, Морозов С.В.^1,2, Гавриленко В.И.^1,2

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: dvkoz@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 1 ноября 2022 г.

В окончательной редакции: 8 ноября 2022 г.

Принята к печати: 8 ноября 2022 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассчитаны времена захвата дырок на основной уровень нейтральной вакансии ртути в твердом растворе Hg_1-xСd_xTe при испускании оптического фонона. Расчет показал, что этот процесс может конкурировать с захватом дырок на мелкие возбужденные состояния вакансионных центров с испусканием акустических фононов. Такая конкуренция может приводить к гашению линий в спектре вакансионной фотолюминесценции слоев Hg_1-xСd_xTe при увеличении температуры. Ключевые слова: вакансии ртути, оптические фононы, безызлучательные переходы.

Rogalski. Rep. Progr. Phys., 68 (10), 2267 (2005)
W. Lei, J. Antoszewski, L. Faraone. Appl. Phys. Rev., 2 (4), 041303 (2015)
S. Ruffenach, A. Kadykov, V.V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, F. Teppe. APL Materials, 5 (3), 035503-1 (2017)
F. Gemain, I.C. Robin, M. De Vita, S. Brochen, A. Lusson. Appl. Phys. Lett., 98 (13), 131901 (2011).
B. Li, Y. Gui, Z. Chen, H. Ye, J. Chu, S. Wang, R. Ji, L. He. Appl. Phys. Lett., 73 (11), 1538 (1998)
T. Sasaki, N. Oda M. Kawano, S. Sone, T. Kanno, M. Saga. J. Cryst. Growth, 117 (1--4), 222 (1992)
K.D. Mynbaev, S.V. Zablotsky, A.V. Shilyaev, N.L. Bazhenov, M.V. Yakushev, D.V. Marin, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky. Semiconductors, 50 (2), 208 (2016)
J. Shao, X. Lu, S. Guo, W. Lu, L. Chen, Y. Wei, J. Yang, L. He, J. Chu. Phys. Rev. B, 80 (15), 155125 (2009)
X. Zhang, J. Shao, L. Chen, X. Lu, S. Guo, L. He, J. Chu. J. Appl. Phys., 110 (4), 043503 (2011)
A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, Y.L. Ivanov, M.S. Kipa. JETP Lett., 91 (2), 96 (2010)
Д.А. Фирсов, Л.Е. Воробьев, В.Ю. Паневин, А.Н. Софронов, Р.М. Балагула, И.С. Махов, Д.В. Козлов, А.П. Васильев. ФТП, 49 (1), 30 (2015)
Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, А.М. Кадыков, М.А. Фадеев, Н.С. Куликов, В.В. Уточкин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, Х.-В. Хюберс, Ф. Теппе, С.В. Морозов. Письма ЖЭТФ, 109 (10), 679 (2019)
Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, А.М. Кадыков, М.А. Фадеев, М.С. Жолудев, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, F. Terre. ЖЭТФ, 154 (6), 1226 (2018)
D.V. Kozlov, V.V. Rumyantsev, A.V. Ikonnikov, V.V. Utochkin, A.A. Razova, K.A. Mazhukina, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko. Photonics, 9 (12), 887 (2022). https://doi.org/10.3390/photonics9120887
D.N. Talwar, M. Vandevyver. J. Appl. Phys., 56 (6), 1601 (1984)
В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
E.G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C.R. Becker, G. Landwehr, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 72 (3), 035321 (2005)
V.V. Rumyantsev, D.V. Kozlov, S.V. Morozov, M.A. Fadeev, A.M. Kadykov, F. Teppe, V.S. Varavin, M.V. Yakushev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Semicond. Sci. Technol., 32 (9), 095007 (2017)
O. Madelung. Semiconductors: Data Handbook (Springer, 2004) p. 506
M.S. Kushwaha, S.S. Kushwaha. Canadian J. Phys., 58 (3), 351 (1980)
В.В. Румянцев, А.В. Иконников, А.В. Антонов, С.В. Морозов, М.С. Жолудев, К.Е. Спирин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов. ФТП, 47 (11), 1446 (2013)
Г. Бете, Э. Солпитер. Квантовая механика атомов с одним и двумя электронами (М., Физматлит, 1960).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель