"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика начальной стадии халькогенидной пассивации полупроводников AIIIBV
Антюшин В.Ф.1, Буданов А.В.1, Кухаренко Д.С.1, Палишкин Д.А.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Обоснована и сформулирована математическая модель термостимулированного гетеровалентного замещения анионов в поверхностном слое AIIIBV при халькогенидной пассивации из газовой фазы. Модель представлена в виде нелинейной системы дифференциальных уравнений. Показано, что существенное влияние на кинетику оказывает исходное состояние поверхности (начальная поверхностная концентрация анионных вакансий).
  1. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32 (11), 1281 (1998)
  2. Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, В.Д. Стрыгин, В.Н. Моргунов. ЖТФ, N 5, 913 (1986)
  3. Б.И. Сысоев, Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин, А.В. Буданов, Т.В. Прокопова, С.В. Фетисова. ФТП, 25 (4), 699 (1991)
  4. Н.Н. Безрядин, Е.А. Татохин, И.Н. Арсентьев, А.В. Буданов, А.В. Линник. ФТП, 33 (12), 1447 (1999)
  5. Н.Н. Безрядин, А.В. Буданов, Е.А. Татохин, Б.Л. Агапов, А.В. Линник. Неорг. матер., 36 (9), 1037 (2000)
  6. Н.Н. Безрядин, Я.А. Болдырева, А.В. Буданов, Е.А. Татохин. XII Межд. симп. Тонкие пленки в электронике" (Харьков, 2001) с. 169
  7. В.Ф. Антюшин, А.В. Буданов, Е.А. Татохин, Я.А. Болдырева. Письма ЖТФ, 28 (7), 68 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.