Кинетика начальной стадии халькогенидной пассивации полупроводников AIIIBV
Антюшин В.Ф.1, Буданов А.В.1, Кухаренко Д.С.1, Палишкин Д.А.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.
Обоснована и сформулирована математическая модель термостимулированного гетеровалентного замещения анионов в поверхностном слое AIIIBV при халькогенидной пассивации из газовой фазы. Модель представлена в виде нелинейной системы дифференциальных уравнений. Показано, что существенное влияние на кинетику оказывает исходное состояние поверхности (начальная поверхностная концентрация анионных вакансий).
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32 (11), 1281 (1998)
- Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, В.Д. Стрыгин, В.Н. Моргунов. ЖТФ, N 5, 913 (1986)
- Б.И. Сысоев, Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин, А.В. Буданов, Т.В. Прокопова, С.В. Фетисова. ФТП, 25 (4), 699 (1991)
- Н.Н. Безрядин, Е.А. Татохин, И.Н. Арсентьев, А.В. Буданов, А.В. Линник. ФТП, 33 (12), 1447 (1999)
- Н.Н. Безрядин, А.В. Буданов, Е.А. Татохин, Б.Л. Агапов, А.В. Линник. Неорг. матер., 36 (9), 1037 (2000)
- Н.Н. Безрядин, Я.А. Болдырева, А.В. Буданов, Е.А. Татохин. XII Межд. симп. Тонкие пленки в электронике" (Харьков, 2001) с. 169
- В.Ф. Антюшин, А.В. Буданов, Е.А. Татохин, Я.А. Болдырева. Письма ЖТФ, 28 (7), 68 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук