Вышедшие номера
Кинетика начальной стадии халькогенидной пассивации полупроводников AIIIBV
Антюшин В.Ф.1, Буданов А.В.1, Кухаренко Д.С.1, Палишкин Д.А.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Обоснована и сформулирована математическая модель термостимулированного гетеровалентного замещения анионов в поверхностном слое AIIIBV при халькогенидной пассивации из газовой фазы. Модель представлена в виде нелинейной системы дифференциальных уравнений. Показано, что существенное влияние на кинетику оказывает исходное состояние поверхности (начальная поверхностная концентрация анионных вакансий).