Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Пленки фторида кальция толщиной 2-10 нм на кремнии-(111): выращивание, диагностика, изучение сквозного токопереноса
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.09.54133.9885 
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), АНФ_а, 21-52-14007
Банщиков А.Г.1, Векслер М.И.
1, Иванов И.А.
1, Илларионов Ю.Ю.1, Соколов Н.С.1, Сутурин С.М.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: vexler@mail.ioffe.ru, ivanovila673@mail.ru, suturin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 30 июня 2022 г.
Принята к печати: 30 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.
Получены эпитаксиальные слои фторида кальция (CaF2) с номинальной толщиной до 10 нм на кремнии ориентации (111). Записана топография поверхности пленок фторида, изучены вольт-амперные характеристики структур Au/CaF2/Si. Такие структуры, на качественном уровне, демонстрировали все особенности, присущие системам металл-диэлектрик-полупроводник. Вольт-амперные кривые образцов были воспроизведены моделированием с учетом конечного (0.1-1 нм) значения стандартной девиации толщины диэлектрической пленки CaF2. Ключевые слова: фторид кальция, тонкие пленки, МДП-структура, ток утечки.
- R.F.C. Farrow, P.W. Sullivan, G.M. Williams, G.R. Jones, D.C. Cameron. J. Vac. Sci. Technol., 19, 415 (1981)
- M. Sugiyama, M. Oshima. Microelectronics J., 27, 361 (1996)
- A.A. Velichko, V.A. Ilyushin, A.U. Krupin, V.A. Gavrilenko, N.I. Filimonova, C.C. Kudaev. Proc. 12th Int. Conf. on Actual Problems of Electronics Instrum. Engineering (APEIE) (2014) p. 17
- M. Galbiati, M. Scarselli, F. Arciprete, M. De Crescenzi, L. Camilli. J. Phys. D: Appl. Phys., 55, 095304 (2022)
- J. Robertson. Rep. Progr. Phys., 69, 327 (2006)
- W. Hayes. Crystals with the Fluorite Structure (Clarendon Press, Oxford, 1974)
- M. Tsutsui, M. Watanabe, M. Asada. Jpn. J. Appl. Phys., 38, Pt 2, No. 8B, L920 (1999)
- S. Miyamoto, H. Matsudaira, H. Ishizaka K. Nakazawa, H. Taniuchi, H. Umezawa, M. Tachikia, H. Kawarada. Diamond Relat. Mater., 12, 399 (2003)
- Yu.Yu. Illarionov, A.G. Banshchikov, T. Knobloch, D.K. Polyushkin, S. Wachter, V.V. Fedorov, S.M. Suturin, M. Stoger-Pollach, T. Mueller, M.I. Vexler, N.S. Sokolov, T. Grasser. Program guide of the 78th Annual IEEE Device Research Conf. (DRC) (2020) p. 46
- Yu.Yu. Illarionov, T. Knobloch, M. Lanza, D. Akinwande, M.I. Vexler, T. Mueller, M. Lemme, G. Fiori, F. Schwierz, T. Grasser. Nature Commun., 11, 3385 (2020)
- W. Li, J. Zhou, S. Cai, Z. Yu, J. Zhang, N. Fang, T. Li, Y. Wu, T. Chen, X. Xie, H. Ma, K. Yan, N. Dai, X. Wu, H. Zhao, Z. Wang, D. He, L. Pan, Y. Shi, P. Wang, W. Chen, K. Nagashio, X. Duan, X. Wang. Nature Electron., 2, 563 (2019)
- M. Yamamoto, S. Dutta, S. Aikawa, S. Nakaharai, K. Wakabayashi, M.S. Fuhrer, K. Ueno, K. Tsukagoshi. Nano Lett., 15, 2067 (2015)
- S. Watanabe, M. Maeda, T. Sugisaki, K. Tsutsui. Jpn. J. Appl. Phys., 44 (4B), 2637 (2005)
- М.И. Векслер, Ю.Ю. Илларионов, С.Э. Тягинов, Т. Grasser. ФТП, 49, 266 (2015)
- A. Schenk. Advanced physical models for Silicon device simulations (Springer, Wien-N.Y., Chap. 5 "Modeling transport across thin dielectric barriers" (1998) p. 281
- A. Schenk, G. Heiser. J. Appl. Phys., 81, 7900 (1997)
- J. Shewchun, M.A. Green, F.D. King. Solid-State Electron., 17, 563 (1974)
- A. Asenov, S. Kaya, J.H. Davies, S. Saini. Superlatt. Microstruct., 28, 507 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
