Вышедшие номера
Пленки фторида кальция толщиной 2-10 нм на кремнии-(111): выращивание, диагностика, изучение сквозного токопереноса
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), АНФ_а, 21-52-14007
Банщиков А.Г.1, Векслер М.И. 1, Иванов И.А. 1, Илларионов Ю.Ю.1, Соколов Н.С.1, Сутурин С.М. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vexler@mail.ioffe.ru, ivanovila673@mail.ru, suturin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 30 июня 2022 г.
Принята к печати: 30 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.

Получены эпитаксиальные слои фторида кальция (CaF2) с номинальной толщиной до 10 нм на кремнии ориентации (111). Записана топография поверхности пленок фторида, изучены вольт-амперные характеристики структур Au/CaF2/Si. Такие структуры, на качественном уровне, демонстрировали все особенности, присущие системам металл-диэлектрик-полупроводник. Вольт-амперные кривые образцов были воспроизведены моделированием с учетом конечного (0.1-1 нм) значения стандартной девиации толщины диэлектрической пленки CaF2. Ключевые слова: фторид кальция, тонкие пленки, МДП-структура, ток утечки.
  1. R.F.C. Farrow, P.W. Sullivan, G.M. Williams, G.R. Jones, D.C. Cameron. J. Vac. Sci. Technol., 19, 415 (1981)
  2. M. Sugiyama, M. Oshima. Microelectronics J., 27, 361 (1996)
  3. A.A. Velichko, V.A. Ilyushin, A.U. Krupin, V.A. Gavrilenko, N.I. Filimonova, C.C. Kudaev. Proc. 12th Int. Conf. on Actual Problems of Electronics Instrum. Engineering (APEIE) (2014) p. 17
  4. M. Galbiati, M. Scarselli, F. Arciprete, M. De Crescenzi, L. Camilli. J. Phys. D: Appl. Phys., 55, 095304 (2022)
  5. J. Robertson. Rep. Progr. Phys., 69, 327 (2006)
  6. W. Hayes. Crystals with the Fluorite Structure (Clarendon Press, Oxford, 1974)
  7. M. Tsutsui, M. Watanabe, M. Asada. Jpn. J. Appl. Phys., 38, Pt 2, No. 8B, L920 (1999)
  8. S. Miyamoto, H. Matsudaira, H. Ishizaka K. Nakazawa, H. Taniuchi, H. Umezawa, M. Tachikia, H. Kawarada. Diamond Relat. Mater., 12, 399 (2003)
  9. Yu.Yu. Illarionov, A.G. Banshchikov, T. Knobloch, D.K. Polyushkin, S. Wachter, V.V. Fedorov, S.M. Suturin, M. Stoger-Pollach, T. Mueller, M.I. Vexler, N.S. Sokolov, T. Grasser. Program guide of the 78th Annual IEEE Device Research Conf. (DRC) (2020) p. 46
  10. Yu.Yu. Illarionov, T. Knobloch, M. Lanza, D. Akinwande, M.I. Vexler, T. Mueller, M. Lemme, G. Fiori, F. Schwierz, T. Grasser. Nature Commun., 11, 3385 (2020)
  11. W. Li, J. Zhou, S. Cai, Z. Yu, J. Zhang, N. Fang, T. Li, Y. Wu, T. Chen, X. Xie, H. Ma, K. Yan, N. Dai, X. Wu, H. Zhao, Z. Wang, D. He, L. Pan, Y. Shi, P. Wang, W. Chen, K. Nagashio, X. Duan, X. Wang. Nature Electron., 2, 563 (2019)
  12. M. Yamamoto, S. Dutta, S. Aikawa, S. Nakaharai, K. Wakabayashi, M.S. Fuhrer, K. Ueno, K. Tsukagoshi. Nano Lett., 15, 2067 (2015)
  13. S. Watanabe, M. Maeda, T. Sugisaki, K. Tsutsui. Jpn. J. Appl. Phys., 44 (4B), 2637 (2005)
  14. М.И. Векслер, Ю.Ю. Илларионов, С.Э. Тягинов, Т. Grasser. ФТП, 49, 266 (2015)
  15. A. Schenk. Advanced physical models for Silicon device simulations (Springer, Wien-N.Y., Chap. 5 "Modeling transport across thin dielectric barriers" (1998) p. 281
  16. A. Schenk, G. Heiser. J. Appl. Phys., 81, 7900 (1997)
  17. J. Shewchun, M.A. Green, F.D. King. Solid-State Electron., 17, 563 (1974)
  18. A. Asenov, S. Kaya, J.H. Davies, S. Saini. Superlatt. Microstruct., 28, 507 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.