Вышедшие номера
Стимулированное излучение в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP с асимметричным электронным ограничением
Семакова А.А. 1, Ружевич М.С.2, Романов В.В. 1, Баженов Н.Л. 1, Мынбаев К.Д. 1,2, Моисеев К.Д. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: antonina.semakova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 6 июля 2022 г.
Принята к печати: 4 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.

Исследованы электролюминесцентные характеристики асимметричных светодиодных гетероструктур InAs/InAs1-ySby/InAsSbP с высокой мольной долей InSb в активной области (y>0.09) в диапазоне температур 4.2-300 K. При низких температурах (T<30 K) было достигнуто стимулированное излучение в диапазоне длин волн 4.1-4.2 мкм. Было установлено, что спектры электролюминесценции формировались в результате суперпозиции вкладов различных каналов излучательной рекомбинации носителей заряда вблизи гетерограницы II типа. Рассмотрено влияние качества гетероперехода II типа InAsSb/InAsSbP при увеличении содержания InSb в тройном твердом растворе на излучательные интерфейсные переходы. Ключевые слова: гетеропереходы, InAs, антимониды, электролюминесценция, светодиоды.