Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Стимулированное излучение в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP с асимметричным электронным ограничением
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.09.54131.9925 
Семакова А.А.
1, Ружевич М.С.2, Романов В.В.
1, Баженов Н.Л.
1, Мынбаев К.Д.
1,2, Моисеев К.Д.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: antonina.semakova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 6 июля 2022 г.
Принята к печати: 4 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.
Исследованы электролюминесцентные характеристики асимметричных светодиодных гетероструктур InAs/InAs1-ySby/InAsSbP с высокой мольной долей InSb в активной области (y>0.09) в диапазоне температур 4.2-300 K. При низких температурах (T<30 K) было достигнуто стимулированное излучение в диапазоне длин волн 4.1-4.2 мкм. Было установлено, что спектры электролюминесценции формировались в результате суперпозиции вкладов различных каналов излучательной рекомбинации носителей заряда вблизи гетерограницы II типа. Рассмотрено влияние качества гетероперехода II типа InAsSb/InAsSbP при увеличении содержания InSb в тройном твердом растворе на излучательные интерфейсные переходы. Ключевые слова: гетеропереходы, InAs, антимониды, электролюминесценция, светодиоды.
- S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V, and II-VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, Ltd., Chichester West Sussex, 2009)
- A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko, P. Madejczyk, S. Krishna. Sensors, 20, 7047 (2020)
- A.P. Ongstad, R. Kaspi, G.C. Dente, M.L. Tilton, R. Barresi, J.R. Chavez. Appl. Phys. Lett., 92, 141106 (2008)
- D. Ting, A. Soibel, A. Khoshakhlagh, S. Keo, B. Rafol, A. Fisher, B. Pepper, E. Luong, C. Hill, S. Guhapala. Infr. Phys. Technol., 97, 210 (2019)
- D. Jung, S. Bank, M.L. Lee, D. Wasserman. J. Opt., 19, 123001 (2017)
- Q. Lu, Y. Zhou, J. Chen, L. He, A. Krier. Proc. SPIE, Smart Photonic and Optoelectronic Integrated Circuits XXII, 11284, 39 (2020)
- F.A. Al-Saymari, A.P. Craig, Q. Lu, A.R.J. Marshall, P.J. Carrington, A. Krier. Opt. Express, 28, 23338 (2020)
- Д.М. Кабанов, Е.В. Лебедок, Ю.П. Яковлев. ЖПС, 84, 786 (2017)
- K.D. Mynbaev, N.L. Bazhenov, A.A. Semakova, A.V. Chernyaev, S.S. Kizhaev, N.D. Stoyanov, V.E. Bougrov, H. Lipsanen, Kh.M. Salikhov. Inf. Phys. Technol., 85, 246 (2017)
- К.Д. Моисеев, В.В. Романов. ФТТ, 63, 475 (2021)
- А.А. Семакова, В.В. Романов, Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, К.Д. Моисеев. ФТП, 55, 277 (2021)
- В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТТ, 61, 1746 (2019)
- В.В. Романов, Э.В. Иванов, А.А. Пивоварова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 54, 202 (2020)
- Y.P. Varshni. Physica, 4, 149 (1967)
- J.A. Van Vechten, T.K. Bergstresser. Phys. Rev. B, 1, 3351 (1970)
- Landolt-Bornstein. Handbook, Numerical Data, Ser. III, v. 17a [ed. by O. Madelung (Springer, Berlin--Heidelberg, 1982)]
- В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТТ, 62, 1822 (2020)
- К.Д. Моисеев, M.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 1010 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
