"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние примесей редкоземельных элементов на фотолюминесценцию стеклообразного Ge2S3
Бабаев А.А.1, Камилов И.К.1, Вагабова З.В.1, Султанов С.М.1, Асхабов А.М.1, Теруков Е.И.2, Трапезникова И.Н.2
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.

Проведено исследование фотолюминесцентных свойств в интервале 4.2-300 K стеклообразного Ge2S3, легированного редкоземельными элементами La, Ce, Gd. Показано, что примеси не создают новых уровней, ответственных за излучение. Оценены изменения основных параметров спектра возбуждения и излучения в зависимости от концентрации и рода примесей.
  1. B.T. Kolomiets, T.N. Mamontova, A.A. Babaev. J. Non-Cryst. Sol., 8--10, 1004 (1972)
  2. Т.Н. Мамонтова, В.А. Васильев. Матер. межд. конф. " Аморфные полупроводники-80" (Кишинев, 1980) с. 183
  3. S.G. Bishop, V. Strom, E.J. Friebele, P.C. Taylor. J. Non-Cryst. Sol., 32, 359 (1979)
  4. Е.М. Распопова, В.А. Маслобоев, Л.И. Полежаева. Матер. межд. конф. " Аморфные полупроводники-78" (Пардубице, 1978) с. 162

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.