Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние примесей редкоземельных элементов на фотолюминесценцию стеклообразного Ge₂S₃

Бабаев А.А.¹, Камилов И.К.¹, Вагабова З.В.¹, Султанов С.М.¹, Асхабов А.М.¹, Теруков Е.И.², Трапезникова И.Н.²

¹Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 23 декабря 2002 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование фотолюминесцентных свойств в интервале 4.2-300 K стеклообразного Ge₂S₃, легированного редкоземельными элементами La, Ce, Gd. Показано, что примеси не создают новых уровней, ответственных за излучение. Оценены изменения основных параметров спектра возбуждения и излучения в зависимости от концентрации и рода примесей.

B.T. Kolomiets, T.N. Mamontova, A.A. Babaev. J. Non-Cryst. Sol., 8--10, 1004 (1972)
Т.Н. Мамонтова, В.А. Васильев. Матер. межд. конф. " Аморфные полупроводники-80" (Кишинев, 1980) с. 183
S.G. Bishop, V. Strom, E.J. Friebele, P.C. Taylor. J. Non-Cryst. Sol., 32, 359 (1979)
Е.М. Распопова, В.А. Маслобоев, Л.И. Полежаева. Матер. межд. конф. " Аморфные полупроводники-78" (Пардубице, 1978) с. 162

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель